点击下方“信息科技人” 　　与场效应管一样，闪存也是一种电压控制型器件。NAND型闪存的擦和写均是基于隧道效应，电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电(写数据)或放电(擦除数据)。而NOR型闪存擦除数据仍是基于隧道效应(电流从浮置栅极到硅基层)，但在写入数据时则是采用热电子注入方式(电流从浮置栅极到源极)。

　　场效应管工作原理

　　场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高(～Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

　　闪存采用MOSFET来存放数据

　　MOSFET结构如下图

　　数据就存放在floatinggate(悬浮门)之中，一个门可以存放1bit数据

　　如图所示，门中电压有个阈值Vth

　　如果检测到电压超过Vth，那么便认为这个bit是0

　　数据的写入和擦除，都通过controlgate来完成。

　　至于具体的步骤。

　　涉及到半导体基础知识，如果需要了解，请参考模拟电路相关书籍。

　　这是一个比特，对于闪存来说，如图

　　这是一个闪存颗粒的内部结构，每一行是其中一个page，一个page由个刚才那样的门组成。

　　共4KByte，注意这里单位是千字节1Byte=8bit这里总共有64个page，组成了一个block。

　　wordline是字线，由其控制读取和写入，所以page是最小的读写单位而这个block是最小的擦除单位。

　　我们知道闪存颗粒分为SLCMLCTLC这就是因为对电压的分级不同。

　　SLC将电压分为2级，大于Vth表示0小于Vth表示1，一个CELL只表示1个bitMLC是MulTI-LevelCell，将电压分为4份，分别可以表示，一个CELL表示2个bitTLC是Triple-LevelCell，将电压分为8份，可以表示一个CELL表示3个bit。

-End-

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