MOS管，全称为MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor（金属氧化物半导体场效应晶体管），是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体三端器件。以下是对MOS管的基础认识：
一、定义与分类定义：MOS管是一种通过改变栅极电压来控制漏极和源极之间导电沟道的半导体器件。其栅极与源极、漏极之间通过一层绝缘层（通常为二氧化硅）隔离，因此也被称为绝缘栅场效应管。
分类：根据导电沟道的不同，MOS管可分为N沟道MOS管和P沟道MOS管；根据栅极电压对导电沟道的影响，又可分为增强型MOS管和耗尽型MOS管。因此，MOS管主要分为N沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道增强型和P沟道耗尽型四种。
二、结构与工作原理结构：MOS管的基本结构包括栅极（G）、漏极（D）和源极（S）。在一块掺杂浓度较低的半导体衬底上，通过半导体工艺制作高掺杂浓度的源极和漏极区域，并在它们之间覆盖一层绝缘层，再在绝缘层上制作栅极。
工作原理：以N沟道增强型MOS管为例，当栅极电压为零时，漏极和源极之间不存在导电沟道，因此电流无法流通。当栅极电压增加到一定值时（称为开启电压或阈值电压），栅极下的绝缘层会吸引衬底中的电子形成反型层（N型薄层），从而构成导电沟道，使漏极和源极之间能够导通。此时，栅极电压的大小决定了导电沟道的宽度和漏极电流的大小。
三、主要特性高输入阻抗：由于栅极与源极、漏极之间通过绝缘层隔离，因此MOS管的输入阻抗非常高，适合用于高阻抗电路。
低噪声：MOS管在工作时产生的噪声相对较低，适用于对噪声要求较高的电路。
热稳定性好：MOS管具有较好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内正常工作。
低功耗：MOS管在导通和截止状态下的功耗都较低，适合用于低功耗电路。
高开关速度：由于MOS管是电压控制器件，其开关速度较快，适用于高频电路。
四、应用领域MOS管广泛应用于各种电子电路中，特别是在集成电路、功率电子、通信设备和计算机等领域。它可以作为放大电路、开关电路、稳压电路等的基本元件，实现信号的放大、开关控制、电压稳定等功能。
综上所述，MOS管是一种重要的半导体器件，具有独特的结构和优良的性能特点，在电子电路领域发挥着重要作用。
