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IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（BipolarJunctionTransistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MetalOxideSemiconductor，MOS）构成的复合全控型电压启动式功率半导体器件,兼有（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（GiantTransistor，GTR）的低导通压降两方面的好处。GTR饱和压低落，载流密度大，但启动电流较大；MOSFET启动功率很小，开关速率快，但导通压降大，载流密度小。IGBT归纳了以上两种器件的好处，启动功率小而饱和压低落。特别适当运用于直流电压为V及以上的变流系统如互换机电、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等范畴。
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是电力把持和电力调动的重点器件，是由BJT（双极型晶体管）和MOS（绝缘栅型场效应管）构成的复合全控型电压启动式功率半导体器件，具备高输入阻抗，低导通压降，高速开关特征和低导通形态消耗等特征，特别适当高电压和高电流的光伏逆变器、储能安设和新动力汽车等电力电子运用。
?在新动力汽车中，最有提高起间确当属机电启动部份，而机电启动部份最重点的元件IGBT。从成原本说，IGBT占整车成本的7-10%，是除电池以外成本第二高的元件，而且决计了整车的动力效率。为了取得更高的耐压，更大的电流和高靠得住性，每每会将多个IGBT器件级联成模块来运用，代价也加倍昂贵。
关于IGBT的下一代SiC（碳化硅）宽禁带功率器件来讲，具备高调动效率，高处事频次，高运用处境温度。不过当今束缚SiC运用主如果两方面，一是代价，其代价是保守Si型IGBT的7倍；其次是电磁烦扰；SiC的开关频次远高于保守Si型IGBT，电路回路寄生参数曾经大到无奈疏忽，需求额外细致EMI题目。不同SiC的产能也特别有限，海外也是刚发端大范围举办6英寸SiC晶圆的投产，他日的首要运用仍是IGBT功率器件。
IGBT功率器件首要测试参数：
静态参数主如果指自身固有的，与其处事前提无关的干系参数，干系参数首要有：栅极-发射极泄电流IGES、栅极-发射极阈值电压VGE（th）、集电极-发射极饱和电压VCE（sat）、压降VF、反向击穿电压VR、门极-发射极间电压ICES。
?面临IGBT功率器件高压、高流的测试请求，西安易恩电气能够供应EN-CIGBT静态参数测试系统，可完结IGBT、二极管静态全参数测试。
??动态参数是指开关经过中的干系参数，这些参数会跟着开关前提如电压，处事电流，启动电压，启动电阻等的变动而变动，干系参数有栅极电荷，导通推迟时光、激昂时光、关断推迟时光、下落时光、开明消耗、关断消耗、反向恢来电流、反向复原时光以及反向复原能量、短路特征等。
?面临IGBT功率器件高压、高流的测试请求，西安易恩电气能够供应EN-AIGBT动态参数测试系统，可完结IGBT、二极管动态全参数测试。
??高温测试功用：
IGBT功率器件宽泛运用于浩大产物中，囊括重型设置、高铁和汽车等。显然，一共这些产物都一定具备极高的靠得住性，而且能够在卑劣的处境前提下寻常运用。其高温处事机能尤其严重，由于设置一定保证能够在高温(器件处于热辐射设置邻近)下寻常运用。
EN-C和EN-A能够应对一共这些IGBT功率器件温度测试挑战，配套全主动测试夹具，能够完结高温，常温测试。
温度范畴：室温～℃，分辩率0.1℃；
把持精度：±1℃；
加热时光：≤20min。
处事噪声：75dB；
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