白癜风怎样快速治疗 https://baike.baidu.com/item/%E9%A3%8E%E6%9D%A5%E4%BA%86%C2%B7%E5%B8%A6%E4%BD%A0%E8%B5%B0%E5%87%BA%E7%99%BD%E7%99%9C%E9%A3%8E%E9%98%B4%E9%9C%BE/20783753?fr=aladdin

项目名称:沟槽栅电场中止型绝缘栅双极晶体管(IGBT)芯片

所属单位:黄山芯微电子股份有限公司

所属领域:电子信息技术

地市:黄山市

本项目IGBT芯片属于新型功率半导体开关器件，具有输入阻抗高、开关速度快、元件损耗小、驱动电路简单、驱动功率小、极限温度高、热阻小、饱和压降和电阻低、耐压高、电流容量大、抗浪涌能力强、安全工作区宽、并联容易、稳定可靠及模块化等一系列优点，是一种极理想的高电压、大功率开关元件。采用了具有创新结构及其制造方法的沟槽栅，采用了高性能的栅氧化工艺，采用了具有更好饱和压降性能和热特性的薄片工艺，采用了配合薄片工艺的背面电场中止结构，采用了透明集电极结构，芯片易于加工，性能稳定可靠等特点。项目芯片产品产业化后可逐步实现对国外产品的进口替代。文章转自：预览时标签不可点收录于话题#个上一篇下一篇

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