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1、功率半导体：电能转化与电路控制的核心器件

1.1功率半导体器件的分类

功率半导体器件(PowerSemiconductorDevice)是电力电子装置实现电能转换、电源管理的核心器件，又称为电力电子器件(PowerElectronicDevice)，主要功能有变频、变压、整流、功率转换和管理等，兼具节能功效。功率半导体器件广泛应用于移动通讯、消费电子、电动车、轨道交通、工业控制、发电与配电等电力电子领域，主要分为功率分立器件、功率集成电路（即PowerIC/PIC，又称为功率IC）和功率模组三类。

功率分立器件按照对电路信号的可控程度分为：全控型器件、半控型器件、不可控器件。

全控型功率半导体器件：全控型的主要产品为GTO（门极可关断晶闸管）,GTR（大功率电力晶体管）,MOSFET（电力场效应晶体管）及IGBT（绝缘栅双极晶体管）。这类器件一般是三段器件，在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。此类型器件通过电压来控制其导通，又可以控制其关断，因此称为全控型功率半导体器件又称为自关断器件。

半可控型功率半导体器件：半可控型的器件主要为SCR（晶闸管）。晶闸管也称可控硅，是由三个PN结构成的大功率半导体器件。晶闸管主要用于电力变换与控制，可以用微小的信号功率对大功率的电流进行控制和变换，具有体积小、重量轻、耐压高、容量大、效率高、控制灵敏、使用寿命长等优点。晶闸管的功用不仅是整流，还可以用作无触点开关以快速接通或切断电流，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等作用。晶闸管的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面广泛采用的电子元器件。该类器件具有单项导电性，一旦开通就无法通过门极控制关断，只能通过强制阳极电流为零或改变阴阳两极间的电压极性而关断，因此被称为半控制型器件。

不可控型功率半导体器件：不可控型功率半导体器件，主要为PowerDiode（功率二极管）。功率二极管是一个两端器件，分为阴极和阳极，其开关完全取决于施加在阴阳两极的电压正向导通，反向阻断。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。二极管由电流驱动，开关本身无法控制通断，电流为单向且只能正向流通，因此称为不可控器件。

功率IC:包括线性稳压器，开关稳压器，电压基准，监控、定序器、开关IC和其他功率管理IC等五大类。功率IC通常把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。包括五大类:线性稳压、开关稳压器、电压基准、监控，定序器，开关IC和其他功率IC。具有体积小，重量轻，能承受的电流比较小，寿命长，可靠性高性能好，成本低，便于大规模生产等特点。

1.2功率半导体的发展路径

为适应应用领域的广泛化与应用形式的精密化，功率半导体从结构、技术、工艺及材料等多方面都有了全面的提升。从功率半导体的发展路径来看，更高功率密度，更小的体积，更低的功耗及损耗是其技术演进的重点方向。

结构更改：从晶闸管等半控型器件，到门极可关断晶闸管GTO、电力双极型晶体管BJT、电力场效应晶体管功率MOSFET为代表的全控型器件，半导体的演进过程中经过大规模的基本设计更改。例如在结构方面，IGBT比MOSFET多一层P+区，通过P层空穴的注入能够降低器件的导通电阻。随着电压的增大，MOSFET的导通电阻也变大，因而其传导损耗比较大，尤其是在高压应用场合中，相较而言，IGBT的导通电阻较小。

制程缩小：在半导体的演进过程中线宽制程也不断缩减，从最初的10微米，现在已发展至0.15-0.35微米。例如仅是从硅到碳化硅材料，就使得线圈尺寸缩小至1/10，因而体积也同比缩小了50%左右。技术变化：硅材料平台仍是主流的功率器件工艺平台，且目前还在进行持续优化并开发一些专用工艺技术,包括深槽工艺结构、超薄圆片结构、背面扩散技术及多层连接技术等等,代表性的器件的有Sub-micronMOSFET、MPS-Diode、LPT-CSTBT、ReverseconductingIGBT,ReverseBlockingIGBT和Super-junctionMOSFET等。

技术变化：硅材料平台仍是主流的功率器件工艺平台，且目前还在进行持续优化并开发一些专用工艺技术,包括深槽工艺结构、超薄圆片结构、背面扩散技术及多层连接技术等等,代表性的器件的有Sub-micronMOSFET、MPS-Diode、LPT-CSTBT、ReverseconductingIGBT,ReverseBlockingIGBT和Super-junctionMOSFET等。

工艺进步：即使同种设计和技术结构，功率半导体生产工艺也在不断进步。以英飞凌公司的CoolMOS系列为例，其从C3一直升级到P7，CoolMOSP7采用具有价格竞争力的超结技术，更加适应小功率市场，更具备出色的性能和易用性。

集成调整：集成电路的技术促进了器件的小型化和功能化，为发展高频电力电子技术提供了条件。例如功率模块就可将多个功率器件封装在一起，这些器件或集成电路能在很高的频率下工作，而电路在高频工作时能更节能、节材，能大幅减少设备体积和重量。

材料迭代：半导体材料也在不断更迭，近些年随着Si材料电力电子器件逐渐接近其理论极限值，利用宽禁带半导体材料制造的电力电子器件显示出比Si和GaAs更优异的特性，给电力电子产业的发展带来了新的生机。相对于Si材料，使用宽禁带半导体材料制造新一代的电力电子器件，可以变得更小、更快、更可靠和更高效。

这将减少电力电子元件的质量、体积以及生命周期成本，允许设备在更高的温度、电压和频率下工作，使得电子电子器件使用更少的能量却可以实现更高的性能。

2.全球功率半导体市场竞争格局

2.1主流功率半导体器件市场竞争格局

根据Yole相关数据的测算，年全球功率半导体器件市场规模为亿美元，预计年达到约亿美元的市场规模，年复合增长率约为3.79%。

功率半导体的应用最为广泛的四个行业分别为计算机与外设30%、无线通讯20%，汽车电子15%，指示灯与显示屏12%,功率半导体的应用领域已从工业为主慢慢拓展至新能源，消费电子，轨道交通等诸多领域。随着技术的进步与功率半导体器件的不断演进，自上世纪80年代起，在下游市场中，功率半导体器件MOSFET、IGBT和功率集成电路逐步成为了主流应用器件。

功率二极管市场现状及发展前景。功率二极管是中国发展 、国产化率 的功率半导体器件。根据中国电子信息产业统计年鉴数据，年全球威世以11.71％的市占率排名第1外，其余市场份额差距均不明显，并未形成典型的垄断；又因功率二极管准入门槛较低、毛利小，许多国际大厂正逐渐放弃该市场，产能正在向中国大陆和中国台湾转移。

从年开始，中国大陆的二极管及相关产品就出口量超过进口量；目前中国大陆功率半导体器件领头羊扬杰科技的功率二极管全球市占率已经达到2.01％。受到中美 影响，中国电子产品的出口大幅下降，自年年底以来，中国功率二极管的出口数量已经回落到与进口数量大致相当。但金额自年以来有所增长。根据数据显示，截止到年4月，我国二极管出口量为,百万个，同比下降4.8%；出口金额为10,.32百万美元，同比增长17.6%。

MOSFET市场现状及发展前景。据IHS统计数据，年全球MOSFET市场规模约为58.35亿美元，预计年将达到近75亿美元，年复合增长率约为3.4%。年，中国MOSFET市场规模约为27.92亿美元。从市场份额来看，MOSFET的市场集中度很高，但尚未形成标准的垄断，前八大供应商占领了约75%的市场份额。

年英飞凌收购美国国际整流器公司后超越富士电机一跃成为行业 ，年市占率同比再提高0.3％,全球市场占比达到26.1%，中国市场占比为27%；安森美位列行业第二，年在全球市场占比约为13%，中国市场占比为19%。根据IHS的行业报告显示，在中国市场中，前三大品牌的市占率超过了50％；而本土企业，士兰微和华微电子分别以1.8％、1.1％的市占率位列第11、第15位，国产替代空间巨大。

IGBT市场现状及发展前景。IGBT是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品，从上世纪80年代至今经历了六代技术演变，现具有高频率、高电压、大电流，易于开关等优良性能，被业界誉为功率变流装置的“CPU”。从20世纪80年代至今，IGBT芯片经历了6代升级，从平面穿通型（PT）到沟槽型电场—截止型（FS-Trench），芯片面积、工艺线宽、通态饱和压降、关断时间、功率损耗等各项指标经历了不断的优化，断态电压也从V提高到6,V以上。

全球IGBT市场成长迅速：搜狐科技数据，年世界IGBT的市场规模为46.8亿美元较年上涨9.09%，预计未来IGBT市场规模将持续增长，到年世界IGBT市场规模将达到67.2亿美金，年复合增长率达维持在7%-9%之间。

中国成为IGBT需求上升最快的国家之一：集邦咨询年IGBT产业发展报告显示，受益于新能源汽车及工业领域需求的大幅增长和IGBT技术成熟，IGBT市场规模迅速正在迅速扩大。年中国IGBT市场规模为亿人民币，较年上涨了19.9%。

国务院发布的《节能与新能源汽车产业发展规划》中提出，到年我国纯电动汽车及插电式混合动力汽车年生产能力将达万辆，等效为8英寸IGBT晶圆年需求为万片。预计未来中国IGBT市场规模将持续增长，到年中国IGBT市场规模将达到亿人民币，年复合增长率达到19.11%。

中国IGBT芯片主要依靠进口，制约性强发展缓慢：目前国内外IGBT市场仍主要由外国企业占据，虽然我国IGBT市场需求增长迅速，但由于国内相关人才缺乏，工艺基础薄弱，国内企业产业化起步较晚，IGBT模块至今仍几乎全部依赖进口，市场主要由欧洲、日本及美国企业占领。

全球IGBT供应商分布相对集中：IGBT器件主要由欧洲、美国、日本三个国家（地区）提供，其中包括德国英飞凌、瑞士ABB、美国安森美、飞兆以及日本三菱、东芝、富士等公司。他们凭借先进的生产及制造工艺，占据了大约70%的市场份额。

安森美主要集中在V以下的低压的消费电子行业。从电压结构看，电压在-1V的IGBT需求量 ，占市场份额68.2%，主要应用于电动汽车。英飞凌在V-V的中高压领域优势十分突出；而V以上领域主要应用在高铁，汽车，智能电网等领域，被三菱及英飞凌所垄断。

2.2国内厂商的发展机遇

从供给端讲，自主可控是发展趋势。

中国功率IC、IGBT、MOSFET等核心功率半导体器件的国产化率均未达到50%，产品主要以二极管、晶闸管等低端功率半导体为主。主要原因是中国大陆企业起步较晚，生产技术水平较低，产品线不齐全，还未形成规模化经济，相对欧美老牌企业仍存在较大的差距，自主可控潜力较大。

自主可控是大势所趋。中国大陆是世界上产业链最齐全的经济活跃区，在功率半导体领域已经活跃着一群本土制造商，目前已基本完成了产业链的布局，且正处于快速发展当中。虽然短期内仍与国际龙头存在比较大的技术差距，但已在中低端领域实现了部分国产替代。十九大报告指出，到年我国国防和军队信息化建设要取得重大进展，军用半导体的地位将越来越突出。当前军用半导体已成为制约我国航空航天、新型军工武器装备和军队电子设施发展的瓶颈，各军兵种加大了针对进口替代元器件政策方案的落实力度，各整机厂所针对新装备中电子元器件的国产化率有了强制要求。

国内厂商具有自身优势：功率半导体是一个需求驱动型的行业，下游客户市场主要为国产厂商，当面对国内的下游厂商，国内的半导体功率企业相较于国外厂商在往往具备成本与定制化的相对优势。国内厂商的成本优势包括更丰富的专业人才，更低的人力成本以及可能避免的运费成本及关税；定制化优势主要包括沟通成本低，能够对客户迅速反应。在国外厂商倾向标准化生产并选择性放弃差异化定制市场的情况下，国内厂商的定制化服务可以在极大程度上弥补工艺技术的不足，因此当国内功率半导体厂商的产品性能够满足下游厂商的需求时，尽管存在一定的替换成本，综合长期成本考虑国内的下游厂商往往会转向国内供应商。同时，功率半导体迭代速度相对较慢，生产制造投资规模的要求相对较低，专业人才较为丰富，在短期内实现工艺技术的突破，达到国际 的产品性能的可能性相对更高。国内功率半导体行业具备较高的实现进口替代的可能性。

从需求端讲，中国功率半导体需求量世界 。

根据Yole和IHS的研究预测结果，中国是全球 的功率半导体市场，总需求为世界总需求量的43%，且随着国内环保意识的增强与节能要求的提升，对功率半导体器件的需求也将进一步扩大。

全球 的功率半导体厂商在中国地区的营收是本土规模 的功率半导体厂商的9倍。全球 的功率半导体厂商英飞凌年全球的总营收约为76亿欧元，中国大陆的业务占全球25%约为19亿欧元。中国 的功率半导体制造厂商华微电子年营收为约为2.1亿欧元。英飞凌年度仅在中国区域实现的营收，便达到了中国规模 的功率半导体厂商华微电子的9倍。

3.功率半导体在多领域广泛应用市场前景持续向好

3.1军用功率半导体加快国产化进程

保障国防安全，军用功率半导体国产化迫在眉睫。当前我军的信息化建设以技术革命为主导，重点发展信息化武器装备，核心在于装备的电子化和计算机化。军用功率半导体很大程度影响信息化装备的作战效能，已成为我军信息化作战能力发展瓶颈，将得到优先和快速发展。随着各种信息源互联渗透和融合，我国以往采取的限制、隔离等简单安全策略已经难以保障信息安全，硬件层面的国产化等治本性措施将成为主流。目前国内IGBT制造的核心技术掌握在国际半导体巨头手中，我国相关应用市场被完全垄断，自主可控是当务之急。

从上世纪90年代末至今，美国国会通过了一系列法案，禁止对华出口航天技术以及用于航天等军事用途的元器件，美国商务部列出了控制对华出口清单，同时，通过施加压力等多种手段，干预其它国家对华军事及配套出口。欧洲对华出口限制也已长达半个多世纪，先后有“巴黎统筹委员会议案”和“瓦森纳协议”，多种元器件物资被纳入华战略禁运的特别清单上。这一系列封锁举措都使得军工功率半导体国产化问题更为迫切。

政策引导、资金推进，助力国产化进程。

IGBT等功率半导体是军、民领域重要的基础器件，无论从国家信息安全还是市场空间角度，其国产化都将是国家重点投入推广的方向。我国一直很重视核心电子器件和芯片的技术和产业发展，曾在6年将“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品”列为16个重大科技专项。近年来，我国对集成电路产业政策支持力度空前，年7月国务院印发《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知》，力图增强集成电路的技术实力、缩小与国际先进水平的差距、培育一批富有创新活力、具备一定国际竞争力的骨干企业。整个集成电路产业的发展和技术工艺的进步，将对军用电子与半导体产业带来强有力的促进作用。

3.2新能源汽车成为功率半导体市场增长 原动力

新能源汽车几乎所有模块都离不开功率半导体的支持：汽车半导体被用于汽车五大模块领域，包括车身、底盘、安全系统、驾驶信息和动力传动。小到雨刷、车窗、电动座椅，大到底盘、动力总成、驾驶辅助系统都离不开功率半导体的支持。随着汽车电动化和智能化的推进，未来半导体在安全系统模块中的用量将会显著增加，预计占比将从年的17%提升至年的24%；而动力传动模块、驾驶信息模块和底盘模块的半导体用量占比基本维持不变，年分别为22%、21%、10%；车身模块的半导体用量占比下降明显，从年的28%下降至年的24%。

新能源车与传统汽车对功率半导体需求的对比：一辆汽车使用的汽车半导体大致可以分为四类，分别为安全集成电路、MCU微控制器芯片，传感器芯片，功率元器件。从传统汽车转变到新能源汽车，汽车动力源发生根本性改变，原材料成本增长 的部分就是功率半导体。在传统燃油汽车中，功率半导体主要应用在启动、停止和安全等领域，占比只有20%。与传统燃油车和弱混动力车相比，电动汽车少了发动机和启停系统，但多出了电池、电机、电控核心部件以及车载DCDC、电空调驱动、车载充电器（OBC）等电力电子装置。

汽车普遍采用高压电路，当电池输出高压时，需要频繁的进行电压变化，极大程度上提升了对电压转换电路的要求；此外还需要大量的DC-AC逆变器，变压器，换流器等，这些设备中都含有大量的功率半导体，主要为IGBT,MOSFET及二极管，因此混合动力汽车功率半导体器件占比约为40%，而纯电动汽车功率器件占比则超过50%。

根据英飞凌的统计，在传统汽车中平均半导体单车价值为美元，而纯电动车/混合动力汽车使用的半导体价值为美元，几乎增加了一倍。其中功率器件的增加最为显著，一般一辆传统汽车动力系统使用的功率半导体器件价格为17美元，而一辆纯电动车/混合动力汽车上功率半导体器件价值为美元，功率半导体器件成本成本增加了将近15倍。

伊维经济研究院发布的新能源汽车中长期发展（），报告预测到年，全球新能源汽车的销量将从年的万辆上升到年的1万辆，年均复合增长率将达到32.6%。

国内新能源车市场政策利好：在国内市场方面，年国务院颁布了《关于印发节能与新能源汽车产业的发展规划》后，我国作为全球 的新能源汽车市场市场规模正在迅速扩大。随着年新能源汽车的规范与补贴政策陆续出台，市场进入了高速发展阶段。

受益于政策支持及国民环保意识的增强，中国新能源汽车的总销量从年的67万辆上涨至年的万辆，同比上升67.1%。预计在未来几年，中国新能源汽车将保持强劲的增长态势，年产量将突破万辆，年突破万辆未来五年年符合增长率约为34.3%；年销量将达到万辆，年突破万辆。

充电桩带来功率半导体市场增长：随着新能源汽车产销量的不断增加，对充电桩的需求量也不断上升。作为与新能源汽车高度相关的互补品，充电桩进一步推动了功率半导体市场的进一步扩大。目前充电桩的功率模块有两种解决方案，一是采用MOSFET芯片，另一种是采用IGBT芯片。其中IGBT适用于0V以上、A以上的大功率直流快充，其成本可达充电桩总成本的20-30%;当下基于充电桩功率、工作频率、电压、电流、性价比等综合因素考量，MOSFET暂时成为充电桩的主流应用功率半导体器件，随着技术的发展，IGBT有望成为未来充电桩的核心器件。

年11月，工信部等四部委联合印发《电动汽车充电基础设施发展指南》通知，明确到年，新增集中式充换电站超过1.2万座，分散式充电桩超过万个，以满足全国万辆电动汽车充电需求。据信息产业研究院统计数据，截至年4月，中国大陆在运营公共充电桩约为,台，同比增长62.5%;其中交流充电桩,台、直流充电桩台、交直流一体充电桩66,台；另外还投建有台私人充电桩，同时国家政策也在向私人充电桩倾斜，按照规划需新建的充电桩超过万个，市场空间巨大。

目前公共充电桩制造成本约为3万元/台、私人充电桩约为5,元/台，若以每台充电桩中功率半导体器件成本占比为25%计算。中国大陆充电桩功率器件新增市场规模将从年新增7.8亿人民币平稳上升，到年充电桩带来的新增功率半导体器件市场规模将达到37.84亿人民币，年复合增长率约为37.14%。

新能源汽车IGBT市场增长突出：在新能源汽车中，IGBT模块相当于汽车动力系统的“CPU”，其成本约占电机驱动系统成本的一半，而电机驱动系统占整车成本的15-20%，也就是说IGBT约占整车成本的7.5%-10%，是除电池之外成本第二高的元件。以下为典型的电机电控系统的成本结构，IGBT所占比例 ，并且功率越大，也是技术含量 的零部件。

IGBT主要用在高电压环境的电力驱动系统，以特斯拉为例，双电机全驱动版中后电机用到96个IGBT管，前电机36个，累计使用个个IGBT管；三相交流异步电机，每相用28个IGBT，累计84个，其他电机12个IGBT，共用到96个IGBT。每个单管的价格大 -5美元，单车IGBT成本大约-美元。

特斯拉的功率半导体器件最初由IR供应，后来IR被英飞凌收购，现在特斯拉全部使用的是英飞凌的IGBT，并且用量很大。特斯拉电机功率太高，通用型的IGBT模块没有合适的选择，只能定制。以特斯拉的出货量，定制的价格会非常高。特斯拉使用的非主流的TO封装，这是非常罕见的。但TO封装极大程度上提高了元器件的可靠性及散热性，延长了使用寿命，降低了着火隐患。

欧美及中国的IGBT新能源汽车市场被英飞凌垄断。

新能源汽车带动IGBT市场空间广阔：依据新能源汽车中IGBT约占其成本10%测算，预计到年，中国新能源汽车所用IGBT市场规模将达到亿人民币，8年间累计新增市场份额达亿人民币。IGBT模块占到充电桩成本的20%左右，集邦咨询预计到年，充电桩所用IGBT的市场规模将达到亿人民币，8年间累计新增市场份额达亿人民币。

中国拥有全球 的IGBT市场，但是本土IGBT器件与国际大场英飞凌，三菱等还存在较大的差距：近些年，中国汽车功率半导体产业在国家政策推动及市场的蓬勃发展下，已经形成了IDM模式和代工模式的IGBT完整产业链，汽车行业IGBT器件国产化加速。

在国内半导体厂商中，比亚迪微电子目前推出了 的IGBT4.0，目前在诸多关键性技术指标上都优于当前市场主流产品：在同等工况下，这款IGBT综合损耗比当前市场主流的IGBT降低了约20%。这意味着电流通过IGBT器件时，受到的损耗降低，使得整车电耗显著降低。电流输出能力方面，IGBT4.0较当前市场主流的IGBT高15%，支持整车具有更强的加速能力和更大的功率输出能力，百公里加速4.4秒。在温度循环寿命层面，可以做到当前市场主流设备的10倍以上。目前，许多世界跨国公司都在寻求与比亚迪在新能源汽车领域展开合作，戴姆勒已经与比亚迪合作并推出腾势品牌，丰田将于年与比亚迪正式建立合资公司，奥迪也正在与比亚迪积极接触，希望有更进一步的合作。

3.35G发展推动通信领域IGBT高速成长

通讯行业是半导体行业发展的另一大原动力：其中通信基站建设对半导体需求量 ，超过了总体的50%，交换机，路由器，光端机，及供电系统中的逆变器和整流器也对功率半导体有着广泛的应用。

5G的发展将为功率半导体的市场规模的增长注入新的动力：首先是基站数量上的提升，5G的频谱要远高于4G,目前三大运营商的4G基站主要集中1.8GHZ左右，按照5G频谱规划最可能会将3.4-3.6MHz的总共MHz带宽平分给中国联通和中国电信，4.8-4.9GHz可能分配给中国移动。按照衰减的公式，频率越大衰减越大。腾讯新闻数据，预计联通和电信的5G基站密度将是4G的3倍以上，移动的基站密度将是4G的6倍，即便是5G对天线和射频有了革命性的优化，预计也是联通和电信的基站密度是4G的2倍，移动的要略大于3倍。实际上在城市中心区和郊区，基站的密度都是有大量的重叠覆盖区域的，去掉这部分重叠区域，5G覆盖城市中心区域大概需要-米一个5G基站，郊区大概米-1公里左右1个5G基站，农村需要1.5-2.5公里一个5G基站。

其次，5G的高流量数据处理系统使得基站电源消耗量是4G基站的3倍，提升了原有的电源管理要求也直接增大了单个基站对对功率器件的需求。因此，仅在5G基站建设方面就会对功率半导体市场增长注入极大的增长动力。

5G的爆发式增长推动通讯设备行业高速发展：通讯设备主要由集成电路芯片、电子元器件、光模块、电路板、电源、五金结构件五大部分构成，其中包含了大量的功率半导体器件。其次，5G手机的资料传输也将推动手机电源管理IC的需求根。同时，5G的核心技术MassiveMIMO也促进了MOSFET元件需求的大幅度上升。MarketResearchFuture的预测，全球通讯设备市场规模将维持高速增长，预计到年市场规模将达到亿美元，复合增长率为10%。

专业网络通讯市场扩张迅速，对半导体行业贡献突出：受益于国家对专业通讯网络的持续投入，专业无线通信设备市场未来几年将持续高速增长，前瞻产业研究预计，未来五年我国专网通信设备行业将保持在15%左右的速度增长，到年我国专网通信设备市场规模将达到亿元。

全球通信领域功率半导体市场规模预测：随着5G时代来临，基站建设与建设通信设备市场规模提升，直接促进了功率半导体行业的繁荣。根据中国商业资讯研究院的数据，全球通讯行业功率半导体的市场规模将有年的57.75亿美元增长至年的70.81亿美元，年复合增长率为4.27%。

3.4物联网促进功率半导体规模化应用

功率半导体在物联网行业应用广泛：传感器技术、射频识别技术、

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