最近，日经表示，中国大幅增产功率半导体，可能会导致中国功率半导体出现产能过剩的问题。文章中写到，预计中国新兴企业计划建设的工厂中，有半数以上把功率半导体作为主要生产品类。日经认为功率半导体虽是能够提高设备节能性能的基础零部件，但由于日本功率半导体的强势地位，中国过多的功率半导体可能会导致日本竞争厂商的收益恶化。

中国功率半导体的火从年开始烧起，在全球芯片短缺的需求缺口和中国扩大功率半导体产能的政策双重助力下，中国功率半导体的发展已经初见成效。

这把功率半导体的火，是否还将越来越旺？

功率半导体赛道火热

承接年的紧张需求，功率半导体在年依旧供不应求。实际上功率半导体的特性就已经决定其发展的广阔空间。

一方面，功率半导体属于特色工艺产品，非尺寸依赖型，在制程方面不追求极致的线宽，不必遵循摩尔定律，而是需要专注结构、封装技术以及基础材料的迭代升级。另一方面，功率半导体是电力电子装置的必备元件，全球市场规模稳定，在疫情影响下催生的汽车、工业、可再生能源和智能设备需求非常强劲。

正因如此，业内普遍看好功率半导体的市场前景，IGBT以及第三代半导体（如SiC、GaN）成为全球功率半导体企业集中发力方向。

安森美和英飞凌均传出功率半导体订单满载的消息，瑞萨亿日元重启甲府工厂，富士电机在年8月宣布追加投资亿日元（3.65亿美元）扩充功率半导体产能，东芝也宣布将打造一座新的功率半导体12英寸晶圆制造设施。

在市场的庞大需求下，我国功率半导体也早早起步。

当今的功率半导体市场由硅基器件主导，其中包括功率MOSFET、超级结MOSFET和绝缘栅双极晶体管(IGBT)。国内已经出现了多家MOSFET供应商，包括华润微电子、士兰微、扬杰科技、华微、新洁能、安世半导体、东微半导体、芯导科技、芯派科技、捷捷微电等；在IGBT方面，士兰微、比亚迪半导体、斯达半导体、时代电气、华大半导体也均有所布局。

从IDM和Foundry两方面看，功率半导体选择IDM模式似乎更好。例如，对于有着几十年历史的二极管、双极管和MOSFET的英飞凌、ST、TI这类国际半导体巨头，都在传统功率半导体分立器件方面采用IDM模式。而国内企业中固锝、扬杰和华微等半导体厂商也同样选择IDM模式。

从资本方面看，从年-年我国功率半导体行业融资事件较少，平均每年发生一起融资事件。而在年，功率半导体开始受到资本

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