1.特高压直流换流变压器

本技术产品主要依托国家重大特高压直流输电工程，是国家“制造”和“一带一路”的重点产品之一。该系列产品容量大，电压等级高，调压级数多，结构复杂。我公司通过大量新技术探索和研究，采用了多项新结构、新工艺，实现了从无到有的技术突破，以优质性能打破了行业壁垒。该技术产品自年应用以来，经过不断技术革新，目前处于国际领先水平。以±kV特高压直流换流变压器为例，产品具有以下特点：1、首次研发网侧kV引线端部轴向出线，外绝缘采用多层绝缘筒及支撑撑条结构，保证线圈出口部位电场裕度，确保产品可靠；根据产品结构特点，网侧kV引线设计为两柱并联端部出线结构，垂直油箱侧壁引出，与可拆卸引线插拔连接。2、首次研发网侧kV器身端部绝缘结构，采用多层成型角环绝缘结构，保证了线圈端部绝缘裕度。3、采用特殊设计上铁轭屏蔽板，大幅优化了kV网侧绕组对上铁轭处的电场。4、采用了两侧都能散热的新型铁心夹件油道结构，有效避免了大容量换流变压器铁芯夹件温升过热导致的绝缘老化问题。

1．额定容量—产品容量：.7MVA—.1MVA

2．额定电压—产品电压等级：±kV—±kV

技术对比情况：领先

价格对比情况图：低于

国外技术产品厂家及名称：ABB、西门子特高压直流技术产品

关键零部件中国兵器装备集团有限公司

2.超御PLC产品（6.8）

超御PLC产品是基于国产软硬件研制的高端工业控制设备，主要用于石油化工、水利水电、电力发电、轨道交通领域。产品具有数据采集、逻辑计算、动作执行、人机交互等功能，可与周边设备一起组成电控系统，提升系统自动化与智能化水平，具备全自主、强安全、高可靠、高可用、多协议等特点，具体如下：（1）硬件采用基于国产SPARC架构处理器，核心软硬件达到%国产化；（2）采用安全信息防护措施，是国内唯一取得IT产品信息安全认证的PLC产品；（3）支持ModbusTCP、CAN、ProfibusDP等多种协议，现场总线采用EtherCAT工业以太网；（4）逻辑编程软件具备跨平台功能，支持银河麒麟、中标麒麟、Win7、Win10等操作系统。支持遵循IEC-5标准的IL、ST、LD、FBD、SFC等编程语言和C语言。

（1）供电电压：VAC/24VDC（2）存储容量：M/64M（3）定点：DMIPS

MHz（4）浮点：MFLOPA

MHz（5）数字量输入：24VDC漏型输入（6）数字量输出：源型输入（7）模拟量输入：4-20mA电流型（8）模拟量输出：4-20mA电流型（9）通信协议：Modbus、CANopen、RS、RS、ProfibusDP、EtherCAT、Ethernet、EtherNet/IP等（10）其他功能：PI，PWM，SoE（11）最大从站数量：个从站模块（12）扩展任务数：4（13）冗余功能：CPU冗余，网络冗余，现场总线冗余，IO冗余（14）编程语言：支持遵循IEC-5标准的IL、ST、LD、FBD、SFC等编程语言和C语言（15）电磁兼容性：满足GJBB相关要求指标（16）环境适应性：工作温度：-40℃~65℃（17）存储温度：-55℃~85℃（18）湿度：25℃时，周围环境相对湿度条件：不大于95%，无凝结（19）振动：GJBA-；加速度15m/s2；频率5.5Hz~Hz（20）冲击：GJBA-；峰值20G持续11ms（21）IP防护等级：IP30

技术对比情况：相当价格对比情况：相当国外技术产品厂家及名称：西门子企业S7-技术产品关键零部件中国电子信息产业集团有限公司

3.30V~V先进中低压功率MOSFET–SGT系列产品

SGTMOS器件是新一代MOS型功率器件，广泛应用于移动通讯、电动工具、电动车辆、电源和电池控制、工业控制等领域，具有良好的应用前景。SGTMOS器件是目前理想的中低压功率器件,该器件利用电荷补偿原理能够同时获得极低的导通电阻Ron、栅极电荷Qg以及米勒电荷Qgd，能够有效地降低系统的导通损耗和开关损耗，从而提升系统转换效率，提高了功率密度，减少器件的并联需求，简化了系统设计。

1．单位面积导通电阻Rsp—MOSFET导通电阻（单位面积），越低越好：Rsp=33m?.mm2(VMOSFET)

2．品质因子FOM—MOSFETRon*Qg，越低越好：FOM=m?.nC

技术对比情况：相当

价格对比情况：低于

国外技术产品厂家及名称：英飞凌OptiMOS系列产品/安森美PowerTrench系列产品

核心电子元器件华润（集团）有限公司

4.V~1V沟槽栅FSIGBT及配套FRD

V~1V沟槽栅FSIGBT(绝缘栅双极晶体管）器件结合了MOSFET(金属氧化物场效应功率晶体管)和BJT(双极晶体管)的优势，具有工作频率高、功率密度大、导通压降低、热稳定性好，同时兼备输入阻抗高，驱动简单等优点。经过长期技术研发和产品应用积累，V、1V分立器件IGBT产品已经完成系列化，电流分布从5A到75A。并广泛推广到UPS、光伏逆变、变频器、电机驱动、电源、电焊机、电磁加热等领域。1．VBR(CES)（V）—正向阻断能力（耐压）：1V2．VGE(th)(V)—阈值电压：5.5V3．VCEsat(V)—正向导通压降：1.9V

技术对比情况：相当

价格对比情况：低于

国外技术产品厂家及名称：上海赛治:FC-AEMC芯片

核心电子元器件华润（集团）有限公司

5.硅基高速光耦系列产品

硅基高速光耦，是高端光电耦合器件，用于输入与输出间互相隔离，具有良好的电绝缘能力和抗干扰能力，还有很强的共模抑制能力，广泛用于电气绝缘、电平转换、级间耦合、通信设备及微机接口中；光耦合器中的核心的器件是光接收芯片。华润微电子具备从K～15Mbd的系列高速光耦芯片，性能优越，是国产光耦类产品的领军者。

1．tPHL—高到低电平传输延迟：30ns

2．tPLH—低到高电平传输延迟：40ns

3．PWD—脉宽失真：15ns

技术对比情况：相当价格对比情况：低于国外技术产品厂家及名称：Broad

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