近年来，人们对"高效化"、"小型化"的要求日益提高。但是，当今主流的以Si为材料的功率器件已接近物理上的极限值，难以进一步改善。在这种背景下，人们对宽禁带半导体(SiC/GaN等)的期待越来越大。英飞凌是唯一一家同时提供硅(Si)、碳化硅(SiC)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)和氮化镓(GaN)器件的公司，并拥有独特的市场地位。与硅之类的传统半导体材料相比，本文介绍的氮化镓(GaN)也是宽禁带半导体，可以在更高的电压、频率以及温度条件下工作。

一、英飞凌CoolGaN的特点

击穿场强提高10倍

2倍的电子迁移率

栅极电荷Qg为1/10

输出电荷Qoss为1/10

反向恢复电荷Qrr为0※1

卧式结构

※1Qoss除外

二、SiC和GaN的价值定位

现在备受

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