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株洲中车公司提出的该4H-SiCP型IGBT的制备方法具有广阔的应用前景，尤其是在第三代半导体产业契机到来之际，各个本土企业的创新定加速我国科技创新发展。

文｜嘉德IPR

校对｜holly

图源｜网络

株洲中车公司提出的该4H-SiCP型IGBT的制备方法具有广阔的应用前景，尤其是在第三代半导体产业契机到来之际，各个本土企业的创新定加速我国科技创新发展。集微网消息，以SiC为代表的第三代半导体在照明产业、光伏电源、电力电子、微波射频等方面具有广泛应用。另外，由于SiC材料具有更大的禁带宽度、临界击穿电场以及更高的热导率，更适合制造高压大功率半导体器件。在大于10kV的高压应用领域中，碳化硅绝缘栅双极型晶体管(SiCIGBT)一直被认为具有较大的发展潜力和应用前景，另外由于生产低电阻率P+衬底N-外延SiC晶圆片的技术问题，4H-SiCP型IGBT逐步受到学术界的广泛

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