在半导体三极管的世界里，我们遇到了双极型三极管，它们因具有两种极性的载流子而得名。然而，还有另一类三极管，它们仅由一种载流子导电，因此被称为单极型三极管。这类三极管利用电场效应来调控电流，因此又被称为场效应三极管（FET），简称场效应管。场效应管可分为两大类：结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOSFET）。若你在某宝平台搜索“场效应管”，结果中大部分显示的是绝缘栅场效应管。在某宝平台进行搜索时，即使输入“结型场效应管”，也仅能发现有限的几种产品。这不禁让人产生疑问，难道结型场效应管已经逐渐被淘汰，被人类遗忘了吗？事实上，JFET（结型场效应管）在现实中的应用确实相对较少，即便向百度寻求答案，也似乎难以找到明确的解释。欢迎了解原因的朋友们留言探讨，为何结型场效应管在实际应用中相对较少使用？接下来，我们将跳过对JFET的深入探讨，转向更实用的内容，即绝缘栅场效应管的基础知识。

绝缘栅场效应管，其全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管。这种场效应管的栅极通过绝缘层与沟道隔离，因此得名绝缘栅场效应管，英文简称MOSFET，通常简称为MOS管。MOSFET的输入电阻极高，可达09Ω以上。在导电沟道方面，它可分为N沟道和P沟道两大类，每类又包含增强型和耗尽型两种。N沟道MOS管常简写为NMOS，而P沟道MOS管则简写为PMOS。

▲MOS管种类与结构

MOS管具有三个引脚：栅极G、漏极D和源极S。在MOS管的内部结构中，衬底通常与源极S连接。此外，漏极D和源极S之间通常会存在一个寄生二极管。因此，在电路图中，我们经常看到的MOS管符号通常是这样描绘的。

▲MOS管符号与使用

细心观察的朋友或许已发现，在MOS管的符号中，无论是N沟道还是P沟道，寄生二极管的方向总是与箭头的指向保持一致。

在实际应用中，N沟道增强型MOS管和P沟道增强型MOS管是更为常用的选择，而耗尽型MOS管则相对较少使用。

那么，我们如何利用MOS管来构建电子开关，例如驱动LED呢？接下来，我们将通过几个图示来探讨这一问题。

▲MOS管在电子开关中的应用

通常，MOS管的导通并不需要外部电流，只需在栅源极间施加一定的电压即可实现。对于N沟道增强型MOS管，当其栅源电压UGS超过某个特定值时，即达到开启电压UGS(th)（通常介于24V之间），该管便会导通。这一特性使得MOS管成为电子开关的理想选择。对于P沟道增强型的MOS管，其导通条件与N沟道增强型MOS管有所不同。当P沟道增强型MOS管的栅源电压UGS小于某个特定值时，即达到其开启电压UGS(th)（通常介于-24V之间），该管便会开始导通。这一特性使得P沟道增强型MOS管在电子开关领域也具有一定的应用价值。若栅源电压UGS无法达到特定电压值，则MOS管将无法导通，这进一步证实了MOS管作为电压控制型元件的特性。或许有人会问，电路图中的电阻Rgs究竟扮演着何种角色？在MOS管的内部构造中，G极与D极、S极之间通过一层绝缘的二氧化硅层进行隔离，这一结构类似于一个电容器。这些寄生电容的存在是不可避免的，其大小受到MOS管的结构、材料以及所加电压的影响。为了进一步探究，我们可以考虑一个简单的电路实验。假设图中的电路缺少了电阻Rgs，那么电路将如何变化呢？接下来，我们将通过图来展开这个小小的实验。当电路中缺少电阻Rgs时，若在G极施加5V的控制信号，这相当于对寄生电容Cgs进行充电。即便随后撤去G极上的控制电压，由于电容Cgs上仍存有电压，因此MOS管将保持导通状态。当G极和S极之间存在电阻Rgs时，一旦从G极撤去5V的控制信号，电阻Rgs就能释放寄生电容Cgs上的残留电压，从而使得MOS管进入截止状态。因此，在电路中加入电阻Rgs，能够及时释放电容电压，从而提高电路的稳定性，防止在G极无控制信号时出现误操作。此外，MOS管还具备高输入阻抗、快速开关速度、出色的热稳定性以及电压控制电流等特性，使其在电路中适用于放大器、电子开关等多种应用。关于MOS管的更多知识，我们将在后续的讨论中继续探索。

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