MOS管全称金属—氧化物—半导体场效应晶体管或称金属—绝缘体—半导体场效应晶体管，英文名metaloxidesemiconductor，属于场效应管中的绝缘栅型，因此，MOS管有时候又称为绝缘栅场效应管。

MOS管这个器件有两个电极，分别是漏极D和源极S，无论是图一的N型还是图二的P型都是一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+/P+区，并用金属铝引出漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的N/P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。这就构成了一个N/P沟道（NPN型）增强型MOS管。

MOS管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好；制造工艺简单、辐射强，因而通常被用于放大电路或开关电路。

MOS系列，现有TrenchMOSFET/SGTMOSFET/SuperJunctionMOSFET三大类产品线、数百种型号，累计获得国家发明专利18项，尤其是锐骏独创的TO-内绝缘封装技术，彻底解决了终端客户在散热和装配上的技术难点。

MOSFET的封装形式：

以下是几款经典的MOS型号和应用领域介绍：

一，应用领域:锂电池保护

1节RUG3串、4串、5串规格

RUOL/RUL/RU

10串以下保护板供电

RUR/RUR/RUR/RUR/RUR

用于13串，16串锂电池保护板

RUR/RU75NO8R/RUR

用于10串、13串锂电供电控制板

RU75NO8R/RUR/RUOR/RUR

二产品应用领域-服务器、矿机电源

RUR/R3/RUR/RU0L;

RU0L/RUHM

三应用领域:太阳能控制器

RUOL、RUHL

RUL、RUL.RUL

RUL

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