功率半导体是电子装置电能转换与电路控制的核心，本质上，是通过利用半导体的单向导电性实现电源开关和电力转换的功能。无论是水电、核电、火电还是风电，甚至各种电池提供的化学电能，大部分均无法直接使用，75%以上的电能应用需由功率半导体器件进行功率变换以后才能供设备使用。

模拟IC中的电源管理IC与分立器件中的功率器件功能相似，二者经常集成在一颗芯片中，因此功率半导体包括功率IC和功率器件。功率半导体的具体用途是变频、变相、变压、逆变、整流、增幅、开关等，相关产品具有节能的作用，被广泛应用于汽车、通信、消费电子和工业领域。在汽车中，汽车蓄电池的输入电压在12V-36V，而民用电电压为V，将民用电电压转换至输入电压的过程叫做变压。蓄电池的输入电流一般是直流电，将交流电转换为直流电的过程叫做整流。汽车运行时，蓄电池持续输出直流电，而汽车的各个模块需要使用交流电，交流电转换为直流电的过程叫做逆变。汽车蓄电池输出的电压很低，无法满足各个模块的需求，将低电压转换成高电压的过程叫做增幅。电动汽车的马达使用的电流是三相电。首先，蓄电池输出的直流电经过逆变后成为单向交流电，将单向交流电变为三相电的过程叫做变相。

功率半导体主要分为功率器件、功率IC。其中功率器件经历了近70年的发展历程：20世纪40年代，功率器件以二极管为主，主要产品是肖特基二极管、快恢复二极管等；晶闸管出现于年，兴盛于六七十年代；近20年来各个领域对功率器件的电压和频率要求越来越严格，MOSFET和IGBT逐渐成为主流，多个IGBT可以集成为IPM模块，用于大电流和大电压的环境。功率IC是由功率半导体与驱动电路、电源管理芯片等集成而来的模块，主要应用在小电流和低电压的环境。

根据功率半导体的可控性可以将功率半导体分为三类，第一类是不可控型功率器件，主要是功率二极管。功率二极管一般为两端器件，其中一端为阴极，另一端为阳极，二极管的开关操作完全取决于施加在阴极和阳极的电压，正向导通，反向阻断，电流的方向也是单向的，只能正向通过。二极管的开通和关断都不能通过器件本身进行控制，因此将这类器件称为不可控器件。

第二类是半控型功率器件，半控型器件主要是晶闸管（SCR）及其派生器件，如双向晶闸管、逆导晶闸管等。这类器件一般是三段器件，除阳极和阴极外，还增加了一个控制用门极。半控型器件也具有单向导电性，其开通不仅需在阳极和阴极间施加正向电压，还必须在门极和阴极间输入正向可控功率。这类器件一旦开通就无法通过门极控制关断，只能从外部改变加在阳、阴极间的电压极性或强制阳极电流变为零。这类器件的开通可控而关断不可控，因此被称之为半控型器件。

第三类是是全控型器件，以IGBT和MOSFET等器件为主。这类器件也是带有控制端的三端器件，其控制端不仅可以控制开通，也能控制关断，因此称之为全控型器件。

根据驱动形式的不同，我们将功率半导体分为三类，第一类是电流驱动型，第二类是电压驱动型，第三类是光驱动型。

电流驱动型器件有SCR、BJT、GTO等，这类器件必须有足够的驱动电流才能使器件导通或者关断，本质上是通过极电流来控制器件。GTO和SCR一般通过脉冲电流控制，BJT则需要通过持续的电流控制。

电压控制型电路主要是IGBT和MOSFET等，这类器件的导通和关断只需要特定的电压和很小的驱动电流，因此器件的驱动功率很小，驱动电路比较简单。

光控型器件一般是专门制造的功率半导体器件，如光控晶闸管。这类器件的开关行为通过光纤和专用光发射器来控制，不依赖电流或者电压驱动。

从下游应用市场结构来看，年功率半导体下游主要是功率IC，占比54.30%，其次分别是MOSFET以及功率二极管/整流桥，占比分别为16.40%和14.80%。IGBT位列第四，占比12.40%。

二极管是最简单的功率器件，由P极和N极形成PN结结构，电流只能从P极流向N极。二极管由电流驱动，无法自主控制通断，电流单向只能通过。二极管的作用有整流电路、检波电路、稳压电路和各种调制电路。二极管承受的电压和电流较低（锗管导通电压为0.3V，硅管为0.7V），电流一般不超过几十毫安，电压和电流过高会导致二极管被击穿。常见的二极管有肖特基二极管、快恢复二极管、TVS二极管等。

二极管市场规模：整流器由二极管与一些金属堆叠而成，二者在功能上相似。根据Yole的数据，年全球二极管及整流器市场规模为39.93亿美元，占功率器件市场规模的23.99%。

金属-氧化物半导体场效应晶体管，可广泛运用于数字电路和模拟电路。MOSFET由P极、N极、G栅极、S源极和D漏级组成。金属栅极与N极、P极之间有一层二氧化硅绝缘层，电阻非常高。不断增加G与S间的电压至特定程度，绝缘层电阻减小，形成导电沟道，从而控制漏极电流。因此MOSFET是通过电压来控制导通，在G与S间施加特定电压即可导通，不施加电压则关断，器件通断完全可控。MOSFET的优点是开关速度很高，通常在几十纳秒至几百纳秒，开关损耗很小，通常用于开关电源，缺点是在高压环境下压降很高，随着电压上升电阻变大，传导损耗很高。

MOSFET工作原理：MOSFET本质上是一个开关，开关的导通和关断完全可控。通过脉宽调制，MOSFET可以完成变频等功能。假设一个器件前1秒输入电压为V，后1秒MOSFET关断，这2秒内相当于持续输入50V的等效电压，这就是脉宽调制的原理。通过控制MOSFET导通关断可以改变电压和频率。

MOSFET是功率器件最大市场。MOSFET在功率器件中占比最高，Yole数据显示，年全球MOSFET市场规模为68.54亿美元，占功率器件市场的41.18%。MOSFET的优点在于稳定性好，适用于AC/DC开关电源、DC/DC转换器，因此MOSFET通常用于计算机、消费电子、汽车和工业等领域。MEMS预测到年MOSFET下游应用中，汽车占比为22%，计算机及存储占比为19%，工业占比为14%。

绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合式半导体。IGBT兼具MOS和BJT的优点，导通原理与MOSFET类似，都是通过电压驱动进行导通。IGBT在克服了MOSFET缺点，拥有高输入阻抗和低导通压降的特点，在高压环境下传导损耗较小。IGBT是电机驱动的核心，广泛应用与逆变器、变频器等，在UPS、开关电源、电车、交流电机等领域，逐步替代GTO、GTR等产品。IGBT的应用范围一般都在耐压V以上，电流10A以上，频率1KHz以上的区域。IGBT固有结构导致其作为高频开关时损耗较大，IGBT工作频率通常为40-50KHz。IGBT的导通与阻断都受电压控制，可以双向导通。

IGBT应用：IGBT的应用领域非常广泛，小到家电、数码产品，大到航空航天、高铁等领域，新能源汽车、智能电网等新兴应用也会大量使用IGBT。按电压需求分类，消费类电子应用的IGBT电压通常在V以下，太阳能逆变器需要V的低损耗IGBT，动车使用的IGBT电压在V至V之间，智能电网应用的IGBT通常为V。

IGBT分为IGBT芯片和IGBT模块，其中IGBT模块是由IGBT芯片封装而来，具有参数优秀、最高电压高、引线电感小的特点，是IGBT最常见的应用形式，IGBT模块常用于大电流和大电压环境。根据ASMC数据，年全球IGBT市场规模52.54亿美元，占功率器件市场规模的30.10%。其中IGBT芯片市场规模为12.31亿美元，占比23.43%，IGBT模块市场规模为40.23亿美元，占比76.57%。

功率IC：功率器件与其他元器件集成，用于小电流环境

功率IC通常由功率器件、电源管理芯片和驱动电路集成而来，能承受的电流比较小，能承受大电流的模块一般是IGBT集成形成的IPM模块。功率IC可以分为以下五大类：线性稳压器、开关稳压器、电压基准、开关IC和其他功率IC。

线性稳压器：传统线性稳压器、LDO稳压器；

开关稳压器：AC-DC开关稳压器、DC-DC开关稳压器、隔离开关控制器、非隔离开关控制器；

开关IC：电压监控器、定序器、开关、热插拔控制器、以太网电源控制器；

电压基准：缓冲放大器、交流放大器；

其他功率管理IC：以太网供电控制器、功率因数校正控制器、多通道电源管理IC、多芯片功率级、单芯片功率级、热插拔控制器和其他电源管理IC。

功率半导体的应用领域非常广泛，根据Yole数据，年全球功率半导体市场规模为亿美元，预计到年达到亿美元，复合增长率为3.79%。其中，汽车、工业和消费电子是功率半导体的前三大终端市场。根据智研咨询的数据，年汽车领域占全球功率半导体市场的35.40%，工业领域占比为26.80%，消费电子占比为13.20%。随着对节能减排的需求日益迫切，功率半导体的应用领域从传统的工业领域和4C领域逐步进入新能源、智能电网、轨道交通、变频家电等市场。

作为功率半导体的重要分支，受益于工业、电网、新能源汽车和消费电子领域新兴应用不断出现，功率器件市场规模不断增长。根据Yole数据，年全球功率器件市场规模为亿美元，预计到年全球功率器件市场或达亿美元，-年CAGR为4.28%。

汽车中使用最多的半导体分别是传感器、MCU和功率半导体。其中MCU占比最高，其次是功率半导体，功率半导体主要运用在动力控制系统、照明系统、燃油喷射、底盘安全系统中。传统汽车中，功率半导体主要应用于启动、发电和安全领域，新能源汽车普遍采用高压电路，当电池输出高压时，需要频繁进行电压变化，对电压转换电路需求提升，此外还需要大量的DC-AC逆变器、变压器、换流器等，这些对IGBT、MOSFET、二极管等半导体器件的需求量很大。汽车电机控制系统中需要使用数十个IGBT，以特斯拉ModelX为例，特斯拉后三相交流异步电机每相要用到28个IGBT，总共使用84个IGBT，加上电机其他部位的IGBT，ModelX后电机共使用96个IGBT，前电机使用36个IGBT，ModelX共使用个IGBT。按照每个IGBT4-5美元的价格计算，双电机IGBT价格约美元，如果使用IGBT模块则约为美元。

功率半导体为电动汽车成本最主要组成部分，成本占比过半。电动汽车将新增大量与电池能源转换相关的功率半导体器件，功率半导体应用大幅上升。根据麦肯锡统计数据，纯电动汽车的半导体成本为美元，比传统汽车美元高出近1倍，其中功率半导体的成本为美元，占总成本的55%。

全球来看，新能源汽车出货量从年的54.66万辆增至年的.17万辆，CAGR超40%，国内来看，新能源汽车出货量从年的33.10万辆增至年的.60万辆，CAGR为38.16%。受全球碳中和、特斯拉产业链带来的鲶鱼效应，叠加国内外补贴等政策催化助推新能源汽车产业链发展驱动，EVTank预测年全球新能源汽车销量或达5万辆，-年CAGR达33.42%，国内来看，IDC预测年我国新能源汽车销量或超万辆，-年CAGR为36.11%，我国为新能源汽车第一大消费国，出货量占全球比例稳定在45%以上。

中国产业信息网数据显示，全球功率半导体市场规模年为90亿美元，预计年或达亿美元，CAGR为8.61%。国内来看，以45%的全球占比计，年国内车用功率半导体市场规模或超60亿美元。

新能源汽车充电桩分为直流IGBT充电桩和交流MOSFET充电桩，直流充电桩的优点在于充电速度快，缺点是价格高昂。直流充电桩的成本约美元，交流充电桩的成本约美元，其中IGBT等功率器件占总成本的20%左右。目前直流充电桩按3:1配置，交流充电桩按5:1配置，据此我们测算全球年直流充电桩需求或达万个，交流充电桩需求或达万个，年全球充电桩市场对功率半导体的需求为40.49亿美元。国内来看，年直流和交流充电桩需求分别为和万个，国内充电桩市场对功率半导体的需求为18.22亿美元。

5G基站进入大规模建设期，通信领域功率半导体市场规模年或达亿美元。中国产业信息网预测，未来五年为我国5G基站建设高峰期，共计新增5G基站万站。受益于5G景气需求，通信设备市场规模不断提升，功率半导体需求不断增加，中商产业研究院预测，全球通信功率半导体市场规模将由年的57.45亿美元增长至年的65.96亿美元，CAGR为4.71%，5G基站升级是通信功率半导体市场最重要的推动力。

数控机床、牵引机等电机对功率半导体需求很大，主要使用的功率半导体是IGBT。随着《中国制造》和“工业4.0”不断推进，工业的生产制造、仓储、物流等流程改造对电机需求不断扩大，工业功率半导体需求增加。根据中商产业研究院的数据，年全球工业功率半导体的市场规模为90亿美元，受益于工业技术的进步，年全球工业功率半导体的市场规模将达到亿美元，CAGR为8.56%。

智能电网发电过程中使用大量的逆变器和整流器，以IGBT为核心的功率半导体应用广泛。光伏电网需要使用大量的光伏二极管，按常规配置，1MW的光伏组件约需太阳接线盒只，每只太阳接线盒平均需要5只光伏二极管，1MW的光伏组件共需要2只光伏二极管。同时，用电过程也需要使用变压器对电压进行转换，变压器的核心器件也是IGBT，智能电网对功率半导体需求非常大。配套的智能电表也需要使用功率半导体，智能电表需要使用二极管和桥式整流器来实现电路数据处理，一般情况下需要使用1-2只整流器，9-13只二极管。产业信息研究院预测，年风电和光伏对应功率半导体市场规模或达27.54亿美元，-年CAGR为18.38%。

以英飞凌、安森美等企业为代表的龙头厂商均为IDM模式，拥有完整的晶圆厂、芯片制造厂和封装厂，对成本和质量控制能力很强，以高端产品为主，实力强劲。中国大陆的厂商IDM和Fabless模式兼有，产品以晶闸管、二极管等分立器件和低压MOSFET为主，与欧美日厂商存在较大差距，以斯达半导为代表的厂商日渐崛起，逐步赶超欧美日龙头厂商；以茂达、富鼎电子等为代表的的中国台湾厂商以Fabless模式为主，主要负责芯片制造和封装。

功率半导体行业集中度较高，欧美厂商占据第一梯队，国产厂商日渐崛起。英飞凌和Omdia数据显示，年全球功率器件/MOSFET/IGBT芯片/IGBT模块CR10分别为58.30%/78.20%/84.4%/81.1%。其中英飞凌是全球最大的功率半导体厂商，功率器件市场份额为19%，MOS产品市场份额约25%，IGBT产品市场份额超30%。功率半导体厂商以欧美日为主，中国厂商起步较晚，技术积累与欧美日厂商差距较大。目前功率半导体厂商可以分为三个梯队，第一梯队是英飞凌、安森美等欧美厂商为主，第二梯队以三菱电机、富士电机等日本厂商为主，第三梯队以斯达半导、捷捷微电、新洁能、闻泰科技（安世半导体）等中国厂商为主。

功率半导体呈供需严重不匹配的格局。从供给端来看，大陆厂商市场份额约10%。欧美日厂商占据全球功率半导体70%的市场份额，在IGBT和中高压MOSFET细分领域市场份额超八成。大陆以二极管、低压MOSFET、晶闸管等低端功率半导体为主，目前实力较弱，占据全球10%的市场份额。

从需求端来看，中国是全球最大的功率器件市场，占据全球39%市场份额。根据IDC数据，中国功率半导体市场空间占全球比例为39%，居第一位；其次是日本，占比18%，欧洲和美国分列三四位，占比分别为17%和8%，其他地区占比18%。

二极管市场集中度低。二极管是最早出现的功率半导体，第一代二极管距今已经有多年的历史。与其他功率半导体相比，二极管的技术壁垒较低，市场上二极管厂商数量众多。前5大厂商中，Vishay市场占比约11%，其他厂商市场占比在5%-8%之间，二极管市场相对分散，市场集中度较低。

二极管制造已经非常成熟，技术门槛比较低，注重生产成本和质量的控制。我国二极管生产企业大多是IDM模式，对质量控制比较严格，加上劳动力成本较低，二极管厂商具有较强的竞争力。国外厂商产能下降，国内厂商有望进一步扩大市场份额，进口替代空间广阔。自年起，我国二极管的出口数量已经超过进口数量，有望率先实现国产替代。

大陆厂商MOSFET市占率较低，国产替代空间广阔。中国产业信息网数据显示，我国MOSFET市场规模年为.70亿元，欧美厂商占据绝大多数市场份额，市场集中度较高：英飞凌在国内市场份额为28.50%，排名第一，安森美以17.10%市场份额位列第二，排名前五的均为老牌欧美日大厂，CR5为65%。安世半导体国内市场份额为3.90%，位列第八，士兰微以1.90%市场份额位列第十，安世半导体与士兰微市场份额合计为5.80%，国产替代空间广阔。

中低压市场国产替代正当时，高压市场取得突破。瑞萨电子曾是全球中低压MOSFET龙头厂商，年瑞萨率先退出中低压MOSFET领域，其他厂商也纷纷开始向毛利率较高的高压MOSFET领域转型。中国是全球最大的消费电子生产国，对中低压MOSFET需求较大，目前以捷捷微电、新洁能等为代表的国产厂商日益崛起，有望承接中低压MOSFET领域的市场份额，实现国产替代；高压领域，华润微、新洁能等国产企业取得突破，高压MOSFET产品相继量产并贡献利润，未来发展可期。

IGBT功率器件主要玩家为英飞凌、富士电机、安森美等欧美日大厂，集中度较高。英飞凌是全球最大的IGBT器件厂商，年英飞凌市占率为32.50%，CR5为63.90%，市场集中度很高。从产品来看，英飞凌、安森美等厂商在V以下的中低电压IGBT领域处于领导地位，三菱则主宰了V以上的高电压IGBT领域。

中国坐拥全球最大IGBT市场，自给率逐年提升仍存在较大提升空间。斯达半导为国内IGBT龙头，IHS的数据显示，年斯达半导在IGBT市场占比为2.00%。中国中车生产的全系列高可靠性IGBT产品打破了轨道交通核心器件和特高压输电工程关键器件由国外企业垄断的局面。根据高工锂电的数据，年我国IGBT市场规模为亿元，按当年美元汇率折算，市场规模为22.20亿美元，占全球IGBT市场的40.96%。我国是全球最大的IGBT消费国，年国内IGBT行业产量为万只，市场需求为万只，自给率13.96%，整体来看，国内IGBT自给率从年的8.44%提升至年的13.96%，增速明显，但总体而言自给率仍较低，存在较大提升空间。

部分厂商有望在各自领域实现国产替代。中国IGBT厂商大多专注于某一领域的产品，斯达半导为国内IGBT龙头，产品主要用于电力和电机牵引，公司产品性能优异，专注于第六代IGBT研发与生产，有望在电力和电机牵引领域实现国产替代。中车时代专注于V以上IGBT研发生产，产品用于轨道交通领域。目前中车时代在V以上的IGBT领域市场规模排名第五，我国新出厂的高铁将全部使用国产IGBT，中车时代的IGBT已经出口到印度，我国高铁IGBT基本实现国产替代，中车时代已递交招股说明书，A股上市在即。比亚迪半导体专注于汽车IGBT领域，拥有IGBT全产业链。年公司推出IGBT4.0，产品部分性能已经达到国际领先水平，在新能源汽车IGBT领域有望打破国外厂商的垄断。

斯达半导（.SH）：国内IGBT龙头，投建车规级SiC模组成长可期

《国内IGBT龙头斯达半导》

IGBT领军企业，业绩快速增长。斯达半导是国内IGBT领军企业，拥有第六代Trench-FS技术，是国内为数不多能进入汽车功率半导体领域的厂商。根据IHS的数据，公司年IGBT模块市占率排名全球第八，中国第一，是国内IGBT领军企业。公司业绩增长迅速，-年，公司营收从3.01亿元增长至7.79亿元，CAGR为37.30%，归母净利润从0.12亿元增长至1.35亿元,CAGR为.78%。

投资建设车规级SiC模组项目，卡位第三代半导体赛道成长可期。公司积极布局第三代半导体赛道：公司H1与CREE合作开发的VSiC模块已经得到宇通客车认可，将被应用在宇通客车高效率电机控制系统中，预计在年开始装车；年12月公司发布公告，拟在嘉兴斯达半导体股份有限公司现有厂区内投资2.29亿元，用以投资建设年产8万颗车规级全碳化硅功率模组生产线和研发测试中心。我们认为公司此次投资建设车规级SiC模组生产线，有助于强化公司在第三代半导体的产业布局，卡位SiC功率模块景气赛道，公司深耕IGBT行业多年，具备较强的先发优势，车规级IGBT模块竞争优势明显，凭借积攒的终端渠道与客户资源，后续SiC推广有望加速，未来成长可期。

捷捷微电（.SZ）：国内晶闸管龙头，产品边界不断拓宽成长可期

《国内晶闸管龙头捷捷微电》

公司业绩持续增长。公司主营产品为各类电力电子器件和芯片，分别为：晶闸管器件和芯片、防护类器件和芯片、二极管器件和芯片、厚膜组件、晶体管器件和芯片、MOSFET器件和芯片、碳化硅器件等。-年公司业绩持续增长，公司营收从3.32亿元增长至6.74亿元，CAGR为26.62%，归母净利润从1.16亿元增长至1.90亿元,CAGR为17.43%。

进军车规级功率半导体封测产业，产品边界不断拓宽。公司晶闸管及防护器件等传统业务竞争优势明显，同时公司不断拓宽业务边界，打开新的利润增长空间：公司通过定增积极布局MOSFET、IGBT领域，新赛道空间广阔；公司拟发行可转债募投13.34亿元开启功率半导体“车规级”封测产业化项目，进入车规级功率半导体领域，持续推进我国汽车功率半导体国产化进程；此外，公司设立捷捷新材料，布局CMP抛光液、硅片切割金刚线等半导体材料领域，发掘产业链上游优质赛道。我们认为公司在研发、下游客户、成本管控等方面具备优势，叠加“新基建”和第三代半导体带来的下游需求支撑，公司将立足晶闸管等传统业务，延伸产业链上下游，入局MOSFET/IGBT、功率半导体“车规级”封测产业及CMP抛光液等半导体材料领域，引领功率器件国产化大潮实现崛起。

新洁能（.SH）：国内MOSFET领先企业，乘风而起快速成长

《中国半导体功率器件设计领军者新洁能》

公司业绩持续增长。新洁能是国内功率器件MOSFET产品系列最全、品种型号最丰富的企业之一，并逐步向IGBT拓展。-年公司业绩持续增长，公司营收从4.22亿元增长至7.73亿元，CAGR为22.36%，归母净利润从0.36亿元增长至0.98亿元,CAGR为39.63%。

技术/产品/客户优势三位一体，卡位功率器件先进赛道成长可期。公司集研发、生产、销售与一体，在技术方面公司实力强劲，已掌握了屏蔽栅功率MOSFET、超结功率MOSFET、IGBT等特色工艺技术，截至年1月，公司已拥有发明专利35项。在生产线方面，公司自建封测产线，同时与国际知名晶圆代工厂、封测厂稳定合作，产业链协作优势明显。在客户性方面，产品已获得富士康、宁德时代、飞利浦、三星等国内外多领域知名企业认证，车规认证亦在稳步推进。公司IPO募集资金主要投资于SiC宽禁带半导体功率器件研发及产业化、超低能耗高可靠性半导体功率器件研发升级及产业化、功率器件封测生产线建设等项目，SiC功率器件工作原理与公司现有的MOSFET、IGBT等硅基半导体功率器件基本一致，公司凭借深厚的技术积累，卡位功率器件先进赛道，有望借国产替代东风，实现快速崛起。

华润微（.SH）：年业绩预告亮眼，功率IDM龙头盈利加速释放

《国内功率半导体IDM龙头华润微》

公司业绩持续增长。公司作为国内功率半导体IDM龙头以及领先的晶圆代工企业，是目前国内少数能够提供-V至V范围内低、中、高压全系列MOSFET产品的企业，并具备V-VIGBT工艺能力。公司业绩从年开始回暖，Q3公司实现营收48.89亿元，同比增长18.32%，实现归母净利润6.87亿元同比增长.59%。

功率半导体IDM和晶圆代工双龙头，产品结构不断优化成长可期。华润微为国内功率器件IDM龙头，主要产品包括MOSFET、IGBT、SBD、FRD以及各类功率IC，下游广泛应用于消费、工控、新能源、汽车电子等领域，年公司MOSFET产品大陆市占率8.70%，仅次于英飞凌和安森美，是内地最大的MOSFET厂商。同时，公司兼有晶圆制造及封测业务，为国内第三大晶圆制造企业，拥有3条6英寸产线和2条8英寸产线，年合计6英寸产能万片/年，8英寸产能万片/年。公司不断加码研发，Q3研发投入3.71亿元（+8.03%），已切入海尔、美的、TCL、博世等各行业龙头客户的供应链。公司不断优化产品结构，IPO募投21亿元用于升级现有业务及布局第三代半导体业务，公司在H1已正式量产V/VSiC工业级肖特基二极管系列产品，预计今年将推出SiCMOS产品，此外，公司投资扩产12寸功率半导体生产线和封装产线，有利于进一步确立技术和产能优势。短期来看，公司有望受益于此轮涨价周期，增厚业绩；中长期来看，公司有望深度受益于中高端产品放量、下游景气需求以及国产替代大趋势，实现崛起。

立昂微（.SH）：内生外延并举，积极布局功率赛道成长可期

《国际半导体材料、分立器件与集成电路芯片的卓越供应商立昂微》

积极布局功率赛道，业绩稳定增长。立昂微是国内少有的具有硅材料及芯片制造能力的完整产业平台，主要产品横跨半导体硅材料（包括研磨片、抛光片、外延片等）及功率器件两大细分领域。功率器件业务营收占比稳定在三成以上，业绩增长迅速：-年公司营收从从6.70亿元增长至11.92亿元，CAGR为21.17%，归母净利润从0.66亿元增长至1.28亿元,CAGR为24.71%。

产业链一体化/技术研发/产品/客户优势共筑强大竞争壁垒，短中长期成长逻辑清晰。公司产品性能优异，竞争力强，功率产品方面目前已切入安森美等国外知名企业供应链，同时已顺利通过诸如Bosch、Continental等国际一流汽车电子客户认证。我们认为公司成长路径清晰，肖特基二极管芯片已具备较强竞争力，公司有望在下游景气需求及半导体产业链自主可控的大背景下实现快速崛起。

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本文来源于国海证券《行业需求风起云涌，功率半导体国产替代正当时》

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