一、概述

MOSFET全称为金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种广泛应用于模拟电路与数字电路的场效晶体管，用于将输入电压的变化转化为输出电流的变化，可实现开关和信号放大等功能，与双极型晶体管（也称BJT、三极管）和绝缘栅双极晶体管（也称IGBT）同属于晶体管领域。MOSFET具有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好等特性，应用于包括通信、消费电子、汽车电子、工业控制在内的众多领域。

MOSFET应用领域

数据来源：中国半导体器件行业现状深度分析与未来投资预测报告（-年）

根据观研报告网发布的《中国半导体器件行业现状深度分析与未来投资预测报告（-年）》显示，在技术方面，MOSFET、BJT和IGBT同属于功率器件大类下的晶体管产品。与BJT相比，MOSFET可在低电流和低电压条件下工作，也可用于大电流开关电路和高频高速电路。同时，MOSFET具有易于驱动、输入阻抗高、开关速度快、导通内阻小等特点，结构较BJT更为复杂，灵活性较BJT更优。

BJT、MOSFET及IGBT的技术特性对比

数据来源：中国半导体器件行业现状深度分析与未来投资预测报告（-年）

二、发展现状

近年来，全球MOSFET行业市场规模保持稳定扩张，市场前景广阔。根据数据，年全球MOSFET市场规模为.2亿美元，预计年将增长至.5亿美元，-年复合增长率达7.4%。

数据来源：中国半导体器件行业现状深度分析与未来投资预测报告（-年）

在中国市场，我国MOSFET行业市场规模也保持稳定扩张趋势，且增速高于全球市场增速。根据数据显示，年中国MOSFET市场规模约为46.6亿美元，占全球市场的41%，预计年将增长至64.7亿美元，-年复合增长率为8.5%。

数据来源：中国半导体器件行业现状深度分析与未来投资预测报告（-年）

具体从细分市场进行分析，根据工作电压划分，以V为分界，MOSFET可分为高压MOSFET和中低压MOSFET；根据器件结构划分，MOSFET可分为平面MOSFET、沟槽型MOSFET、超结MOSFET等。

三类MOSFET器件特性对比

数据来源：中国半导体器件行业现状深度分析与未来投资预测报告（-年）

在国产化率方面，根据数据，年我国中低压平面（V以下）MOSFET的国产化率约为42.2%，高压平面MOSFET的国产化率约为29.9%，超高压平面MOSFET的国产化率约为18.2%。由此可见，我国高压MOSFET的国产化率低于中低压产品。

对细分市场的市场前景进行分析，MOSFET行业细分产品可以应用于消费电子、工业控制等领域。以智能家居为例，根据StrategyAnalytics相关资料，拥有一件以上智能家居产品的家庭比例在年达到15%，预计年将接近20%，而市场规模将从年的亿美元增长至年的亿美元，市场前景广阔。

再以工业控制领域代表性应用产品逆变器为例，年全球光伏逆变器市场规模为.8亿美元，预计年将超过亿美元，根据当前6%的功率器件成本占比计算，光伏逆变器中使用的功率器件市场规模超过亿元，市场前景广阔。

而超结MOSFET下游应用市场主要受新能源汽车带动，以其新能源充电桩为例，根据中国电动汽车充电基础设施促进联盟数据，年中国新能源充电桩市场规模达.7亿元，预计年将达到.2亿元，这将产生大量超结MOSFET需求，具有广阔的市场前景。

综上所述，我国MOSFET行业细分市场规模将继续保持增长，其下游应用领域均有广阔的市场前景。

三、竞争格局

目前，英飞凌、安森美、意法半导体、东芝、瑞萨等国际先头品牌凭借着先进制造优势、人才集聚优势、大规模研发投入和技术积累，占据全球MOSFET市场的主要份额。根据Omdia数据，以销售额计，年全球MOSFET行业CR7达到68.09%，市场竞争格局相对稳定，而我国MOSFET行业生产企业市场份额CR3仅占10.26%，华润微、士兰微分别位列第八位和第十位，安世半导体（已被闻泰科技收购）位列第九位。这说明，经过多年发展，我国国产企业已在国际竞争中崭露头角，但与国外企业相比仍然具有一定的差距。

数据来源：中国半导体器件行业现状深度分析与未来投资预测报告（-年）

具体来看，根据Omdia数据，年英飞凌和安森美分别占据了中国MOSFET市场产品销售额的24.87%和16.53%，国产最大的MOSFET企业—华润微，市场占有率约为9%，排名第三。

数据来源：中国半导体器件行业现状深度分析与未来投资预测报告（-年）

不过，随着政府的政策引导及资金扶持，我国MOSFET行业蓬勃发展，国产企业资本支出和研发投入持续提升，并且涌现出华润微、士兰微、华微电子、新洁能、东微半导等一批厂商，与外资头部企业进行市场竞争，这也进一步说明我国MOSFET国产品牌与国外品牌的技术差距正在缩小。