绝缘栅

模拟电子技术场效应管

发布时间:2023/6/19 20:01:25   
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1-4场效应管

晶体三极管靠分配电流,且双极性多子少子都导电,受温度影响大;而场效应管靠电场效应,几乎没电流,就几乎没功率付出,且只有多子参与导电,温度稳定性好。

1.4.2绝缘栅型场效应管(MOS)

一、N沟道增强型MOS管

没有天生沟道,沟道是断的,通过增强形成沟道

1、结构:s源极,g栅极,d漏极,B

2、工作原理

时的某一值时,对的影响

(1)uDS=0,uGS0(产生由上向下的电场,上方空穴在电场作用下下移,上部就形成耗尽层,下方自由电子上移,形成沟道。并且随增大,沟道变宽,ds导电性增强,电阻Rds越小,由此可形成压控电阻)

(2)uGSuGS(th),形成沟道,不绝缘了,有电流

(3)再保持uGS不变,令uDS≠0,且逐渐增大。刚开始,随uDS增大iD增大;当uDS大到一定程度时,沟道左右两侧电压差不相等了,左侧依然为uGS,但右侧变为uGS-uDS,此时沟道变为不均匀的,但电阻Rds不变;当uDS增大到uGS-uDS=uGS(th)时,产生预夹断,右侧沟道缩小为缝隙;随uDS再增大,缝隙越来越长,即电阻Rds越大,但此时iD几乎不变了,达到恒流,恒流的大小只受uGS影响,uGS越大,电阻越小,在uDS相同状态下,id越大。

3、特性曲线

(1)转移特性曲线:恒流区时,即uDS足够大,uGS对iD的控制

(2)输出特性曲线:

4、参数

(1)直流参数:uGS(th),uGS(off),iDSS

(2)交流参数:

Ⅰ.跨导(低频):

Ⅱ.极间电容:若高频,电容就导通了

(3)极限参数

二、N沟道耗尽型MOS管

天生有沟道

1、工作原理:

直接加uDS。加正向电压时,沟道变大;加反向电压时,沟道变小。uDSuDS(off)时,截止。

1.4.1结型场效应管

有天生沟道

原理:

1、uDS=0时对沟道的控制作用:uGS加反向电压,耗尽层变宽,因此沟道变窄

2、uGS(off)uGS0且uDS0的情况:上部PN结变厚



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