系统概述：

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

由于IGBT的优点，现在已经被广泛应用到电动汽车、电力电子、智能电网等等很多领域，因此掌握不同型号的IGBT参数特性对于任何一个科研人员和使用人员都显得尤为重要，而静态特性更是最基本的IGBT特性表征。

IGBT的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。转移特性是指输出漏极电流Id与栅源电压Ugs之间的关系曲线。开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。

测量IGBT静态参数的主要难点在于需要提供几千甚至到一万伏的高电压，超大的电流以及能够承载如此高电压及电流的夹具，而和创科技的IGBT静态参数测试系统完美的解决了这些问题。和创科技的IGBT静态参数测试系统主要包括BA功率器件分析仪及模块，高压大电流探针台和定制夹具。

系统结构及原理：

IGBT静态参数测试系统中BA功率器件分析仪主要负责提供电压（最大10KV）或者电流（最大A脉冲）及测量，通过附件特殊线缆连接至和创探针台（或和创定制夹具）上，IGBT器件固定于探针台，由探针实施对IGBT器件的连接，在探针台外侧的高压屏蔽箱保护测试安全。

BA的UHVU模块支持高达10kV的电压输出，满足大部分IGBT集电极发射极击穿电压测试。UHCU模块支持A的集电极电流输出，可以表征IGBT的传输特性Ic。

系统特点：

超高电压及超高电流输出，最大可达10KV及A

满足IGBT全静态参数测试

可执行封装好及未封装好的IGBT静态参数测试

测试速度快

测试可重复性高

安全性能好

软件截图：

Figure3：导通特性

Figure4：击穿特性