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微碧推出几款新型MOS型产品将在今年的深圳慕尼黑华南电子展会亮相！展会将于年10月0日至11月1日在深圳国际会展中心（宝安新馆）举行，微碧半导体的展位号是1号馆1D1。
lSiCMOSFET
碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，相比于传统的硅（Si）具有耐高压、耐高频、耐高温等优势。首先，碳化硅（SiC）的击穿电压为硅（Si）的8-10倍，能够承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更好效率。其次，碳化硅（SiC）不存在电流拖尾现象，能够提高元件的开关速度，是硅（Si）开关速度的-10倍，从而适用于更高频率和更快的开关速度。最后，碳化硅（SiC）拥有非常高的导热率，相较硅（Si）来讲，能在更高的温度下工作。
特点
具有高温工作、高阻断电压、低损耗、开关速度快等优势
应用领域
主要集中在电力电子领域，包括光伏、新能源汽车、充电桩、风电、轨道交通等。
lSJMOSFET
SJMOSFET（超结MOSFET）：SJMOSFET是一种超结构MOSFET，英文名称叫SuperJunctionMOSFET。主要应用于高压（V-V）领域。为了解决额定电压提高而导通电阻增加的问题，超结结构MOSFET在D端和S端排列多个垂直pn结的结构，其结果是在保持高电压的同时实现了低导通电阻。
它的结构是在沟槽MOSFET的基础上加入了超结二极管，可以有效降低开关损耗和反向恢复时间，提高效率和可靠性。
特点
SJ-MOSFET具有传导损耗低、电流驱动能力大、栅极电荷低、开启电压低、开关速度快、百分之百的雪崩能量击穿测试等优点。
应用领域
适用于电机驱动系统、逆变器系统和电源管理系统等领域。
lIGBT
IGBT（绝缘栅双极型晶体管),IGBT具有BJT的输入特性和MOS管的输出特性。与BJT或MOS管相比，绝缘栅双极型晶体管IGBT优势在于它提供了比标准双极型晶体管更大的功率增益，以及更高工作电压和更低MOS管输入损耗。它主要应用于高压（V-V）领域。它的结构是在MOSFET的基础上加入了PN结，可以实现高电压和高电流的控制。
特点
具有低导通电阻、低开关损耗、高速开关和高可靠性等特点。
应用领域
适用于电动汽车、轨道交通、工业控制等领域的电机驱动系统、逆变器系统和电源管理系统。
IGBT
（IGBT结构图）
lSGTMOSFET
SGTMOSFET（屏蔽栅沟槽MOSFET）是一种新型的功率半导体器件，采用屏蔽栅沟槽技术制造的MOSFET减小了寄生电容和导通电阻，提升了芯片性能，并减小了芯片面积,可以实现低导通电阻和低开关损耗。
这项技术通过改变MOSFET内部电场的形态，将传统的三角形电场变为类似压缩的梯形电场，从而进一步减小EPI层的厚度，降低导通电阻Rds(on)。微碧的新一代中低压功率MOSFET产品已广泛采用SGT技术。包括VBGQT、VBGM、VBGL、VBGL、VBGE等型号都有应用该技术。
SGTMOSFET与传统的沟槽型MOSFET相比具有许多优势。SGT工艺挖掘深度比普通沟槽工艺深-5倍，通过在栅电极下方增加一块多晶硅电极，即屏蔽电极或耦合电极，实现了屏蔽栅极与漂移区的作用。这样一来，SGTMOSFET减小了米勒电容和栅电荷，提高了开关速度并降低了开关损耗。同时，SGTMOSFET减小了漂移区临界电场强度，降低了导通电阻，内阻比普通沟槽型MOSFET低2倍以上。
特点
具有低导通电阻、低开关损耗、高速开关和高可靠性等特点。
应用领域
适用于电动汽车、光伏发电、节能家电等领域的电机驱动系统、逆变器系统和电源管理系统。
#分享秋日好天气#在展会上，参观者将有机会与微碧半导体的技术专家进行交流和沟通，了解更多关于新推出的MOSFET产品和技术的详细信息。
作为一家国家级高新技术企业，微碧半导体一直致力于推动半导体器件技术的发展，并为客户提供创新的解决方案。微碧的产品质量可靠，性能稳定，广泛应用于电源、电机控制、照明等领域。
因此，我们诚挚地邀请新老客户前往深圳慕尼黑华南电子展参观微碧半导体的展位。这将是一个了解最新半导体器件技术和趋势的绝佳机会。我们期待着您的光临，并与您共同探讨半导体器件领域的发展前景。
慕尼黑华南电子展（electronicaSouthChina）
举办时间：年10月0-11月1日
举办地点：深圳国际会展中心（宝安新馆）
主办单位：慕尼黑展览（上海）有限公司
微碧展馆号：一号馆-1D1
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