IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件,它同时具有MOSFET的高速开关及电压驱动特性和双极晶体管的低饱和电压特性，易实现较大电流的能力，既具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点，又具有通态电压低、耐压高和承受电流大的优点。近年来IGBT成为电力电子领域中尤为瞩目的电力电子器件，并得到越来越广泛的应用。那么IGBT的测试就变的尤为重要了，IGBT的测试包括静态参数测试、动态参数测试、短路测试、热阻测试等，IGBT静态参数有BVCES、ICES、IGES、VGE(TH)、VCE(SAT)、VF等。1、BVCES：在栅极G和发射极E短路时，在加一定的IC下，IGBT的集电极C和发射极E之间的击穿电压。2、ICES：在栅极G和发射极E短路时，在加一定的VCE下，IGBT的集电极C和发射极E之间的漏电流。3、IGES：在集电极C和发射极E短路时，在加一定的VGE下，IGBT的栅极G和发射极E之间的漏电流。4、VGE(TH)：在一定的IC下，IGBT的开启电压。5、VCE(SAT)：在栅极G和发射极之间加一定的VGE(大于VGE(TH)),一定的IC下，IGBT的集电极C和发射极E之间的饱和压降。6、VF:在一定的IE下，续流二极管的电压降。要判断一个IGBT器件的好坏，就需要对以上这些参数进行测试，测试结果就要和IGBT生产厂家出的IGBT的规格书中的电气特性这一栏里边的范围进行比较，在范围之内就合格，否则不合格。IGBT动态参数有T(on)、Td（on）、Tr、E(on)、T（off）、Td（off）、Tf、E（off）等。IGBT开通过程及其参数定义IGBT关断过程及其参数定义1、开通特性：开通时间T（on），开通延时时间Td（on），上升时间Tr及开通损耗E（on）。开通延时时间Td(on)定义为从栅极电压正偏压的10%开始到集电极电流上升至最终值的10%为止的一段时间。而集电极电流从最终值的10%到最终值的90%之间的一段集电极电流上升时间称之为开通上升时间Tr。开通时间T(on)是开通延时时间Td(on)和开通上升时间Tr之和。开通损耗E（on）是开通过程中电压、电流乘积在某一时间段内的积分。2、关断特性：关断时间T（off），关断延时时间Td（off），下降时间Tf及关断损耗E（off）。关断延时时间Td（off）定义为从栅极电压下降至其开通值的90%开始到集电极电流下降到开通值的90%为止的一段时间。而集电极电流由初始值的90%下降到10%之间的一段时间称为关断下降时间Tf。关断损耗E（off）是关断过程中电压、电流乘积在某一时间段内积分。3、二极管恢复特性：反向恢复时间Trr，反向恢复电流Irr，反向恢复电荷Qrr及反向恢复di/dt.IGBT模块反并联二极管从通态向阻断态转换的过程称为反向恢复过程。反向恢复电流Irr是反并联二极管从通态向阻断转换的过程中，电流反向达到的最大电流值。反向恢复时间Trr是反并联二极管的电流从第一次0点到反向最大值再回到0点的这段时间。反向恢复di/dt是反并联二极管正向电流的50%到第一次降到0点这一段的电流斜率。反向恢复电荷Qrr是反并联二极管的电流从第一次0点到第二次0点这段时间内的电荷量。IGBT动静态测试自动化产线方案

转载请注明:http://www.aideyishus.com/lkyy/6715.html