年8月30日——全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:)今天宣布推出新一代Si-IGBT(硅基绝缘栅双极晶体管)器件——该产品以更小的尺寸带来更低的功耗。针对下一代电动汽车(EVs)逆变器的应用，AE5IGBT产品将于年上半年在日本Nako的瑞萨工厂的mm和mm晶圆线上量产。此外，瑞萨将从年上半年开始增加其位于日本嘉福的新型功率半导体器件mm晶圆厂的产量，以满足市场对功率半导体产品日益增长的需求。

与当前一代AE4产品相比，IGBT的硅基AE5工艺可降低10%的功率损耗。这项节能技术将帮助电动汽车开发商节省电池电量，增加行驶里程。新产品在保持高鲁棒性的同时，体积也缩小了10%左右。这种新的瑞萨设备实现了低功耗和高鲁棒性之间的最佳平衡，达到了IGBT行业的领先性能水平。这种IGBT最大限度地减少了IGBT之间的参数变化，并在IGBT并行运行时带来了稳定性，从而显著提高了模块的性能和安全性。这些特性为工程师提供了更大的灵活性，有助于他们设计出高性能的小型逆变器。

瑞萨电子电源系统事业部副总裁肖喜生也表示:“随着电动汽车的普及，市场对汽车功率半导体的需求正在快速上升。基于我们在过去7年制造汽车电源产品的丰富经验，瑞萨IGBT提供高度可靠和强大的电源解决方案。随着最新设备即将投入批量生产，瑞萨将为预计未来将快速增长的中档电动汽车逆变器市场创造理想的功能和性价比。”

新一代IGBT(AE5)的主要特征

●包括-V逆变器的四种产品:V耐压(A和A)和1V耐压(A和A)。

●在-40°C至°C的整个工作结温(Tj)范围内性能稳定

●行业内的高性能水平。开启电压Vce(饱和电压)为1.3V(最小化功率损耗的关键值)

●电流密度比传统产品高10%，小芯片尺寸(mm2/A)针对低功耗和高输入电阻进行了优化。

●通过将VGE(关闭)的参数变化降低到0.5V，实现稳定的并联运行

●保持反向偏置安全工作区(RBSOA)，在°C结温时最大Ic电流脉冲为A，在VV.S时最大Ic电流脉冲为4×4

●栅极电阻(Rg)的温度依赖性降低50%，从而最大限度地降低高温下的开关损耗、低温下的峰值电压和短路耐受时间，支持高性能设计。

●可作为裸芯片(晶圆)提供

●可以减少逆变器的功率损耗。在相同的电流密度下，与目前的AE4工艺相比，功率效率提高了6%，这使得EV可以用更少的电池行驶更长的距离。

电动汽车逆变器解决方案

在电动车辆中，驱动车辆的电机由逆变器控制。由于逆变器将DC转换为电动汽车电机所需的交流电，因此IGBT等开关器件对于最小化电动汽车的功耗至关重要。为了帮助开发人员，瑞萨推出了xEV逆变器参考解决方案。该硬件参考设计结合了IGBT、微控制器、电源管理IC(PMIC)、栅极驱动器IC和快速恢复二极管(FRD)。瑞萨还提供xEV逆变器套件作为参考设计的硬件实现。此外，瑞萨还推出了电机参数校准工具，以及xEV变频器的应用模型和软件，将电机控制的应用模型与实例软件相结合。这些工具和支持程序旨在帮助用户简化他们的软件开发。瑞萨还计划将新一代IGBT添加到这些硬件和软件开发套件中，以便在更小的空间内实现更高的能效和性能。

提供信息

Reza的V耐压版本和A样品现已上市，其他版本计划在未来发布。