MOS管也叫场效应管，英文简写为FET，是一种电压遏制器件，能够把输入电压的改变变化为输出电流的改变。处事时，惟独一种载流子介入导电，因此它是一种单极型器件。

一、MOS管的布局

MOS管由4个电极：漏极D，源极S，栅极G和衬底B孕育。MOS管的内部布局以下图所示;其导通时惟独一种极性的载流子(多子)介入导电，是单极型晶体管。导机电理与小功率MOS管雷同，但布局上有较大差别，小功率MOS管是横引导电器件，功率MOSFET多数采取笔直导电布局，又称为VMOSFET，大大抬高了MOSFET器件的耐压和耐电流才能。

二、绝缘栅型MOS管处事道理

1、栅源电压uGS的遏制影响

当uGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在d、s之间加之电压也不会孕育电流，即管子截至。

当uGS＞0V时→纵向电场

→将凑近栅极下方的空穴向下排挤→耗尽层。

再增多uGS→纵向电场↑

→将P区少子电子堆积到

P区表面→孕育导电沟道，假设此时加有漏源电压，就能够孕育漏极电流id。

界说：开启电压（UT）——方才孕育沟道所需的

栅源电压UGS。

N沟道加强型MOS管的根底特征：

uGS＜UT，管子截至，

uGS＞UT，管子导通。

uGS越大，沟道越宽，在雷同的漏源电压uDS影响下，漏极电流ID越大。

2、变化特征弧线：iD=f(uGS)?uDS=const

可凭借输出特征弧线做出移特征弧线。

例：做uDS=10V的一条变化特征弧线：

一个紧急参数——跨导gm：

gm=?iD/?uGS?uDS=const(单元mS)

gm的巨细反响了栅源电压对漏极电流的遏制影响。

在变化特征弧线上，gm为的弧线的斜率。

在输出特征弧线上也可求出gm。