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（汇报出品方/做家：方正证券，陈杭）

一、中央意见

MOSFET国表里差别削减，国产厂商希望衔接商场份额。MOSFET晋级之路包含制程削减、技巧变动、工艺先进。MOSFET在工艺线宽、器件组织、临盆工艺know-how三个层面的技巧发化放缓，跟着国内企业在产线建造、产物开垦方面速率加速，国表里差别将显然缩窄。另一方面海外厂商慢慢退出中低端商场，国内企业有机遇衔接商场份额。

MOSFET价钱飞腾，财产链关系公司受益。寰球半导体自20Q3末发端投入被迫补库存阶段，寰球发端焦灼性缺货，并带来加价预期，与16Q3~18Q1的寰球半导体景气周期以储备加价为主宰不同，本轮20Q4~22Q1因此功率/8寸片加价拉动到全财产链加价。

“5G+汽车电子”鞭策MOSFET下游须要。MOSFET是最底子的电子器件，具备高频、电压启动、抗击穿性好等特征，应用局限笼罩电源、变频器、CPU及显卡、通信、汽车电子等多个范围。5G重要给MOSFET带来基站电源、快充等新增须要。汽车电动化靠山下，燃油车转向电动车，功率半导体以及MOSFET用量剧增。

二、功率MOS，启动寰宇

1、MOSFET表面

按照Omdia数据，寰球功率器件总商场约为亿美元，此中分立MOSFET占比约为18%，商场空间约为83.34亿美元，MOSFET模组约占1%。寰球功率MOSFET欧系厂商占主宰。年英飞凌在寰球功率MOSFET占比抵达25%，安森美排名第二，占比12.80%。

功率MOSFET器件办事速率快，阻碍率低，开关斲丧小，伸展性好。恰当低压、大电流的处境，请求的办事频次高于其余功率器件。应用局限笼罩电源、发频器、CPU及显卡、通信、汽车电子等多个范围。

2、MOSFET：IDM形式据有合流

MOSFET的差别化重要起源于三个方面，一是基于系统know-how领会的计算本领。二是前段制程的差别，即晶圆创造枢纽的工艺程度差别。三是后段制程的差别，即芯片封装工艺程度的差别。数字逻辑芯片产物的价格链形成更长，计算软件、IP、EDA、know-how、前段晶圆创造本领、前段封装本领联合建造了芯片的附加值。由亍价格链较长，逻辑芯片财产链浮现了财产合做，Fabless+Foundry形式慢慢取代保守的IDM形式。然而在功率半导体范围，价格链较短，前段晶圆创造本领和后端封装本领是形成产物附加值的中央，国际一线企业大大都采纳IDM形式。

MOSFET以及功率半导体采纳IDM形式更具比赛力。一是Fabless企业不把握晶圆临盆本领，熟稔业供需告急时，难以拿到褂讪的晶圆产能配额。二是IDM企业计算部门在晶圆临盆阶段就可以够发端调试参数、迭代工艺技巧。

3、MOS晋级之路：制程削减+技巧变动+工艺先进+第三代半导体

制程削减：MOSFET的临盆工艺在-年左右伴随摩尔定律持续削减制程线宽。临盆工艺制程从初期的10微米制程迭代至0.15-0.35微米制程。技巧变动：MOSFET阅历了3次器件组织上的技巧变革：沟槽型、超等结、InsulatedFieldPlates。每一次器件组织的变动，在某些单项技巧目标上产物功能获得奔腾，大幅拓宽产物的应用范围。工艺先进：在统一个器件组织下，经过对临盆工艺停止调换，产物FOM功能变得小幅改革。材料迭代：SiC、GaN半导体功率器件。

4、MOSFET与BJT差别

MOSFET是电压启动，双极型晶体管（BJT）是电流启动。（1）只允许从记号源取多数电流的情景下，采用MOS管；在记号电压较低，有允许从记号源取较多电流的前提下，采用三极管。（2）MOS管是单极性器件（靠一种大都载流子导电），三极管是双极性器件（既有大都载流子，也要多数载流子导电）。（3）有些MOS管的源极和漏极能够交换应用，栅极也可正可负，矫捷性比三极管好。（4）MOS管应用遍及，能够在很小电流和很低电压下办事。（5）MOS管输入阻抗大，低噪声，MOS管较贵，三极管的斲丧大。（6）MOS管罕用来做为电源开关，以及大电流开关电路、高频高速电路中，三极管罕用来数字电路开关遏制。

5、MOSFET与IGBT差别

IGBT芯片=MOSFET+BJT。IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是由BJT（双极型三极管）和MOSFET（绝缘栅型场效管）构成的复合功率半导体，兼备了双极型晶体管的高耐压和MOSFET输入抗阻高的性格，因而IGBT实用于高电压、大电流场地。

二、5G+汽车电动化，功率MOS下游须要茂盛

1、通信：5G带来基站MOSFET须要

按照英飞凌，5G基站采纳的MOSFET等功率半导体用量是4GLTE基站的4倍以上。此中重要启动力来自于MassiveMIMO射频天线、小基站、雾运算的须要提拔。

5G基站天线集成无源、有源摆设。4G和5G基站之间最大的差别是天线计算的变动。4G系统的天线单位是彻底无源的，象征它只可领受和传输记号，不停止任何管教。无线电遥控装配(RRU)负责记号管教。为了升高5G天线的功能，知足不同频谱的须要，天线中插足了大批的MIMO。由于集成了一个无源天线和一个RRU，5G基站天线的根本架构因而变动，这也使得5GAAU天线成为一个集成了无源和有源组件的射频摆设。

宏基站、小基站数目激昂。按照赛迪征询数据，华夏宏基站数目将在年抵达万个，小基站也受5G须要鞭策。

按照EET的数据，5G基站功率比4G基站超出W，延长约67%。由于5G基站须要采纳MassiveMIMO等技巧，5G基站的AAU输出功率由4G的40W~80W激昂到W以至更高，同时由于管教的数据量大幅度增加，BBU的功率也大幅度提拔。

2、快充：用户须要催生快充须要

手机使历功夫提拔。按照Statista数据，年寰球每人一天哄骗手机上钩的功夫抵达了分钟，年将抵达分钟。手机使历功夫的增加将会增加手机电池的耗损。

手机硬件革新迭代，耗电量提拔。（1）Hz高革新率。Hz慢慢成为了安卓旗舰机的标配。升高屏幕的革新率将会使哄骗者占有更高的流通感。（2）5G射频元器件数目加多。5G手机由于通信记号频段须要，功率强调器、双工器、LNA、滤波器数目城市高于4G手机。射频元器件数目加多也带来了通信中电量耗损的加多。（3）高功能CPU带来耗电量提拔。

小体积、高开关速率、低成本、高集合度，GaN-MOS慢慢取代硅基MOSFET。跟着人们对充电效率的请求慢慢升高，手机充电浮现了“快充”形式，即经过升高电压来抵达高电流高功率充电，但高电压存在平安隐患，须要增加同步整流的MOS管来调换；后来浮现较为平安的“闪充”形式，即通太低电压高电流来实行高速充电，这对同步整流MOS管的请求更高，今朝较为遍及的是GaN-mos管，它能够实行发烧少、体积小的目标。

3、功率器件是电动车之心

按照富士机电质料，汽车电子的中央是MOSFET和IGBT，不论是在引擎、或许启动系统中的变速箱遏制和制动、转向遏制中照旧在车身中，都离不开MOSFET。在保守汽车中的助力转向、帮忙刹车以及座椅等遏制系统等，都须要加之机电，于是保守汽车的内置机电数目敏捷延长，策动了MOSFET的商场延长。新动力汽车中，除了保守汽车用到的半导体须要以外，还包含BMS、EPS、车身遏制模块网关ECU、ADAS等。

4、新国标开启电动两轮车换车周期

新国标开启电动两轮车换车周期。新国标《电动自行车平安技巧模范》（GB-）亍年5月15日颁发，年4月15日履行。新国标后，超标车取代将开启换车周期。此中重要沿海省分大都邑换车截止日期集合在腊尾，腹地二线都邑集合在、年，届时将迎来一轮浓厚的换车岑岭。

同享电单车、外卖配送须要提拔鞭策电动两轮车放量。除新国标带来的换车须要外，同享电单车直接启动电动两轮车延长。外卖配送由于外卖员高频哄骗电动两轮车，因而外卖配送将会启动电动两轮车的取代须要延长。

MOSFET是遏制器的中央。电动两轮车的遏制器重要用来遏制电动车的启动、运转、进退、速率以及其余的电子器件中央。MOS管则是电动车遏制器的中央组织。

三、MOSFET关系企业剖析（详见汇报原文）汇报节选：

（本文仅供参考，不代表咱们的任何投资创议。如需哄骗关系音信，请参阅汇报原文。）

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