（报告出品方/作者：国联证券，熊军、王晔）

1.国产功率器件设计龙头，MOSFET/IGBT等产品型号丰富

公司是国内功率器件设计类企业龙头之一，长期专业从事MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售。公司是国内最早在12英寸工艺平台实现沟槽型MOSFET、屏蔽栅MOSFET量产的企业，也是国内8寸和12寸功率器件累计出货量最大的设计公司，同时是国内MOSFET品类最齐全且产品技术领先的公司。年收入规模达到14.98亿元，归母净利润达到4.10亿元，并且保持快速增长的趋势。根据IHS统计数据，年公司在国内MOSFET出货量排名本土厂商第三，其中设计领域公司名列第一。

1.1自成立以来始终专注于功率器件研发

公司成立于年，由实控人朱袁正、新潮集团、新洁能半导体三方共同出资设立。自成立以来，公司始终专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售，年至今每年均入选由中国半导体行业协会评选的“中国半导体功率器件十强”，是唯一的功率器件设计公司。同时，公司通过设立子公司和对外股权投资的方式，加强自主封装能力，开展功率模块业务，并进行其他产业链环节的布局。

1.2董事长工程师出身，半导体产业经验丰富

朱袁正先生是公司第一大股东，同时也是公司实控人，直接持有23.15%股份（年Q1）；根据年年报披露，截至年Q4，朱袁正直接持股23.34%，通过其他一致行动人间接持有3.38%的股份，总计持股26.72%。截至Q1，前十大股东共计持股43.44%。

领导者技术背景出身，海内外产业经验丰富。朱袁正先生年出生，本科和硕士分别毕业于吉林大学半导体化学专业和新加坡国立大学计算机与电力工程专业。曾任中国华晶电子集团公司助理工程师/刻蚀工艺主管、新加坡微电子研究院工程师、德国西门子松下有限公司产品工程技术经理、无锡华润上华半导体有限公司研发副处长、苏州硅能半导体科技有限公司董事/总经理、新洁能半导体董事长兼总经理、电芯联智控董事长兼总经理，具有丰富的产业经验，工程技术能力扎实，管理能力突出。现任公司董事长兼总经理，新洁能香港董事，电基集成执行董事兼总经理。

1.3专注功率器件业务，业绩持续向好

公司自成立之初即专注于功率半导体器件的研发设计，提供的产品包括MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件，第三代半导体功率器件产品及功率模组已经形成样品，其中第三代半导体功率器件产品正在做进一步的测试，功率模组正在构建模块生产线。公司产品电压已经覆盖了12V-V的全系列产品，产品型号达余种，重点应用领域包括汽车电子、光伏逆变和光伏储能、数据中心、5G通讯、工业电源、安防、机器人电机控制、变频家电、农用无人机、医疗设备、锂电保护等十余个长期被欧美日功率半导体垄断供应的行业。

收入逐年上涨，产品下游应用广泛。年总体营业收入达到14.98亿元，同比增长56.89%。收入快速增长的原因在于功率半导体下游应用广泛，电动汽车、新能源发电、5G通信等新兴领域对功率器件的需求与日俱增，公司产品面临供不应求的局面。随着供应链建设趋于成熟，公司在前端和晶圆厂建立战略合作关系，在后端加强自主封装能力，从而保障产能，促使下游需求转化为销售收入。受益于行业景气度提升，同时自身产品结构、市场结构以及客户结构改善，公司毛利率自年以来连续两年上涨，年总体毛利率达到38.87%，同比提升13.50个百分点。从细分业务来看，公司功率器件毛利率、芯片毛利率和总体毛利率走势基本一致，年功率器件和芯片的毛利率分别为38.71%和41.43%。考虑到芯片收入占比逐年降低，预计未来总体毛利率和功率器件毛利率基本一致。

盈利能力位居行业上游，边际改善明显。和A股主流功率器件厂商相比，公司的毛利率逐步提升至行业上游水平，年毛利率创年以来的新高，达到38.87%，仅次于捷捷微电的47.70%。公司的净利率同样处于优势地位，显著高于大部分可比公司，年达到27.40%，仅次于捷捷微电的27.78%。出色的盈利能力源自于良好的供应链管理能力和费用控制能力，公司在Fabless模式基础上向封测环节延伸，不断提升产品价值量。

2.功率半导体应用广泛，市场需求庞大

功率半导体是半导体行业最重要的细分板块之一，作为电子装置中电能转换与电路控制的核心，在电路系统中起到控制导通、电压频率变换、直流交流转换等功能。下游广泛应用在汽车电子、工业电子、消费电子、新能源发电、轨道交通、电力传输等行业，市场规模庞大，前景广阔。

2.1MOSFET是最大品类，中高压产品面临新需求

功率半导体可以分为功率器件和功率IC两大细分品类。功率器件从最早的二极管、三极管、晶闸管，发展至后来的MOSFET、IGBT，体现出大功率化、高频化、集成化、低能耗等发展趋势。而在产品大类内部，同样存在持续的迭代升级，功率器件厂商不断创新设计和制造技术以满足下游的各类新需求。

全球功率半导体市场规模在年约为亿美元，年预计将达到亿美元，-年复合增速约为2.38%；中国功率半导体市场规模在年达到亿美元，年预计达到亿美元，-年复合增速约为3.08%。中国市场占全球的比例大约在39%左右，是全球主要的功率半导体消费市场。

MOSFET器件是最大品类，形态以分立器件为主。年全球功率分立器件市场规模约为亿美元，占功率半导体整体市场规模比例约为34%。其中，MOSFET器件是最大的品类，占比52.51%；其次是整流器和IGBT，占比分别为26.98%、9.99%。IGBT由于在大多数场景下以模组形式存在，因而在功率半导体分立器件市场份额中占比不高。

MOSFET全称为“金属氧化物半导体场效应管”，按照导电沟道类型可以分为P沟道和N沟道，其基本原理是通过调节栅极（G）电压来控制源极（S）和漏极（D）之间的导通、关断。MOSFET具有导通电阻小，损耗低，驱动电路简单，热阻特性好等优点，被广泛应用在电脑、手机、移动电源、电动交通工具、UPS电源等众多领域。

MOSFET器件市场广阔，中国市场约占全球四成。全球MOSFET器件市场规模在年约为84.20亿美元，年受疫情影响出现下滑，年预计回升至77.02亿美元。中国MOSFET器件市场规模在年约为33.42亿美元，占全球市场的39.69%，年同样因为疫情出现下滑，后续市场规模预计保持平稳，年约为29.70亿美元。

海外巨头位居行业前列，国产替代空间大。根据Omdia的数据，年全球MOSFET器件市场份额前三名分别为英飞凌、安森美、瑞萨，市占率分别为29.7%、11.2%、9.1%。前十名中仅有一家中国公司安世半导体（闻泰科技子公司），位居第8名。全球前十名MOSFET厂商市占率高达81%，市场份额较为集中，且主要被欧美日半导体巨头占据，国产厂商仅通过收购安世集团占据一席之地，国产厂商的进步空间仍然较大，随着包括新洁能在内的国产功率厂商不断发力，国产替代的进程将持续推进。根据IHS统计数据，年公司在国内MOSFET出货量排名本土厂商第三，在设计类公司名列第一。

汽车电子及配套产业带动MOSFET下游需求持续增长。根据Yole的统计，消费级应用在年仍然是MOSFET市场下游最大的品类，规模约为28亿美元，占比约37%，而在年占比则将下降至28%。与之相对，汽车电子及相关配套设施在年市场规模约为15亿美元，年增迅速增长至30亿美元，复合增速12.25%，占比则从20%提升至32%。在汽车电子中，新能源相关汽车模块的硅基MOSFET市场规模将从年1亿美元增至年7亿美元，占比从1.33%提升至7.45%，复合增速高达38.31%，是增速最快的细分市场。汽车电子产业将成为MOSFET市场增长的主要驱动力，并在未来取代消费电子成为最大的下游应用领域。（报告来源：未来智库）

2.2IGBT和第三代半导体引领功率新发展

IGBT全称绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极结型晶体三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件，既有MOSFET的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，在中高电压、大电流、高频率的应用场景下具有很好的适应性，显著优于其他功率器件。因此，在对工作频率要求不高，却对功率、电流、电压有较高要求的场景下，IGBT对MOSFET有较好的替代作用。

IGBT市场规模持续扩大，新能源汽车与发电领域增量需求未来可期。根据Omdia的统计和预测，全球IGBT市场规模年预计达到66.19亿美元，-年复合增速约为5.16%；中国IGBT市场规模年预计达到25.76亿美元，-年复合增速约为4.34%，中国市场占全球比例约为40%左右。由于年以来，新能源汽车、光伏、储能、风电等领域的发展进度较快，IGBT市场规模扩张速度或将超出原先的预期。

新能源汽车、工业控制、消费电子是IGBT下游三大最主要的应用市场。三大下游市场分别占比30%、27%、22%，合计占比近八成。以新能源汽车为例，电驱系统、车载空调、车载OBC等模块是IGBT的主要应用场景，随着汽车电气化渗透率的不断提升，IGBT作为核心功率元件将面临更加广阔的市场空间。此外，光伏、风电、储能等新能源发电领域，逆变器、整流器等核心组件同样需要用到大量IGBT，该领域占比有望快速提升。

根据Yole的预测，-年间IGBT市场规模将从54亿美元增至84亿美元，复合增速达到7.64%。新能源汽车和充电桩基础设施是增速最快的细分市场，其中新能源汽车的IGBT市场规模预计从5.09亿美元增至17.00亿美元，复合增速22.26%；充电桩IGBT市场规模预计从0.69亿美元增至2.33亿美元。除新能源汽车之外，工控和家电领域的应用同样是IGBT市场规模增长的主要引擎，工控IGBT预计从17亿美元增至23亿美元，家电IGBT预计从13亿美元增至20亿美元。

电气性能优势显著，SiC功率器件渗透率有望持续提升。半导体材料目前发展到第三代，第一代材料以硅（Si）、锗（Ge）为代表，应用最为普遍；第二代材料以砷化镓（GaAs）、碲化铟（InSb）为代表；第三代材料以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表。SiC材料和传统的Si材料相比，可以同时达到高电压和高频率，并且具有更好的散热性能，因而在功率半导体领域具有得天独厚的优势。

新能源汽车需求驱动SiC市场快速扩张。由于碳化硅耐高温、耐高压、高频工作等特征，可以很好地降低器件功耗、保障可靠性。根据Yole的预测，全球SiC器件的市场规模将从年的10.90亿美元增长至年的62.97亿美元，复合增速达到33.95%。而推动市场规模扩大的主要驱动力来自于汽车行业，预计年SiC器件市场79.18%的收入将来自于汽车，其次是工业的8.73%和能源的7.27%。

3.功率器件国内十强，下游新能源产业需求旺盛

专注功率半导体设计，各环节优势逐渐凸显。公司是专注于MOSFET、IGBT等功率半导体器件与模组的设计类公司，江苏省级专精特新小巨人企业，连续多年位居“中国半导体功率器件十强企业”之列。通过产品迭代升级，下游新兴领域客户拓展，公司业绩快速增长。随着IGBT产能释放，光伏储能、汽车电子等领域的市场将驱动公司新一轮成长周期。

公司在产品生产销售各环节均有独特的竞争优势。作为设计类半导体企业，公司在研发和设计环节重视投入，同时和国内第三代半导体知名高校东南大学等进行深度产学研合作。目前公司产品已经形成5大产品平台，产品型号多达多种，可为客户提供全面细致的功率解决方案。制造环节公司和国内功率器件晶圆代工龙头华虹宏力建立了十多年紧密的长期战略合作关系。封测环节公司子公司电基集成封测产能持续快速提升，自主封装能力日趋完善。在销售端，公司合作的客户包括各行业头部企业，年导入比亚迪等多个汽车整车品牌，成功导入并批量供应国内多家头部光伏企业，推动年出货量继续增长。

3.1产品结构持续优化，前后端产能有保障

公司提供的产品按照产品封装形态来分，主要包括功率芯片、器件和模组；按照芯片类型，可以分为MOSFET和IGBT，其中MOSFET可进一步划分为沟槽型MOSFET、屏蔽栅MOSFET、超结MOSFET。近年来，公司器件的封装产能不断提升，直接销售芯片的收入占比逐年降低，器件收入占比持续提升。未来随着模组产线建设完成、产品形成量产，器件和模组的销售占比将继续提升。根据公司披露，当前公司产品型号高达余种，显著高于国内厂商的MOSFET产品型号数量，为国内MOSFET品类最齐全且产品技术领先的公司，丰富的产品组合将为客户提供更加全面细致的解决方案。

功率器件占比不断提升，产品技术持续迭代升级。公司在发展初期对外销售裸芯片的收入占比较高，超过50%，随着封装供应商合作关系的建立，以及自身封装产能的建设，越来越多的芯片封装成器件之后对外出售，年功率器件占比已达到90.24%。从技术类型来看，传统的沟槽型MOSFET占比逐年下降，年已降至45.31%；而屏蔽栅MOSFET占比逐年提升，年已升至38.96%；IGBT产品也在近两年产生规模销售，年已经实现了8,.44万元的销售，同比增长了.44%，未来占比有望继续提高。

长期战略合作保障代工产能，自主封装能力不断提高。公司作为半导体设计类公司，在晶圆代工、封装测试等环节建立了可靠的供应关系。在晶圆制造端，公司和国内功率半导体代工龙头华虹宏力建立了长期战略合作关系，在华虹宏力一、二、三、七厂均已实现投产，同时公司还在开发其他供应商作为补充。年公司整体流片达到约30万片（折合8英寸），同比增长约18%。在封测端，公司和长电科技、日月光、捷敏电子等封测大厂建立稳定合作关系，同时子公司电基集成封装测试产量稳定提升，年产能已达到kk，同比增长35.19%，自主封装比例年已接近40%。

3.2汽车电子和新能源发电带动新一轮增长

发力汽车电子和新能源发电，下游结构持续改善。公司产品广泛应用于汽车、通讯、工业、家电、消费电子等领域，原先下游客户主要集中在消费电子、通讯、工控等行业，近年来公司大力拓展汽车电子、光伏逆变、光伏储能、5G基站等新兴产业市场，打开了全新的成长空间。年公司进入多家汽车品牌整机配件厂，光伏逆变和光伏储能实现大批量销售，年将成为公司业绩增长的重要驱动力。

汽车功率半导体迎来高景气时代，公司汽车电子业绩有望走强。相比于传统燃油车，新能源汽车的半导体价值量占比截然不同，功率半导体占比由21%提升至55%，超越MCU成为汽车半导体最大的子品类。在汽车电气化、智能化渗透率持续提高的背景下，叠加功率半导体在整车半导体内部占比提升，汽车功率芯片市场规模将随着扩大，年预计将达到80亿美元，-年CAGR达到13.30%。

车规级产品型号丰富，可应用在多个车载核心模块。公司的产品可广泛应用在电控、电池管理、车载逆变器、车载OBC等核心模块中，覆盖沟槽型MOS/屏蔽栅MOS/超结MOS/IGBT多个类型产品，产品型号丰富多样，公司釆用高密度器件结构设计以及先进的超薄芯片加工工艺，显著降低器件功耗，提升系统效率。公司是国内首家研发并量产P沟道SGTMOSFET系列产品的设计公司，并最早推出车用P沟道SGTMOSFET系列产品。年，公司在汽车市场重点导入了比亚迪，实现十几款产品的大批量供应；同时公司进入了多个汽车品牌的整机配件厂，整体销售收入快速提升，随着公司的MOSFET产品陆续导入整车的车身控制域、动力域、智能信息域、底盘域、智能驾驶辅助域，预计公司在汽车电子领域的收入占比将持续提升。公司将长期受益于新能源汽车功率半导体市场的蓬勃发展，打开发展空间的天花板。

光伏逆变器打开功率器件市场天花板。光伏逆变器是光伏发电系统的核心组件，作用是将光伏太阳能板产生的可变直流电压转换为市电频率交流电，反馈回商用输电系统或者供离网电网使用。逆变器中的逆变单元主要由IGBT模块（或IGBT单管、MOSFET）及其他组件构成，IGBT是核心器件，其性能决定了逆变器的功耗和运行效率。

功率器件是光伏逆变器核心元件之一。从成本结构来看，除去施工费用，光伏电站原材料主要由光伏组件、逆变器、支架等组成，其中光伏逆变器大约占到电站成本的10%。而在光伏逆变器内部，主要包括结构件、被动元器件、PCB线路板、集成电路、半导体器件等零部件，其中半导体器件（主要是IGBT）占成本的11.8%，仅次于结构件和电感。作为光伏发电系统的核心模块，逆变器及其内部的功率器件将占据稳定的价值量，随着SiC等新兴技术的导入，光伏发电环节的功率半导体成本占比或将有所提升。

光伏、储能产业建设持续推进，公司成功导入多家头部客户。中国光伏新增装机量近年来呈现持续上升趋势，年新增装机量54.88GW，同比增长13.86%。根据TrendForce预测，年中国新增装机量有望达到75GW，同比增长36.66%。在光伏新增装机量和换新需求的推动下，光伏逆变器同样快速增长，年全球光伏逆变器出货量约为GW,同比增长13.04%，年出货量预计达到GW，-年复合增速约为20%。

公司利用沟槽栅场截止型IGBT技术，通过采用高密度器件结构设计以及先进的超薄芯片加工工艺，提供-VIGBT、-VIGBT及PIM系列产品，应用在光伏逆变器中，通过优化载流子注入效率和载流子分布，显著降低器件饱和压降和关断损耗，降低功耗，提升效率。公司部分IGBT产品在电流密度和饱和压降等关键特性上已达到国际先进水平，并推出全球首款VA光伏用单管IGBT。年公司重点发力光伏发电、光伏储能市场，MOSFET和IGBT产品已在国内主要头部客户实现大批量销售，已成功导入并批量供应国内头部光伏企业，光伏逆变和光伏储能领域将成为公司年重要的业绩增长点。（报告来源：未来智库）

3.3加大投入绑定核心研发人员，SiCMOS等前沿产品研发顺利

公司研发开支近年来快速增长，年研发开支约为0.80亿元，同比增长54.05%。研发队伍持续扩张，年达到78人，占整体员工比例25.32%，年一季度研发人员数量已经超过80人。年以来，公司研发人员占比逐渐下降，主要原因在于子公司员工数量大幅增加，从年的95人增至年的人。考虑到包括电基集成在内的封装子公司生产人员相对密集，因此整体员工中研发人员占比下降具有合理性。

研发支出占收入比例稳中有升，股权激励绑定核心研发人员。公司研发支出占收入比例-年均位于5%以上，和功率器件行业可比公司相比，研发支出占比位于中游水平。公司近年来持续加大研发投入，年IPO募投项目包括总投资4.81亿的功率器件研发升级产业化项目、总投资0.55亿元的研发中心建设项目；年底启动定增及股权激励项目，募投资金用于第三代半导体、功率模块（含车规级）等研发工作。同时通过，年11月公司开启新一轮股权激励工作，并在后续向名员工以84.25元/股的价格授予了.1万股，覆盖了绝大多数核心技术人员与业务骨干。

产学研合作，加快半导体功率器件研发成果产业化。公司重视加强产学研合作，已建立江苏省功率器件工程技术研究中心、江苏省企业研究生工作站、东南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心、江南大学-无锡新洁能功率器件技术联合研发中心。公司参与的“智能功率驱动芯片设计及制备的关键技术与应用”项目获得了年度江苏省科学技术一等奖，且获得年度国家技术发明二等奖。经过长期的研发投入，公司已经形成Trench-MOS、SGT-MOS、SJ-MOS、IGBT、第三代功率半导体五大产品研发平台，通过研发推进产品迭代升级、拓展更多产品型号，满足客户多样性需求。

第三代半导体研发厚积薄发，定增推动进一步产业化。为了持续加大先进产品系列研发及产业化工作，公司在年11月启动定增项目，对第三代半导体功率器件、智能功率模块、功率集成模块等项目开展研发和产业化工作，总投资金额约13.50亿元。公司自成立之初即始终专注于功率半导体行业，由于第三代半导体材料SiC/GaN的优良特性，在功率领域性能优势尤其显著，公司自年即开始第三代半导体功率器件的研发工作，已开发出“高耐压低损耗碳化硅二极管技术”、“碳化硅功率器件高可靠终端耐压保护技术”等多项核心技术并申请专利。截至目前，SiC和GaN功率器件均处于流片验证阶段，性能参数符合预期。公司持续与下游客户进行第三代半导体应用方面的沟通，一旦验证通过且上游供应链建设完成，有望快速导入下游客户。

3.4盈利能力稳步提升，费用控制能力较好

盈利能力稳中有升，ROE保持较高水平。公司毛利率和净利率自年以来持续上升。年Q1毛利率39.72%，同比上涨6.23个百分点；净利率26.72%，同比上涨2.98个百分点；摊薄ROE为14.20%，同比上涨0.28个百分点。随着公司自主封装能力增强，功率模组等产品逐步量产，有助于继续提升公司的利润率水平，并有效缓解上游价格上涨的压力。

研发费用占大头，管理、销售费用率控制在低位。年以来，每年的销售费用率均控制在2%以内，且逐渐下降；管理费用率控制在3%以内，呈震荡态势。年Q1销售费用率和管理费用率分别为1.92%、3.33%，同比分别上升0.68、2.03个百分点，主要原因在于年Q1计提了股权激励费用的摊销万元。研发费用率逐步提高，年Q1研发费用率4.03%，同比增长0.30个百分点。

公司经营性现金流量金额基本保持稳定，年大幅增长，达到4.51亿元，同比增长约.99%；年Q1约为0.49亿元，同比下降16.39%，但依然高于年之前的一季度。销售商品提供劳务收到的现金除以收入的比例基本上保持在%以上，公司销售回款的能力较强。

在手订单充足，合同负债整体呈上升态势。公司应收票据及账款数额随收入增长而增长，但占总资产的比重稳中有降，年降至28.34%，年Q1也仅有15.86%。公司在手订单充足，合同负债整体呈上升态势，Q2-Q1四个季度合同负债同比增速分别为.53%/10.90%/20.28%/13.26%，Q1达到.92万元创新高。

4.盈利预测

公司的主营业务包括功率器件和芯片，按照技术类型又可以分为沟槽型MOS、屏蔽栅MOS、超结MOS、IGBT等等。其他收入主要来自于向客户提供研究开发服务及出售废料，收入占比很低，且几乎没有成本。作为设计类半导体公司，公司通过外部晶圆厂提供芯片制造服务。公司核心晶圆代工供应商华虹半导体预计年将加快推进12英寸产线总产能至9.45万片/月的扩产，预计将于年Q4进一步释放产能。因此我们预计公司未来三年晶圆流片（等效8英寸）的增速将保持较高水平。

功率器件：由于公司的自主封装能力逐年增强，更多的芯片被封装成器件之后进行销售，因此我们预期未来功率器件领用的晶圆占比将继续提高，并形成更多的功率器件成品进行出售。

沟槽型MOSFET：作为公司基础品类，沟槽型MOSFET一度贡献超八成收入。近年来随着其他类型产品研发成熟并量产，沟槽型MOSFET占比逐步下降，年晶圆用量占比约为57%，预计未来将继续下降。

屏蔽栅MOSFET：和沟槽型MOS同样属于中低压类型的MOS，主要应用于消费电子等低压场景，但相比沟槽型MOS具有独特优势，预计未来晶圆用量和收入占比将超过沟槽型MOS。

超结MOSFET：超结MOSFET预计未来将稳步提升。

IGBT：公司未来重点推广的产品，受益于光伏发电、储能行业发展，预计仍将保持快速增长态势。

芯片：预计公司对外直接出售芯片的比例将持续下降至10%以下。

综合公司各项业务的收入及成本情况，我们预计公司-年收入分别为20.91/28.15/36.73亿元，同比增速分别为39.55%/34.62%/30.48%；归母净利润5.28/6.69/8.22亿元，同比增速分别为28.56%/26.73%/22.89%。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）

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