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来源：中国电机工程学报第40卷第6期半导体在线作者：盛况、任娜、徐弘毅(浙江大学电气工程学院)

0引言

功率器件是电力电子技术的核心，在电力电子技术朝着高频、高功率密度发展的方向上扮演着至关重要的角色。目前，硅(silicon，Si)器件的发展已经十分成熟，在V以下的应用，Si基金氧半场效晶体管(metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor，MOSFET)占据主流，而Si基超级结器件和绝缘栅双极型晶体管(insulatorgatebipolartransistor，IGBT)则主导了0.6~6.5kV的高压应用市场。尽管如此，受限于硅材料特性的限制，硅器件的发展空间已经较为有限。例如，目前Si基IGBT耐压极限为6.5kV，工作温度低于℃，且由于双极性导通模式，器件开关速度较低，限制了其在高频应用中的推广。

近20多年来，以碳化硅(siliconcarbide，SiC)为代表的宽禁带半导体器件，受到了广泛的

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