半导体微电子技术及其相关产业是我国电子信息行业的重要组成，西方发达国家在该领域对我国始终进行着全方位的封锁。其中，微米级微电子技术的突破，是我国能够独立开展超大规模集成电路研发的重要因素；此外，这一突破还触发了微电子技术在中国的产业化和市场化。基于对原始档案、当事人口述访谈等资料的梳理和分析，再现了我国微米级微电子技术封锁的突破及超大规模集成电路产业化的历程，以及这一过程中所体现出的特殊环境下的技术创新和产学研协作。

撰文

王公（中国科学院自然科学史研究所）

来源：工程研究一跨学科视野中的工程

引言

七十年前，第一颗晶体管出现，从此人类进入了半导体时代。六十年前，集成电路出现，并很快发展到了超大规模集成电路的水平，在推动电子信息技术进一步发展的同时，也开始和传统产业相结合，开启了信息化时代的大幕，极大地改变了人类社会。然而，超大规模集成电路在中国的出现及其产业化的历程，却无时无刻不面临着严峻的封锁和巨大的挑战。

1背景

1.1世界及中国半导体微电子技术的起步

年12月，美国贝尔实验室研制成功了世界上第一块点接触式晶体管。和传统的电子管相比，晶体管具有体积小、消耗功率低等明显的优势。因此，晶体管开始逐步取代体积大、功率消耗大的电子管，开启了半导体时代。晶体管的发明为集成电路的诞生奠定了基础。年，美国德州仪器公司的杰克·基尔比（JackKilby）发明了第一块集成电路——将包括锗晶体管在内的五个元器件集成在一起，制作了一个相移振荡器电路。年仙童公司的罗伯特·诺伊斯（RobertNoyce）研制发明了平面工艺的硅集成电路。集成电路的发明，给相关行业带来了巨大的变化，引发了现代社会电子信息技术的变革。

中国的半导体和微电子研究起步于20世纪五、六十年代。年，党中央发出了“向科学进军”的号召。我国将半导体科学技术列为当时国家新技术四大紧急措施之一，写入了“十二年科学技术发展远景规划”。当年暑期，北京大学、复旦大学、厦门大学、南京大学和吉林大学五校，在北京大学联合开设了我国第一个半导体专业，由黄昆任主任、谢希德任副主任。该专业开设半导体物理、半导体实验、半导体材料、半导体器件、固体物理、晶体管电路等全面的半导体专业课程，为我国培养了第一批半导体专业人才。年，中国科学院应用物理所成立了半导体研究室，由王守武任室主任，是我国最早的半导体研究机构。年，王守武研制出了锗晶体管，是我国自行研制的第一颗晶体管。年，李志坚在清华大学拉出了高纯度多晶硅，随后开始了硅基平面晶体管的研制。20世纪60年代初，两家大型的国立半导体研究机构——中国科学院半导体研究所和河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所）正式成立。年，中国科学院半导体研究所的王守觉研制出我国第一块集成电路，在一块硅片上集成了19个元件，后来应用在了服务于“两弹一星”工作的大型通用晶体管计算机（丙）上。年，半导体工厂国营东光电工厂（厂）、上海无线电十九厂投建，年建成投产。这些半导体研究所和工厂研制的集成电路产品，除了服务“两弹一星”的战略需求，也为我国的其他行业和民生需要做出了巨大贡献。

1.2微米级微电子技术的重要意义

微电子工业的生产过程非常复杂，一般来说包括前工序和后工序两个步骤，前工序是指将超纯的硅晶棒切片，再经过二十至三十道工艺步骤，直到芯片制作完成的过程；后工序指的是从对前工序制作出的芯片进行测试、划片、封装直至形成最终产品的过程。前工序包括多次光刻、掺杂、氧化等步骤，其中光刻工艺所能达到的精度被称为集成电路特征尺寸，它是微电子技术水平的重要标志，通常也直接用光刻工艺的特征尺寸来表示整个生产线及生产出的集成电路产品的工艺水平。

当集成电路的特征尺寸达到微米级时，在一块芯片上集成的元件数就可以超过10万个，这样的集成电路被称为超大规模集成电路（VeryLargeScaleIntegrationCircuit，VLSI）。采用超大规模集成电路制造的电子设备，具有体积小、重量轻、功耗低、可靠性高等特点。此外，还可以利用超大规模集成电路技术将整个电子系统“集成”在一块芯片上，完成信息采集、存储和处理等多种功能。如果将超大规模集成电路和传统产业结合，可以彻底改变传统产业，进而实现智能化和现代化。基于这些因素，超大规模集成电路被认为是微电子技术的一次飞跃，是衡量一个国家科学技术和工业发展水平的重要标志[1]。

为了便于从宏观上考察微电子技术及相应生产线的工艺水平，一般以典型产品动态随机存取存储器（DynamicRandomAccessMemory，DRAM）的容量为指标。动态随机存取存储器主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多少来代表一个二进制比特（bit，也称作“位”）是1还是0。动态存储器的结构十分简单，每一个数据存储单元都只需一个电容和一个晶体管来处理①。所以，1K容量的动态存储器，需要集成个元件。

①1个存储单元一般被称为1个字节（byte），字节是计算机信息技术用于计量存储容量的一种计量单位，作为一个单位来处理的一个二进制数字串，是构成信息的一个小单位，通常1个字节包含8位的二进制数，1B（byte，字节）=8bit（位）。

有些时候也可以用静态随机存取存储器（StaticRandom-AccessMemory，SRAM）的容量来考察集成电路工艺及相应的生产线的技术水平，静态随机存取存储器上的一个数据存储单元通常需要4~6个晶体管，相同容量的产品，静态随机存取存储器的元件数就是动态随机存取存储器4~6倍。正因如此，与静态随机存取存储器相比，动态随机存取存储器拥有非常高的密度，单位体积的容量较高且成本较低。动态随机存取存储器的存储容量、元件个数和特征尺寸的基本关系参见表1。可见，64K容量的动态随机存取存储器，元件数已突破10万，特征尺寸达到了2微米，接近或达到了超大规模集成电路的水平。因此，要想研制、生产超大规模集成电路，必须要跨越微米级工艺台阶！

2差距与封锁

2.1差距

20世纪60年代，集成电路技术在国外的发展也只不过十年左右时间，整个集成电路的发展还并不是很成熟，而在我国则刚刚在起步阶段。彼时，不论国外还是国内，集成电路都是在双极型①器件的基础上发展起来的。60年代后期，国外出现了金属氧化物半导体场效应管②（MOS集成电路），发展十分迅猛，使集成电路水平很快从小规模集成提高到中、大规模。进入70年代，我国和国外的集成电路发展水平开始出现了巨大的差距。

①双极型晶体管由两个背靠背PN结构成的以获得电压、电流或信号增益的晶体三极管。起源于年发明的点接触晶体三极管，50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型。在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。

②场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junctionFET—JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。

年，美国研制成功的64K容量DRAM是世界上第一代超大规模集成电路，大约包含15万个元件，特征尺寸为2~3微米。年，日本研制成功64K容量DRAM，包含15.6万个元件，特征尺寸为2~3微米。而此时的我国，集成电路技术仍处在双极型小规模电路的研究与小量生产阶段。

集成电路技术的发展是一个系统工程，不但需要有深入的器件物理、电路设计和工艺制造研究，而且还必须有高精尖的工艺与测试设备、高纯度高性能的基础材料以及超净厂房等基础条件的配套发展。实际上，很多集成电路技术是固化在基础条件发展中的。而当时我国半导体生产的基础条件根本不能满足大规模集成电路发展的要求[2]。

当时国内半导体车间所用的工艺设备绝大部分都是国产的、用于早期晶体管小量生产的产品。有很多关键设备是自制的，例如制版用的高精度初缩机；栅氧化用的三氯乙烯氧化设备；光刻用的高速匀胶机；刻蚀多晶用的等离子刻蚀设备等。这些设备根本不能满足大规模集成电路生产对设备的高精度和自动化要求。王守武曾回忆，“当时半导体研究所使用的设备和基础材料，只有显微镜、光刻胶和乳胶版三样是进口的，而一些核心设备像电镜、光刻机以及相关的技术和产品，根本不卖给中国。”[3]

当时国内半导体生产所用的原材料也大都不能满足大规模集成电路生产的要求。例如当时所用最纯的化学试剂也只是达到优级纯（高于分析纯），但它仍含有大量不溶性颗粒物，因而会在集成电路芯片上造成缺陷，从而大大影响成品率。

当时国内半导体器件与集成电路生产所普遍使用的厂房也就是卫生条件好一些、干净一些的密封空调房间，空气并未经过净化过滤，灰尘含量通常为每立方英尺几百万颗（直径在0.5μm以上的灰尘），这样的条件下，硅片上的灰尘污染当然很严重。

然而就是在这样的条件下，我国科学家也取得了一些阶段性的成绩。北京大学物理系王阳元于年领导研制成功三种类型的位（1K容量）MOS动态随机存储器（DRAM），特征尺寸为8微米，属于大规模集成电路。年10月，中国科学院半导体研究所王守武团队研制成功了4K容量的DRAM，其特征尺寸为5微米，次年批量生产。年，王守武领导研制出16K容量DRAM样片，元件集成度达到了3万6千，特征尺寸3~5微米，但是成品率较低。总体上，无论是在存储器还是微处理器的研制方面，中国还远远落后，不要说64K（3微米），就是16K（5微米），都是很难达到的。进入80年代，我国和世界的差距进一步拉大。年美国德州仪器公司批量生产了TMS静态随机存储器，其容量为16K，集成度为15万元件，工艺为1~1.5微米。年，英特尔公司生产出了处理器，集成度为13.4万元件，工艺为1~1.5微米。

2.2面临的封锁

在存在巨大差距的同时，我国的微电子事业还面临着西方国家的全方位封锁。西方国家对我国微电子全方位封锁主要是通过巴黎统筹委员会（简称“巴统”）对中国相关技术、设备、产品的全面禁运实现的。巴黎统筹委员会是年11月在美国的提议下成立的，总部设在巴黎，其全称是“输出管制统筹委员会”(CoordinatingCommitteeforMultilateralExportControls)。巴统的宗旨是执行对社会主义国家的禁运政策，其禁运产品包括军事武器装备、尖端技术产品和战略产品三大类。年，巴统成立了中国委员会，是专门针对中国实行禁运的执行机构[4]。年的巴统禁运手册规定（见图1）：生产或测试电子产品的设备中，5微米以下的光刻机对中国是严格禁运的（IL）；电子产品和相关技术中，4K容量DRAM（特征尺寸5微米）的相关产品和技术对中国是严格保密和禁运的（IL）。

在对中国严格禁运的同时，美国等西方国家还通过对韩国和中国台湾地区的扶持来进一步达到封锁中国内地微电子事业的目的。年，美国在中国台湾“工研院”建设3英寸晶圆生产线，年即建成投产。年，韩国电子技术研究所（KIET）从美国购买3英寸晶圆生产线，次年投产。年，中国台湾地区的联华电子建立4英寸晶圆厂。年代初，韩国、中国台湾地区在美国技术、资金的转移和支持下，获得了动态随机存储器的技术突破，韩国达到了16K水平，中国台湾地区则直接从64K起步。

3封锁的突破

美国等西方国家对我国微电子事业的全方位封锁，目的是卡住我国电子工业的脖子，是我国迈向超大规模集成电路研究和生产的最大障碍。而要想达到超大规模集成电路水平，进而实现电子技术的现代化并带动相关行业的高速发展，就必须要突破这一封锁。为此，我国的微电子学专家、工程师和工人们通力合作和紧密协作。例如，王守武在意识到要提高产品成品率就要有稳定的设备保证这一关键问题后，就带领半导体所的同仁开始攻克设备关，并于后来开发了我国第一台分子束外延设备、双稳激光器等核心设备[5]。中国的科学家下定决心要打破封锁，跨越微米级难关，其中微米级超大规模集成电路关键性技术的突破主要是在新成立的清华大学微电子所进行的。

3.1清华大学微电子所的成立

清华大学在半导体微电子领域有着雄厚的基础。早在年，北京大学半导体物理专业开办伊始，清华大学就从电真空专业三年级学生中抽调曹培栋等八人前往北大学习。与此同时，清华也开始了半导体实验室的筹建，并聘请王守武兼任清华半导体教研组主任，开始了教学与科研活动。年3月，获得了苏联列宁格勒大学（现圣彼得堡大学）物理——数学科学副博士学位的李志坚正式加入清华大学半导体教研组，被任命为半导体教研组副主任，大大增强了半导体教研组的科研力量。随后李志坚先后领导了多晶硅提纯、平面硅晶体管研制等工作，并且培养出了吴德馨、徐葭生、郑厚植、钱佩信等半导体专业的人才。年11月30日，林彪“一号命令”下达，清华大学半导体教研组的绝大部分师生随无线电系迁到绵阳，被编为电子厂四连，李志坚担任连长。由于条件限制，电子厂四连在建设校舍、置办实验室之后，主要展开了微波半导体器件和集成电路方面的研究，在方向上主攻双极电路和晶体管，并与成都九七零厂、北京半导体器件二厂、北京电子管厂等进行了有效的协作，进行新器件和电路的研制[6]。

在半导体教研组迁往绵阳之后，清华大学自动控制系（即现清华大学计算机科学与技术系）担负起了MOS集成电路开发的重任，在北京清华大学校内改建成立了集成电路生产车间，并且请半导体教研组的徐葭生和李瑞伟留在北京主持MOS生产线的开发。在当时，MOS集成电路技术还存在不少困难，大家对它的发展前途仍有很多疑虑。年，徐葭生带领十几个中青年教师投入了开拓我国MOS集成电路的研究开发与应用推广的事业。年清华大学北京集成电路车间开发的系列PMOS（PositiveChannelMetalOxideSemiconductor，指N型衬底、P沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管）集成电路产品在全国推广应用[7]。

年5月，中央决定撤销清华大学绵阳分校，10月开始搬迁回京。此时的李志坚心里十分明白微电子领域的中国和世界之间存在的差距。即使在“文革”中，他也一直不忘跟踪国外最先进的微电子科技，并一直在考虑如何能把之前的研究延续下去。“文革”期间他就曾四处寻找国外文献，翻译、整理了关于国外微波功率晶体管发展概况、设计、工艺、可靠性等方面的综述文章《微波功率晶体管的进展》，这篇文章发表在《国外电子技术》年第1期。半导体教研组回到清华后，半导体专业的归属是一个新的问题，是回到无线电系，还是成立一个新的组织机构呢？

年12月18日至22日中共十一届三中全会确立了以发展经济建设为中心的战略思想和改革开放的方针。年3月，第四机械工业部颁发了“关于扩大研究所自主权的试行办法”，指出：电子工业系统的开发研究机构将是技术和经济结合的组织，它可以利用其技术上的优势，把技术和研制的产品作为商品与其他单位进行交换，发生经济联系。因此，用经济办法管理研究所是改革研究所管理的重要环节；扩大研究所的自主权是科研体制改革的重要内容。年中央又宣布了科学技术面向经济和经济依靠科学技术的新方针。会议要求电子工业认真贯彻调整、改革、整顿、提高的方针，在国家统一部署安排下，对三线的科研单位进行有计划、有步骤的调整、撤并、搬迁，以改善科研条件。之后又采取了一系列改革措施，不断解决科研面向生产、面向经济的问题。

通过综合分析国内外的环境、自身的条件和与尖端的差距，李志坚提出了建立一条自己的试验线，展开超大规模集成电路研究的想法。李志坚之所以提出这样宏大的目标：其一是考虑到，清华大学绵阳分校的半导体专业和北京集成电路车间的合并大大加强了清华半导体方向的研究和生产能力；其二是目前的优势在于CMOS的研究，并且形成了包括半导体工艺、器件物理、电路设计和CAD技术等几个子方向的全面和先进的微电子技术发展格局；其三是李志坚在文革期间对国外电子技术的追踪使他更明晰国外的尖端在哪个方向，我们的差距是什么。李志坚的这一想法得到了时任清华大学校长高景德的肯定和支持。

年8月，清华大学校长工作会议议决：成立跨系跨学科的研究所——微电子学研究所，建制直属学校领导，南德恒任所长，李志坚为副所长，主抓科研。微电子所最重要的工作是：建立实验基地，引进关键设备，开展新的单片集成电路研究与设计、器件物理及其性能研究、计算机辅助设计及测试工作、新工艺方面的研究①。微电子所成立时全所人员总数为人，教师74人，只有李志坚一名教授，技术员3人，职员2人，工人58人。高景德校长提出，清华大学要做中国乃至世界第一的微电子。在国家科委、教委经费没有立即到位的情况下，高校长拿出清华大学的经费，其中包括清华教师的工资钱，作为微电子所的前期科研经费②。

①详细内容可见：清华大学第十六次校长工作会议决定。②王志华教授口述访谈，王公等人年5月12日访谈记录于北京清华大学。

据李志坚回忆：“为了迅速追上国际先进水平，在十一届三中全会后，国家开始实施第六个五年计划时就强调高技术的科学研究。我们（当时的专业领导有南德恒、杨之廉、顾祖毅、贾松良、王天爵和我等）就乘此东风筹建新的超净实验室，并且在设备、原料方面都开始有了新的突破，这一切为微电子所日后的工作创造了物质基础。”[7，页]

在设备方面，为了满足大规模集成电路研制的需要，有些关键设备是与有关设备生产单位协作开发的。例如掩模制造用的高精度分步重复精缩机就是由清华大学电子系与精密仪器系共同设计制造，由半导体车间试用并提出改进意见，经过多次改型才最后定型生产的。这个分步重复精缩机成为了当时国内集成电路生产厂普遍采用的设备。

在半导体生产原料方面，半导体车间与北京化学试剂厂协作生产出了电子纯和纯度更高的MOS纯产品。又例如与北京化工三厂协作生产出能满足大规模集成电路生产要求的光刻胶等。这些产品都成为了当时集成电路产业普遍采用的基础原材料。实际上，当时很多半导体生产所用原材料厂都以通过清华大学半导体车间试用作为他们开发产品的重要参考。

为了满足大规模集成电路电路研制的需要，半导体车间的同志自己设计、自己采购材料联系施工，对原来的m2实验室进行了净化改造，建成了净化级别达到级（每升空气含1μm以上灰尘个以下）和0级的超净车间平方米。当时在国内是少有的可以满足集成电路生产要求的超净车间。它不仅为当时半导体车间的集成电路研制提供了合格的净化环境，也为后来微电子所的研究开发准备了基础条件。这一净化房还为当时国内集成电路产业提供了很多可供参考的经验，成为许多集成电路厂厂房改造与建设的标杆[8]。

3.2“3微米”台阶的跨越

在建立起了超净车间后，微电子所进一步的目标就是要突破国外封锁，开发我们自己的超大规模集成电路技术。当时国内半导体研制所能达到的最小精度是5微米水平，国际上已经达到了1微米以下精度。巴黎统筹委员会规定5微米以下的超大规模集成电路的设备、技术和产品都是要严格对中国禁运的，目的是卡住中国微电子工业发展的脖子。为了突破这一封锁，李志坚决定分两步走：先突破3微米水平；再自主建起来一条生产线，实现1微米的突破。

清华大学微电子所刚成立时，能够达到的工艺水平是8微米，他们就从8微米起步一步一步向3微米台阶迈进。李志坚认为有三个关键点。第一，设计是最主要的，首先要设计出来，才能完成后面的工作。第二是工艺，设计出来的图纸要经过流水线生产出来。这其中包括一系列的具体工艺流程，如：微细图形加工、高密度集成电路的设计方法、微小器件的结构和器件物理、材料的性能和薄膜生长技术、高密度集成器件的可靠性物理、集成电路的测试图案设计和测试技术以及质量控制等。微电子所的最终目标就是要完成整套开发工艺，最终能够自己设计、自己生产。第三就是测试，生产出来的样品，要有合理的测试方法，保证达到指标。这样一个过程注定是复杂的，也必将是一个持久战，需要层层突破，连续作战，奋力冲刺。

从8微米出发，李志坚团队首先迈向的是6微米技术台阶，有微电子所的基础以及国内的同仁协助，这个小目标完成得还算顺利。年他们研制成功了1K静态随机存储器QM，其工艺为6微米，该器件不仅性能符合微处理机等的实用要求，可以与国外同类产品Intel互换，且功耗远低于Intel。此外，该产品在工艺研究上也提供了转入小批量生产的条件，被推广给北京厂、所、上海元件五厂等单位量产，并且获得了年北京市科技进步二等奖[9]。在此基础上，李志坚开始向4微米台阶迈进。该团队于年研制成功了1K×4静态随机存储器CM，这是一种广泛应用于各种小型微处理机上的半导体存储器，是当时国内整机非常需要的一种大规模集成电路产品。CM采用5微米设计规则，含有多个元件，最终达到了4微米技术水平。检测结果表明，该器件符合国内外系列品种标准，能与国外同类产品互换，并且具有低功耗的优势，被推广给上海元件五厂量产，并且获得了电子工业部科技进步一等奖[10]。此外，CM存储器的研制成功也带动了微处理器的研制进展。李志坚团队研制成功了CmA单片N沟道MOS高速8位微处理器，该器件采用了当时比较先进的准等平面、4微米N沟道硅栅自校准、全离子注入法等微电子生产工艺，其电参量达到了国外同类产品水平，性能良好，可以和IntelA互换使用，对我国8位微处理机的大规模集成电路国产化做出了贡献[11]。

经过前面几年的预研，李志坚所带领的清华大学微电子所在微细加工、电路设计、器件物理和测试技术等方面都取得了较大的突破。接下来，他们要突破的是3微米技术水平的台阶。突破3微米，就意味着达到或接近超大规模集成电路的目标了。3微米工艺的典型成品是16K动态随机存储器。而基于国内的实际需要，李志坚团队决定对标美国德州仪器公司年研制成功的16K容量静态随机存储器TMS。16K动态随机存储器的元件数大约是个，而静态随机存储器的元件数是动态随机存储器的4到6倍，将突破十万元件的界线，从而达到超大规模集成电路的水平。李志坚带领团队对标TMS，开展“解剖专题”，他们首先将TMS的内部结构研究透彻，做到了解对手特点的基础上超越对手。在电路研制方面，他们通过对半导体的短沟、窄沟效应、栅氧化生长质量、垫多晶浅结工艺、图形完整性等工艺技术问题的研究，摸索出一套比较合理的3微米双层多晶工艺规程。

在研制过程中总会出现各种各样的问题，在一次实验过程中，产品的一个位置总是出现问题，造成各项指标均不达标。当时大家都表示自己的环节是没有问题的，甚至出现争执，但是谁也不知道问题出在什么地方。因为微电子研发是一项集体攻关的系统工程，李志坚就在第一时间把大家召集起来，他一方面要求各个环节都要仔细检查，同时决定多进行几次测试。经过测试，发现这个问题很有规律性，总是在一个位置出现。他首先假设是设计有了问题，因为只有是设计错了，才容易出现有规律的错误；如果是生产中的问题，所产生的误差一般是随机的。李志坚和设计组的同事一起检查设计的每一个环节，但检查结果显示设计环节没有问题。按照流程，设计之后应该是工艺。设计组设计出图之后，工艺线要按照图纸做成电路板。工艺组的生产过程有点像洗照片，先按照设计组的电路图来制作硅片，然后在硅片上涂上特殊的感光胶。这时，硅片就相当于相纸，上面的胶就相当于相纸上面的感光材料。整个生产过程就如同照片的曝光过程，有孔有线的地方不曝光，然后再腐蚀，这样孔和线就保留下来了。不过和照片曝光不同，一般微电子研发的电路板都要有十几层乃至二十几层，一会儿刻线，一会儿刻孔，最后还要一层叠在另一层上面，和在一起。在设计组没有发现问题之后，李志坚又和设计组一起下到生产线，和工艺组一起检查工艺的问题。检查发现，工艺线生产过程中，电路底板上面有一个灰尘，所以后面每次曝光、腐蚀都会在这个地方出问题，表现出的就是一个规律性的问题。检查出问题后，这块电路板很快就生产出来了。①

①齐家月教授口述访谈,王公等人年1月11日访谈记录于清华大学。

李志坚和团队研制成功的3微米典型产品是CM（2K×8NMOSSRAM），这是一款16K静态MOS随机存储器。CM是国内首次研制成功的一种超大规模集成电路，它在28平方毫米的芯片上集成了十万八千个元件，采用了国际上比较典型的3微米工艺技术和计算机辅助设计技术，并且做成了2K×8位结构，使其可以广泛地用于微处理机和各种自动控制设备。经过清华大学计算机系的试用表明，CM完全可以取代进口的HM和TMS等产品，完全符合国际产品标准，达到了国际80年代初、国内领先的水平。与美国的同类产品TMS相比较，两个重要的技术指标，CM的地址取数时间小于纳秒，工作功耗小于毫瓦（美国的产品地址取数时间小于纳秒，工作功耗小于毫瓦），显然CM的主要指标要好于美国的同类产品[12]。与CM配套，李志坚团队对标Intel微处理器，通过进行全面的技术剖析，结合具体的条件，同时研制成功了Cm高速H-MOS16位微处理器，并且与中国科学院微电子中心合作，开发出了一套完整的测试软件，从而解决了研制16位微处理器的难题。经过鉴定，该Cm高速H-MOS16位微处理器的性能达到了国外同类产品水平，并且能与它们互换使用，对我国16位微型机CPU的国产化提供了重要的技术基础。北京厂、厂等12家单位承接了CM和Cm的研究成果，开始了批量生产[13]。年6月，“大规模和超大规模集成电路研制及3微米工艺开发”获国家科技进步二等奖（李志坚排名第一）。

3微米技术的突破，标志着我国集成电路的研究跨进了超大规模集成电路的新时代，其中主体技术已经达到了国外80年代初的水平，部分技术已经达到了国际同期水平。这些工作打破了以美国为首的西方国家对我国半导体微电子技术的禁运，使我国半导体和集成电路的研制水平上到了新的台阶，加强了我国与外商谈判的地位。

年的巴黎统筹委员会禁运手册上，对我国集成电路相关内容的禁运开始有了新的调整（见图2），在设备方面：3微米及以上的设备对我国解禁，但2微米以下的设备仍然是严格禁运的；在产品方面：动态随机存储器的容量开放到K，静态随机存储器的容量开放到64K，相当于2微米水平。

3.3跨越“1微米”

3微米大规模集成电路工艺开发研制成功后，巴黎统筹委员会将对中国的半导体技术禁运做了更改，3微米以上的技术就不再对中国禁运了，但是3微米以下、尤其是2微米以下的技术对中国仍然是严格禁运的。

在此期间，国家对集成电路的研究、生产和产业发展十分

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