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导读

为落实《财政部办公厅国家知识产权局办公室关于实施专利转化专项计划助力中小企业创新发展的通知》（财办建〔)23号)，发挥国家平台促进知识产权运用职能，展示知识产权助力经济高质量发展的作用。国家知识产权运营公共服务平台（西安）试点平台汇总多项专利转化应用实例，推出专题报道，供大家学习参考。

三星发明的半导体器件方案，能够改善连接栅电极、源极和漏极区的节点接触结构，并进一步改善静态随机存取存储器（SRAM）器件的工作特性和可靠性，从而有利于提高半导体器件的密度。

微缩技术可以用于提高半导体器件的密度，并逐渐发展了各式各样的多栅极晶体管，这种晶体管通常具有鳍形状和纳米线形状的多沟道有源图案，图案形成于芯片衬底上，在有源图案上还设置有栅极结构。

由于这种多栅极晶体管利用三维沟道来实现，因此比较容易进行微缩。此外，即使不增加多栅极晶体管的栅极长度也可以提高电流控制能力，并可以有效地抑制沟道区的电势受漏极电压影响的短沟道效应（SCE）。

而随着目前2~3nm芯片技术的深入研究以及半导体器件的节距尺寸减小，需要确保半导体器件中的接触之间的电容减小和电稳定性。为此，三星在年7月6日申请了一项名为“半导体器件”的发明专利（申请号：10761662.0），申请人为三星电子株式会社。

根据该专利目前公开的相关资料，让我们一起来看看这项方案吧。

如上图，为该专利中发明的半导体器件的电路示意图，该半导体包括并联连接在电源节点Vcc和接地节点Vss之间的一对反相器INV1和INV2，以及连接到两个反相器中的每一者的输出节点的第一传输晶体管PS1和第二传输晶体管PS2。

第一反相器包括串联连接在电源节点与接地节点之间的第一上拉晶体管PU1和第一下拉晶体管PD1。同时，第二反相器包括串联连接在电源节点与接地节点之间的第二上拉晶体管PU2和第二下拉晶体管PD2。这两种上拉晶体管均为P型晶体管，下拉晶体管为N型晶体管。

而且，为了使第一反相器和第二反相器形成单个锁存电路，第一反相器的输入节点连接到第二反相器的输出节点，并且第二反相器的输入节点连接到第一反相器的输出节点，在上图中以SRAM单元的存储单元用作示意。

如上图，为上述半导体器件的放大布局图，在该结构中：、、、和为有源图案；、、、、、、和为栅电极；、、和为桥接部件；、、和为节点部件；、、、、、、、和为源极和漏极部件，以及、、和为栅极部件。

有源图案设置在SRAM区域中，第一有源图案、第二有源图案和第四有源图案设置在SRAM的PMOS区域中，第三有源图案和第五有源图案设置在SRAM的NMOS区域中。这些有源图案均从各自的第一方向D1上纵长地延伸。

在衬底上还铺设有场绝缘膜，其通常形成于上述有源图案的侧壁上，且突出到场绝缘膜上表面的上方，可以用例如等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工艺和低压化学气相沉积（LPCVD）工艺的化学气相沉积（CVD）工艺来形成。

在上述第二层间绝缘膜中设置有布线团，其也在第一方向D1上纵长地延伸。布线图案不使用通路结构连接到第二源极上，从而可以减少从第一外延图案到布线图案的高度。且由于到布线图案的高度减小，因此晶体管的源极和漏极区与布线图案之间的电阻也可以减小，从而能够提高半导体器件的工作性能和可靠性。

如上图，为半导体器件的截面示意图，在该半导体结构中，第一节点覆盖图案的下表面b_CAP在第一方向D1上的宽度大于第一节点接触的上表面us在第一方向D1上的宽度。此外，第一节点覆盖图案的下表面在第二方向D2上的宽度大于第一节点接触的上表面在第二方向D2上的宽度。

以上就是三星发明的半导体器件方案，这种半导体器件能够改善连接栅电极、源极和漏极区的节点接触结构，进一步改善静态随机存取存储器（SRAM）器件的工作特性和可靠性，从而有利于提高半导体器件的密度。

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来源：天天IP

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