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11.3.2直流电动机驱动
11.3电动机驱动的电力电子学
第11章 碳化硅器件在电力系统中的应用
《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
代理产品线:1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明2、国产MCUPtPSTMcu、GDMcu,引脚亦可转换位置灵活重新定义3、国产FPGA:原位替换XILINX/赛灵思:SPARTAN6系列4、国科微GKVPtPHiEVHiERNCV低功耗IPC5、国科微GKVPtPHiEVHiERNCV4M18fps6、GKVPINtoPINHiEVHiERBCV高清视频编码7、GKVPINtoPINHiDVHiDRBCVHDIP摄像机IC8、MCU.十速科技.32位∈4位、8位、单片机
9、中国芯.HXC2.4GPA芯片直接PINtoPIN替换XX
10、陆芯:单管IGBT、IGBT模块、SiC混合型IGBT、SGTMOS新能源电动汽车、电机驱动领域、高频电源领域、感应加热等领域
11、亚成微:AC-DC电源管理IC、线性LED照明驱动IC、氮化镓(GaN)及快充方案、功率MOSFET
12、拓尔微:电源管理IC、马达驱动IC、电池管理IC、PMIC、LED驱动IC、TWS专用、充电管理IC
13、晶存科技:DDR3DDR4LPDDR3LPDDR4/4XeMMCeMCP用于车载手机平板音箱电视等
14、峰岹[tiáo]科技电机驱动IC:三相ASIC.单相ASIC.驱动IC.功率器件.MCU.IPM用于工业设备.运动控制.电动工具
往期内容:
11.3.1电动机和电动机驱动的简介∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
11.2.3开关模式逆变器∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
11.2.2开关模式直流-直流变换器∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
11.2.1工频相控整流器和逆变器∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
11.1电力电子系统的介绍∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
11.1电力电子系统的介绍
第11章 碳化硅器件在电力系统中的应用
10.3器件性能比较∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
10.2.2横向漂移区∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
10.2.1垂直漂移区∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
10.2单极型器件漂移区的优化设计
10.1.7多浮空区(MFZ)JTE和空间调制(SM)JTE
10.1.6浮空场环(FFR)终端∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
10.1.5节终端扩展(JTE)∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
10.1.4斜面边缘终端∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
10.1.3沟槽边缘终端∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
10.1.2二维电场集中和结的曲率∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
10.1.1碰撞电离和雪崩击穿∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
第10章 功率器件的优化和比较
9.3.6.2 负的栅极脉冲关断∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
9.3.6.1 电压反转关断∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
9.3.5 di/dt的限制∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
9.3.4 dv/dt触发∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
9.3.3 开通过程∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
9.3.2 正向阻断模式和触发∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
9.3.1 正向导通模式∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
9.3 晶闸管∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
9.2.4 器件参数的温度特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
9.2.3 开关特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
9.2.2 阻断电压∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
9.2.1 电流-电压关系∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
9.2 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
9.1.10阻断电压∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
9.1.9 共发射极电流增益:复合效应∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
9.1.8 共发射极电流增益:温度特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
9.1.7 集电区的大电流效应:二次击穿和基区扩散效应
9.1.6 基区中的大电流效应:Rittner效应∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
9.1.5 集电区中的大电流效应:饱和和准饱和∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
9.1.4 电流-电压关系∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
9.1.3 端电流∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
9.1.2增益参数∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
9.1.1内部电流∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
9.1 双极结型晶体管(BJT)
第9章 双极型功率开关器件
8.2.12.1-4开通过程∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
8.2.12MOSFET瞬态响应∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
8.2.11氧化层可靠性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
8.2.10.34H-SiC反型层迁移率的实验结果
8.2.10.2反型层迁移率的器件相关定义
8.2.10.1影响反型层迁移率的机理
8.2.9阈值电压控制∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
8.2.8UMOS的先进设计∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
8.2.7DMOSFET的先进设计∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
8.2.6功率MOSFET的实施:DMOSFET和UMOSFET
8.2.5比通态电阻∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
8.2.4饱和漏极电压∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
8.2.3MOSFET电流-电压关系∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
8.2.2分裂准费米能级的MOS静电学∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
8.2.1MOS静电学回顾∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
8.1.6功率JFET器件的实现∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
8.1.5增强型和耗尽型工作模式∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
8.1.4比通态电阻∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
8.1.3饱和漏极电压∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
8.1.2电流-电压关系∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
8.1.1夹断电压∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
8.1结型场效应晶体管(JFET)
第8章 单极型功率开关器件
7.4结势垒肖特基(JBS)二极管与混合pin肖特基(MPS)二极管
7.3.4电流-电压关系∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
7.3.3“i”区的电势下降∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
7.3.2“i”区中的载流子浓度∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
7.3.1大注入与双极扩散方程∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
7.3pn与pin结型二极管∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
7.2肖特基势磊二极管(SBD)∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
7.1.3双极型功率器件优值系数∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
7.1.2单极型功率器件优值系数∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
7.1.1阻断电压∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
第7章 单极型和双极型功率二极管
6.5总结∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.4.2.3p型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.4.2.2n型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.4.1.2SiC上的肖特基接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.4.1.1基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.7迁移率限制因素∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.5.5界面的不稳定性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.5.4其他方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.5.3界面氮化∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.5.2氧化后退火∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.5.1界面态分布∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.4.8其他方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.4.7电导法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.4.6C-Ψs方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.4.5高低频方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.4.3确定表面势、6.3.4.4Terman法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.4.2MOS电容等效电路∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.4.1SiC特有的基本现象∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.3热氧化氧化硅的结构和物理特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.2氧化硅的介电性能∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.3.1氧化速率∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.2.3湿法腐蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.2.2高温气体刻蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.2.1反应性离子刻蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.1.6离子注入及后续退火过程中的缺陷行成∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.1.5高温退火和表面粗糙化∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.1.4半绝缘区域的离子注入∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.1.3p型区的离子注入∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.1.1选择性掺杂技术∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
6.1.1选择性掺杂技术∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
第6章 碳化硅器件工艺
5.4总结∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
5.3.2.1寿命控制∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
5.3.2载流子寿命“杀手”∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
5.3.1.2杂质∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
5.3.1.1本征缺陷∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
5.3SiC中的点缺陷
5.2.3扩展缺陷对SiC器件性能的影响∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
5.2.1SiC主要的扩展缺陷5.2.2双极退化∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
5.2SiC的扩展缺陷
5.1.6.2电子顺磁共振∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
5.1.6.1深能级瞬态谱∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
5.1.5.3光致发光映射/成像、5.1.5.4表面形貌的高分辨映射
5.1.5.2X射线形貌∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
5.1.5.1化学腐蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
5.1.4.4衬底和表面处的载流子复合效应∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
5.1.4.3反向恢复(RR)∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
5.1.4.2光电导衰减(PCD)∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
5.1.3霍尔效应及电容-电压测试∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
5.1.2拉曼散射∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
5.1.1.5本征点缺陷∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
5.1.1.4其他杂质∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
5.1.1.3施主-受主对的复合∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
5.1.1.2束缚于中性掺杂杂质的激子∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
5.1.1光致发光∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
5.1表征技术
第5章 碳化硅的缺陷及表征技术
4.8总结∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
4.7.23C-SiC在六方SiC上的异质外延生长∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
4.7.13C-SiC在Si上的异质外延∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
4.6其他SiC同质外延技术∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
4.5.3SiC嵌入式同质外延∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
4.5.2SiC在非基矢面上的同质外延∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
4.5.1SiC在近正轴{}面上的同质外延∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
4.4SiC快速同质外延∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
4.3.2深能级缺陷∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
4.3.1.4次生堆垛层错∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
4.3.1.3位错∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
4.3.1.2微管∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
4.3.1.1表面形貌缺陷∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
4.2.3p型掺杂∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
4.2.2n型掺杂∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
4.2.1背景掺杂∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
4.1.5SiC外延的反应室设计∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
4.1.4表面形貌及台阶动力学∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
4.1.3生长速率及建模∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
4.1.2SiC同质外延的理论模型∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
4.1.1SiC外延的多型体复制∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
第4章 碳化硅外延生长
3.9总结∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
3.8切片及抛光∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
3.7化学气相淀积法生长3C-SiC晶圆∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
3.6溶液法生长∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
3.5高温化学气相沉淀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
3.4.3p型掺杂/3.4.4半绝缘型∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》3.4.2n型掺杂∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
3.4.1杂质掺杂∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》3.3.5减少缺陷∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
3.3.4贯穿刃型位错及基矢面位错∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
3.3.3贯穿螺型错位∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
3.3.2微管缺陷∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
3.3.1堆垛层错∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
3.2升华法生长中多型体控制∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
3.1.3建模与仿真∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
3.1.2.1热力学因素、3.1.2.2动力学因素∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
3.1.2升华(物理气相运输)法过程中的基本现象∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》3.1.1Si-C相图∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
第3章 碳化硅晶体生长
2.4总结∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2.3热学和机械特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
2.2.6击穿电场强度∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
2.2.5漂移速率∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
2.2.4迁移率∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
2.2.3杂质掺杂和载流子浓度∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
2.2.2光吸收系数和折射率∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
2.2.1能带结构∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
2.1晶体结构∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
第2章 碳化硅的物理性质
1.3 本书提纲∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
1.2 碳化硅的特性和简史∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
1.1 电子学的进展∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
第1章 导论
国产碳化硅(SiC)器件替代进口:
SiCSBD(MPS-PIN)-混合PiNSchottky(MPS)二极管
SiCMOSFET
链接:MCR:MOSControlledRectifier,MOS控制的二极管/整流器,超低反向漏电、°结温、高浪涌
链接:MCR二极管、SBD二极管、FR-MOS管晶圆选型说明
微电:张先生
报告下载:芯形势.报告下载.《第三代半导体产业发展报告()》芯形势.下载.国盛.半导体设备系列:薄膜生长设备,国产突破可期芯形势.下载.华西-半导体前道设备:年前道设备,再迎新黄金时代设备及书籍推荐:
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