芯媒体合作伙伴招募广告

IGBT：是一种大功率的电力电子器件，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。三大特点就是高压、大电流、高速。它是电力电子领域非常理想的开关器件。

纵观全球市场，IGBT主要供应厂商基本是欧美及日本几家公司,它们代表着目前IGBT技术的最高水平,包括德国英飞凌、瑞士ABB、美国IR、飞兆以及日本三菱、东芝、富士等公司。在高电压等级领域(V以上)更是完全由其中几家公司所控制,在大功率沟槽技术方面,英飞凌与三菱公司处于国际领先水平。这些公司不仅牢牢控制着市场,还在技术上拥有着大量的专利。

场效应管和IGBT有什么不同？IGBT更强大。因为场效应管主要是靠导电层的夹断来控制导通和关段的，容易击穿和静电危机。。但是IGBT是绝缘栅双极晶体管一般场效应管的优点它都有IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。专业名字为绝缘栅双极型功率管。通俗点说GBT管是有MOS管（场效应管）和双极型达林顿管结合而成。将场效应管做为推动管，大功率达林顿管作为输出管。这样两者优点有机的结合成现在的IGBT管，功率可以做的很大。场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junctionFET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（～Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。

IGBT更强大。因为场效应管主要是靠导电层的夹断来控制导通和关段的，容易击穿和静电危机。。但是IGBT是绝缘栅双极晶体管一般场效应管的优点它都有

半导体人临走记得点下方拇指留下脚印。如觉文章不错，转发更多朋友，私信留言评论，传递咱半导体人的观点。

推荐

转载请注明:http://www.aideyishus.com/lkzp/51.html