北京世纪金光半导体有限公司”自主研发的IGBT功率模块研制成功。

　　北京世纪金光半导体有限公司目前IGBT模块产品电压为V和V，电流可覆盖至50A-A，V和VIGBT模块已经在风电、光伏、新能源汽车控制器等领域已通过验证，与国际厂商同类产品使用效果基本一致，同时可根据客户具体需求定制产品。

　　北京世纪金光半导体有限公司的V和VIGBT模块产品正在研发之中。

　　IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和mos(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。所以IGBT模块非常适合应用于直流电压为V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

关于IGBT一些演讲报告如下：

IGBT技术发展（中科院微电子所-刘新宇）

电力系统用电力电子器件发展与展望（国家电网-温家良-）

高功率IGBT的技术前沿-高溫、高密度、便扩容（英飞凌-马国伟）

高压大功率IGBT在柔性直流输电系统中的应用

焊料质量水平对半导体功率模块封装质量的影响（广州汉源-杜昆）

汽车IGBT芯片与模块技术研究（株洲中车时代电气-罗海辉）

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