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IGBT——绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor),顾名思义,是由BJT(双极结型晶体三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)构成的复合型功率半导体器件,兼有MOS管的高输入阻抗和晶体管的低导通压降两方面的益处,因而特别合用于高电压、大电流的运用途面(频次不如MOS管)。
IGBT标识及等效电路
.IGBT的基本学问IGBT是电压管束型器件,它惟有开关特点(通和断两种状况),没有强调特点。由IGBT等效电路可知,它以是晶体管为主宰元件,以MOS管为启动元件的达林顿机关。当栅极电压Uge抵达开启电压,IGBT导通,当Uge=0也许负电压时(负电压效用:牢固关断),IGBT断开。
罕见的有IGBT单管和IGBT模块两种机关。
IGBT模块什物图
晶体管、MOS管、IGBT对照
2.IGBT要紧参数士兰微某款IGBT规格书
士兰微某款IGBT规格书
①集电极—射极电压(VCE):停止状况下集电极与发射极之间也许承担的最大电压。
②栅极—射极电压(Vge):栅极与发射极之间同意施加的最大电压,每每为±20V。栅极的电压记号管束IGBT的导通和关断,其电压不行超出Vge值。
③集电极电流(IC):IGBT在饱和导通状况下,同意继续经过的最大电流。
④饱和压降Vce(sat):IGBT在饱和导通状况下,集电极与发射极之间的压降。该值越小,则管子处事时的功率花费越小。
⑤开关工夫:它包罗导通工夫ton和相干工夫toff。导通工夫ton又包罗导通推迟工夫td和飞腾工夫tr。关断工夫toff又包罗关断推迟工夫td和下落工夫tf。
3.IGBT启动电路由于功率IGBT在电力电子配置中多用于高压场面,以是启动电路务必与周全管束电路在电位上全部隔断,要紧的路径及其优毛病以下表所示。
启动电路与管束电路隔断的路径及优毛病
脉冲变压器启动电路
阐明:V~V4构成脉冲变压器一次侧启动电路,经过管束V、V4和V2、V3的轮替导通,将启动脉冲加至变压器的一次侧,二次侧经过电阻R与IGBT5栅极邻接,R、R2防备IGBT5栅极开路并供给充放电回路,R上并联的二极管为加快二极管,用以抬高IGBT5的开关速率,稳压二极管VS、VS2的效用是束缚加在IGBT5g-e端的电压,防备太高的栅射电压击穿栅极。栅射电压通常不该超出20V。
光耦启动电路
阐明:由于IGBT是高速器件,所采用的光耦务必是小延时的高速型光耦,由PWM管束器输出的方波记号加在三极管V的基极,V启动光耦将脉冲传送至整形强调电路IC,经IC强调后启动由V2、V3构成的对管(V2、V3应筛选β00的开关管)。对管的输出经电阻R启动IGBT4,R3为栅射结守护电阻,R2与稳压管VS形成负偏压形成电路,VS每每采用W/5.V的稳压管。此电路的特点是只用组供电就可以输出正负启动脉冲,使电路对照简约。
IGBT模块启动典范电路
阐明:运用制品启动模块电路来启动IGBT,完备过流软关断、高速光耦隔断、欠压锁定、阻碍记号输出等功用。由于这种模块具备守护功用完满、免调试、牢固性高的益处,以是运用这种模块启动IGBT也许收缩产物开辟周期,抬高产物牢固性。
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