功率半导体组件与电源、电力遏制运用相关，特征是功率大、速率快，有助擢升动力更动效率，多年来，功率半导体以硅（Si）为根底的芯片计划架组成为合流，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等级三类半导体材料涌现，让功率半导体组件的运用更为多元，效率更高。

高功率组件运用研发同盟秘书长林若蓁博士（现职为台湾经济协商院协商一所副长处）指出，功率半导体组件是电源及电力遏制运用的中央，具备低沉导通电阻、擢升电力更动效率等功效，此中又以MOSFET（金属氧化半导体场效晶体管）与IGBT（绝缘闸双极晶体管）的运用界限最为严重，两者各有上风及不够。MOSFET表演电源电子遏制的脚色，依导电性格与通道差别，又可分为NMOS（N-typeMOS）、PMOS（P-typeMOS）、CMOS（ComplementaryMOS），在大功率半导体范畴中，各式布局的MOSFET表现不同效用。IGBT组件为复合式构造，输入端为MOSFET构造，输出端为BIPOLAR构造，完备低饱和电压、加紧切换等性格，但切换速率逊于MOSFET。保守以硅（Si）材料为基底的IGBT要紧性格为耐高压、高电流，多运用于大功率、大电流的电力装备或电力根底设备，如铁路电网、风力发机电等，缺陷是对比无奈缩装；MOSFET的性格为启动电流小，多运用于变频导向的3C装备或耗费性3C产物，如手机充电器、小家电产物的变压器等，缺陷是无奈经受过大的电压、电流。在本领进展及运用上，MOSFET与IGBT各有痛点待克复。硅（Si）材料因物理机能束缚，在高电压时，耐受性差、更动效率欠安，并且有散热题目，无奈完整应对新陈代谢的电子电力产物需要，加之寰球暖化日趋严峻，列国动力策略踊跃朝净零碳排（NetZero）指标行进，众人

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