功率半导体器件，特别是绝缘栅双极晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT)，它一直是新能源、轨道交通、电动汽车、工业应用、家用电器等应用的核心硅基IGBT由于驱动功率低，饱和压降低，设备具有高电压等级(高达)V)高达A)成为各个领域的中流砥柱

（1）、高功率密度和高开关频率是实现电力电子设备小型化和未来重要发展方向

的必要手段。

（2）、宽禁带器件(如SiliconCarbonMetal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor,SiCMOSFET)它具有击穿场强、工作温度高、开关频率高的特点

（3）、特别是近年来在电动汽车应用的推动下，得到了前所未有的全面、大力、快速的发展

（4）、可靠性已成为继设备特性表征之外最重要的质量评价手段和发展目标，也是国内研究机构和应用者近年来最

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