CP是ChipProbe的缩写，指的是芯片在wafer的阶段，就通过探针卡扎到芯片管脚上对芯片进行性能及功能测试，有时候这道工序也被称作WS(WaferSort)。

FT是FinalTest的缩写，指的是芯片在封装完成以后进行的最终测试，只有通过测试的芯片才会被出货。

从工序角度上看，似乎非常容易区分cp测试和ft测试，没有必要再做区分，而且有人会问，封装前已经做过测试把坏的芯片筛选出来了，封装后为什么还要进行一次测试呢?难道是封装完成度不高影响了芯片的动能吗?不是的，因为从测试内容上看，cp测试和ft测试有着非常明显的不同。

首先受测试治具的限制，在绝大多数情况下，特别是国内，在CP测试上选用的探针基本属于悬臂针(也有叫环氧针的，因为针是用环氧树脂固定的缘故)。这种类型的针比较长，而且是悬空的，因此信号完整性控制非常困难，数据的最高传输率只有~Mbps，高速信号的测试几乎不可能完成。

而且，探针和pad的直接接触在电气性能上也有局限，容易产生漏电和接触电阻，这对于高精度的信号测量也会带来巨大的影响。所以，通常CP测试仅仅用于基本的连接测试和低速的数字电路测试。

虽然理论上在CP阶段也可以进行高速信号和高精度信号的测试，但这往往需要采用专业的高速探针方案，如垂直针/MEMS探针等技术，这会大大增加硬件的成本。多数情况下，这在经济角度上来说是不划算，因此在CP测试阶段只能选择传输率不太高，对良率影响较大的测试项目。

于是，一些测试难度大，成本高但信号率不高的测试项目，完全可以放到FT阶段再测试。也是因为一些芯片的部分模组的管脚在封装之前都不会引出来，在FT阶段很难甚至无法测量，如芯片的封装是SIP之类的特殊形式。在这样的情况下，有些测试就必须在CP阶段进行，这也是在封装前还需要进行CP测试的一个重要原因。

因此，cp测试和ft测试的区别就是：

1)因为封装本身可能影响芯片的良率和特性，所以芯片所有可测测试项目都是必须在FT阶段测试一遍的，而CP阶段则是可选。

2)CP阶段原则上只测一些基本的DC，低速数字电路的功能，以及其它一些容易测试或者必须测试的项目。凡是在FT阶段可以测试，在CP阶段难于测试的项目，能不测就尽量不测。一些类似ADC的测试，在CP阶段可以只给几个DC电平，确认ADC能够基本工作。在FT阶段再确认具体的SNR/THD等指标。

3)由于CP阶段的测试精度往往不够准确，可以适当放宽测试判断标准，只做初步筛选。精细严格的测试放到FT阶段。

4)如果封装成本不大，且芯片本身良率已经比较高。可以考虑不做CP测试，或者CP阶段只做抽样测试，监督工艺。

5)新的产品导入量产，应该先完成FT测试程序的开发核导入。在产品量产初期，FT远远比CP重要。等产品逐渐上量以后，可以再根据FT的实际情况，制定和开发CP测试。

了解了它们之间的不同，我们还可以根据测试项目的不同和重复内容等因素，在具体测试项目中进行判断和取舍了。毕竟增加一个复杂的高速或高精度模拟测试，不仅仅会增加治具的成本，还会增加测试机台的费率和延长测试时间，影响出产成果。

ATECLOU-IC是如何解决以上测试问题的，下面罗列ATECLOU-IC的测试功能及其优势：

测试产品：芯片半导体器件。纳米软件ATECLOUD-IC芯片自动化测试系统适用于二极管、三极管、绝缘栅型场效应管、结型场效应管、单向和双向可控硅、普通和高速光耦、整流桥、共阴共阳二极管及多阵列器件等各类半导体分立器件综合性能自动化测试。

被测项目：温度测试、耐电压测试、引脚可靠性测试、ESD抗干扰测试、运行测试、X射线侵入测试等。

测试场景：研发测试、产线测试、老化测试、一测二测等。

平台优势：

智能自动化测试，提高效能30倍;

开放式无代码搭建，业务定制不再依赖开发团队;

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