场效应管与可控硅驱动电路有本质区别。首先，场效应管通常分为结型场效应管和绝缘格栅场效应管。可控硅通常分为单向可控硅和双向可控硅（可控硅也称为晶闸管，可分为单向晶闸管和双向晶闸管），其中绝缘格栅场效应管也称为MOS管（现场效应管，三极管混合器称为IGBT，通常称为门控管，该装置的驱动电路与现场效应管的驱动电路几乎相同）。该驱动器属于电压驱动器，主要用于功率输出、功率转换等场合。zui需要PWM（脉宽调制）信号来控制，输入格栅极的方波上升需要陡峭（也称为图腾柱输出）。并具有一定的瞬态驱动能力（因为现场效应管的格栅极等于电容，当驱动信号的瞬态功率不够时，原始波形会发生变化，通常等效为一个积分器）。当极高于10-15V时。在实际应用中，为了减少场效应管的过度功耗或防止损坏，一般应增加过流保护和相关吸收电路，并尝试使场效应管的工作频率与负载的谐振频率相同。典型的应用程序是电磁炉。虽然通过炉盘（加热线圈）的电流和通过吸收电容器的电流非常大，但相位不同。相互抵消，叠加后的总电流较小，即通过场效应管（IGBT实际使用）的电流较小。

可控硅是由电流驱动的，因为它相当于两个三极管，形成正反馈放大。当一个信号被触发时，由于强烈的正反馈，它总是被导通。当栅极电压高于阳极电压或阳极，阴极电压差小于一定值时，正反馈失效，可控硅复位。在正常情况下，栅极电压不高于阳极，因此可控硅是一种不可关闭的半控制装置。