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对于召开年第二届国际新动力汽车功率半导体关键技巧论坛的报告
对新动力车来讲,电池、VCU、BSM、机电效率都不足提拔起间,最有提拔起间确当属机电启动部份,而机电启动部份最重心的元件IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor,绝缘栅双极型晶体管芯片)则是最需求器重的。
IGBT约占机电启动系统成本的一半,而机电启动系统占整车成本的15-20%,也便是说IGBT占整车成本的7-10%,是除电池除外成本第二高的元件,也决计了整车的动力效率。
不光机电启动要用IGBT,新动力的发机电和空调部份寻常也需求IGBT。不光是新动力车,直流充电桩和机车(高铁)的重心也是IGBT管,直流充电桩30%的原材料成本便是IGBT。电力机车寻常需求个IGBT模块,动车组需求超越个IGBT模块,一节地铁需求50-80个IGBT模块。
三菱机电的HVIGBT曾经成为业内默许的准则,华夏的高速机车用IGBT由三菱全部把持,同时欧洲的阿尔斯通、西门子、庞巴迪也是一半以上采纳三菱机电的IGBT。
除了日系厂家,英飞凌包办了险些统统电动车的IGBT,而三菱机电则沉迷于华夏高铁的丰富成本中无奈自拔,在低于2V商场险些一无所得。
年寰球电动车销量大略万辆,共花费了大略9亿美元的IGBT管,平衡每辆车大略美元,是电动车里除电池外最昂贵的部件。
个中,混杂动力和PHEV大略77万辆,每辆车需求大略美元的IGBT,纯电动车大略万辆,平衡每辆车操纵美元的IGBT,大功率的纯电公交车用的IGBT大概超越0美元。
甚么是IGBT?
IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)构成的复合全控型电压启动式功率半导体器件。
与从前的各样电力电子器件比拟,IGBT具备如下特点:高输入阻抗,可采纳通用低成本的启动路线;高速开关特点;导通状况低花费。
IGBT兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的益处,在归纳机能方面占据显然上风,分外合适运用于直流电压为V及以上的变流系统如相易机电、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等范围。
上图主如果经由脉冲宽度调制(PWM)的方法把持IGBT开关,将电流从DC变换到AC(电池到机电,启动机电)或许从AC变化到DC(机电到电池,刹车、下坡时能量回收)。
对于混杂动力,除启动机电外,此外再有一个发机电,能够由汽车的带动机带动其发电,而后经由IGBT模块AC/DC变换后向电池充电。在DM车型中,该发机电还能够充任启动机电的影响。
IGBT最罕见的样子原来是模块(Module),而不是单管。模块的3个根本特色:
多个芯片以绝缘方法组装到金属基板上;
空腹塑壳封装,与空气的阻遏材料是高压硅脂或许硅脂,以及其余大概的软性绝缘材料;
统一个建立商、统一技巧系列的产物,IGBT模块的技巧特点与等同规格的IGBT单管基真雷同。
模块的紧要上风有如下几个:
多个IGBT芯片并联,IGBT的电流规格更大。
多个IGBT芯片遵照特定的电路样子组合,如半桥、全桥等,能够缩小外部电路延续的繁杂性。
多个IGBT芯片处于统一个金属基板上,等因而在自力的散热器与IGBT芯片之间增添了一齐均热板,劳动更靠得住。
一个模块内的多个IGBT芯片经由了模块建立商的挑选,其参数一致性比市售分立元件要好。
模块中多个IGBT芯片之间的延续与多个分立样子的单管实行外部延续比拟,电路布局更好,引线电感更小。
模块的外部引线端子更合适高压和大电流延续。统一建立商的同系列产物,模块的最高电压品级寻常会比IGBT单管高1-2个品级,假设单管产物的最高电压规格为V,则模块有2V、3V甚至更高电压规格的产物。
晶圆上的一个最小全功用单位称为Cell,晶圆分隔后的最小单位,构成IGBT单管或许模块的一个单位的芯片单位,合称为IGBT的管芯。
一个IGBT管芯称为模块的一个单位,也称为模块单位、模块的管芯。模块单位与IGBT管芯的差别在终究产物,模块单位没有自力的封装,而管芯都有自力的封装,成为一个IGBT管。
最近再有一种叫IPM的模块,把门级启动和维护电路也封装进IGBT模块内部,这是给那些最懒的工程师用的,不过劳动频次果然不能过高咯。
单管的价钱要远低于模块,然而单管的靠得住性远不及模块。寰球除特斯拉和那些低速电动车外,统统都是操纵模块,惟独特斯拉对成本的器重程度远高于对生命的器重程度。
特斯拉ModelX操纵个IGBT管,由英飞凌供给,个中后机电为96个,前机电为36个,每个单管的价钱大略4-5美元,总计大略美元。
假设改用模块的话,估测需求12-16个模块,成本大略1-1美元。特斯拉操纵单管的起源主如果成本,特为是其功率比寻常的电动车要大不少,加之计划开采周期短,不得不采纳单管计划。
比拟名驹I3,采纳英飞凌新式HybridPACK2模块计划,每个模块内含6个单管型IGBT,V/A,电流超大,只要要两个模块便可,体积大大收缩,成本大略美元。
采纳英飞凌的新式HybridPACK2模块计划,每个模块内含6个单管型IGBT,V/A,电流超大,只要要两个模块便可,体积大大收缩。
模范新动力车功率系统比拟:
能够看出丰田的功率密度是国内密度的三倍左右,差异庞大。
IGBT当前曾经进展到7.5代,第7代由三菱机电在年推出,三菱机电当前的程度能够看做7.5代,同时IGBT的下一代SiC技巧曾经在日本通盘遍及,不管三菱如此的大厂照样Fuji、Rohm如此的小厂都有本领轻便建立出SiC元件,我国当前逗留在第三代程度上,差异在20年以上。
IGBT的关键:散热和背板工艺
IGBT的关键有两点,一是散热,二是背板工艺。
IGBT的正面工艺和准则BCD的LDMOS没差别,差别在后面,后面工艺有几点,首先是减薄,大略需求减薄6-8毫米,减得太多简明碎片,减得太少没有用果。接下来是离子注入,注入一层薄磷做缓冲层,第四代需求两次注入磷,向来硅片就很薄了,两次注入很简明碎片。
而后是洗涤,接下来金属化,在后面蒸镀一层钛或银,末了是Alloy,由于硅片太薄,很简明翘曲或碎片。英飞凌分外善于减薄技巧。
*寰球IGBT企业排名
这些工艺不光需求恒久试探,同时还需求针对工艺开产临盆征战,惟独对临盆线和征战都分外通晓的企业本领胜任。
*EV用工率模块封装技巧进展
自第六代往后,IGBT自己的潜力曾经发掘的差未几了,众人都把精神变化到IGBT的封装上,也便是散热。
车用IGBT的散热效率请求比产业级要高许多,逆变器内温度最高可达大20度,同时还要思考强振荡前提,车规级的IGBT远在产业级之上。
产业级IGBT与车规级IGBT比拟:
收拾散热的第一点,便是抬高IGBT模块内部的导热导电机能、耐受功率轮回的本领,IGBT模块内部引线技巧体验了粗铝线键合、铝带键合再到铜线键合的流程,抬高了载流密度。
第二点,新的焊接工艺,保守焊料为锡铅合金,成本省钱、工艺简明,但存在处境浑浊题目,且车用工率模块的芯片温度曾经亲近锡铅焊料熔点(℃)。
收拾该题目的新技巧紧要有:低温银烧结技巧和瞬态液相散布焊接。与保守工艺比拟,银烧结技巧的导热性、耐热性更好,具备更高的靠得住性。
瞬态液相散布焊接经由非凡工艺造成金属合金层,熔点比保守焊料高,板滞机能更好。三菱则操纵超声波焊接。
第三点,鼎新DBC和模块底板,消沉散热热阻,抬高热靠得住性,减小体积,消沉成本等。以AlN和AlSiC等材料庖代DBC中的Al2O3和Si3N4等旧例陶瓷,热导率更高,与Si材料的热膨胀系数般配更好。
其它,新式的散热组织,如PinFin结洽商ShowerPower组织,能够显著消沉模块的大伙热阻,抬高散热效率。
第四点,便是张大模块与散热底板间的延续面积,如端子压接技巧。
散热的关键是材料,而材料科学是一个国度底子科学的呈现,华夏在这方面分外掉队,日本则遥遥带头,不光在德国之上,还在美国之上。
IGBT的下一代SiC(碳化硅)技巧曾经出现头角,鉴于它的首要性,丰田决计全部自立临盆,实践丰田SiC的研讨自上世纪80年头就发端了,足足带头寰球30年。
SiC能将新动力车的效率再抬高10%,这是新动力车抬高效率最有用的技巧。丰田汽车就示意:“SiC具备与汽油带动机等同的首要性。”
SiC有多首要?
当前束缚SiC运用主如果两方面,一是价钱,其价钱是保守Si型IGBT的6倍。其次是电磁烦扰。SiC的开关频次远高于保守Si型IGBT,回路寄生参数曾经大到无奈疏忽。
SiC基板是关键,掉队日本企业许多的英飞凌在年7月决计采购美国CREE团体旗下的电源和RF部门(“Wolfspeed”),其重心便是SiC基板技巧。
不过在年2月,美国的番邦投资委员会(CFIUS)以关联到国度平安的起源否认了这项采购,美国之以是否认这项采购,是维护美国为数少许的先进产业技巧,对日本厂家来讲,SiC基板都没有涓滴难度,三菱、丰田、罗姆、富士机电、日立、瑞萨、东芝都有本领本身建立,统统是内部开采的技巧。意法半导体技巧也不错。
年5月20日,鉴于SiC的首要性,丰田分外召开了音讯颁布会,宣告与电装、丰田中间研讨所协做开采出了SiC功率半导体。
丰田开采的集成SiC晶体管的4英寸(mm)晶圆(左)与集成了SiC二极管的4英寸晶圆(右)。
当前丰田正在研发混动版的佳美操纵SiC,再有便是丰田的氢燃料电池公交车也在实验操纵SiC,本田则在本身的氢燃料电池车操纵了罗姆的SiC的MOSFET。当前SiC都是实验用的4英寸晶圆线,惟独三菱起用了6英寸临盆线,成本较低。
丰田估测年也起用6英寸临盆线,大概在年丰田的混动和氢燃料电池车将通盘操纵SiC。
原因:新智驾/L
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