来源：中车时代、半导体风向标、ittbank、芯榜（icrankcn）IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。近日工信部同样表示，下一步将继续推进半导体材料，芯片，器件以及IGBT的发展简单理解，IGBT=二极管+MOS管=高功率+高频率，所以IGBT具备二极管的耐高功率以及MOD管试用高频率的有点，主要覆盖电压V-V领域，应用领域遍布家电，新能源汽车和高铁。根据Yole数据，IGBT市场空间50亿美元，预计未来年复合6%的增长，市场体量和MOS管相当，是功率半导体最大的市场之一。国内厂商基金布局，代表性企业包括台基股份，高功率领域的士兰微和中车时代电气，中功率领域的华微电子，潜在供应商闻泰科技；海外代表性企业包括日本三菱，日立，欧美的英飞凌和意法半导体动画讲解什么是IGBT?(中国中车制作)

功率二极管：最传统功率器件，市场空间超50亿美元，受益供需关系及转单效应助力国厂率先突破。功率二极管作为品类中最传统的功率器件，主要用于整流、开关、稳压等，全球市场规模超50亿美元。目前市场相对分散，巨头Vishay份额超10%，其余均不超8%，国厂扬杰科技在2%左右。国际大厂由于产品毛利少逐步退出，导致供需紧张，交货周期延长，价格持续上扬，大陆和台湾厂商有望凭借低成本优势以及产业扶持政策逐步占据市场，成为功率器件中率先突破的子领域。

Si基MOSFET：消费电子和汽车电子引领超70亿美元市场。MOSFET将功率器件的应用从工业应用拓展到了4C领域，其中消费和汽车占比超60%。目前国际巨头英飞凌市场份额近28%，国厂士兰微和华微电子则分别为1.9/1.1%，并且集中在低压MOSFET等中低端产品。

Si基IGBT：新能源汽车与发电占据70%产品需求，带动每年超40亿美元市场。IGBT集BJT与MOSFET优点于一身，应用拓展至新能源汽车、新能源发电、轨道交通等领域。国际龙头英飞凌、三菱电机等CR4达70.8%，行业集中度高并且海外厂商优势明显。国内厂商方面，中国中车立足于动车用IGBT，产线满产后将具备年产12万片8英寸IGBT芯片和万只IGBT模块能力。嘉兴斯达已开发近种IGBT模块产品，实现产业化。

SiC基器件：成本高，性能优越，高端市场渗透有望提升。第三代SiC功率器件具有高压、高频、高效率、低损耗等优势。

第三代半导体材料功率器件：国外技术领先，国内厂商处于布局阶段

SiC二极管取代快恢复二极管

SiCMOSFET取代硅基IGBT

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