是一款常见的金氧半场效晶体管（MOSFET），广泛应用于各种模拟电路与数字电路中。最大耗散功率为（mW）。

mos管由沟槽加工技术设计而成实现极低的导通电阻。并快速切换速度和改善转移有效。这些功能结合使这个设计非常有效和适用于各种DC-DC应用的可靠设备。

mos管特征：

种类：绝缘栅(MOSFET)

沟道类型：N沟道

导电方式：增强型

用途：V-FET/V型槽MOS

封装外形：SMD(SO)/表面封装

材料：N-FET硅N沟道

开启电压：20（V）

夹断电压：60（V）

最大漏极电流：（mA）

最大耗散功率：（mW）

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