绝缘栅

押注新能源错过风口,华微电子抱错大腿,业

发布时间:2023/5/5 15:00:39   
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富凯摘要:与半年度和三季报净利润增幅40%以上相比,年度净利润增幅大幅降低。

作者

川扇假

近期,华微电子公布了年度业绩快报,公司实现营业总收入17.09亿元,同比增长4.55%;营业利润1.16亿元,同比增长12.93%;归属于上市公司股东的净利润1.03亿元,同比增长9.46%;基本每股收益0.14元,同比增长7.69%。

年度华微电子主要财务数据和指标

相比华微电子半年度和三季报中,归属净利润增幅均在40%以上,公司的年度净利润增幅大幅降低,营收与净利润增速低于市场的预期。华微电子是国内功率半导体龙头企业,从年下半年开始,功率半导体器件行情回暖,市场需求持续旺盛,华微电子的业绩也有所增速,但与整个行业增速程度相比,却没有较明显突破,智研咨询发布的报告显示,年我国半导体市场规模为亿元,同比增长11.4%,预计年我国半导体市场规模将达到亿元,增长率为12.4%。

功率半导体是高铁动力系统、汽车动力系统、消费及通讯电子系统等领域的核心零部件,中国已经成为成为功率半导体器件第一大消费国,也是国家重点实施国产替代的产业。我国的功率半导体器件的起步虽然较晚,目前全球主要的功率半导体厂商均为英飞凌、德仪、STM、恩智浦等国外企业,国内功率半导体器件需要大量进口,如IGBT有90%依赖进口,因此进口替代空间巨大。

华微电子拥有4英寸、5英寸与6英寸等多条功率半导体晶圆生产线,各尺寸晶圆生产能力为万片/年,封装资源为24亿只/年,处于国内同行业的领先地位,公司也掌握众多高端功率半导体器件的核心设计技术、终端设计、工艺控制技术等,如VLD终端、V以上高压终端技术、深槽刻蚀技术、薄片技术等等,并逐步具备向客户提供整体解决方案的能力。

华微电子突出的技术优势在于已建立从高端二极管、单双向可控硅、MOS系列产品到第六代IGBT的功率半导体器件产品体系,公司在年全力推进SCR、IGBT、TrenchMOS、超结MOS和TrenchSBD等五项产品系列平台建设,半年报显示,公司V~V的Trench-FSIGBT平台,芯片电流已经达到A,产品已通过客户验证。

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)绝缘栅双极型晶体管

IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,其应用领域极其广泛,小到家电、数码产品,大到轨道交通、航空航天,以及清洁发电、新能源汽车、智能电网等战略性新兴产业都会用到IGBT。

我国IGBT起步晚,国产化率仅为10%,其余90%的IGBT仍依赖进口。我国大功率IGBT在轨交领域率先实现了自主研发生产和进口替代,而在新能源汽车领域相对薄弱。功率半导体器件需求旺盛的一个重要原因,正是下游新能源汽车的高速增长,在新能源汽车领域,IGBT主要运用于电力驱动系统、车载空调系统和充电桩等。华微电子也多次在财报中表示,公司正积极布局新能源汽车、变频家电、光伏等新兴领域,作为率先实现IGBT等高端器件国产化突破公司,其也在向军工产业布局。

在功率半导体市场持续高景气情况下,随着新能源汽车、工业物联网等行业的发展,功率半导体下游应用市场在不断扩容。而华微电子的年业绩表现却远低于市场期望值,太平洋证券电子团队预计华微电子年实现营收19.42亿元,实现净利润1.36亿元;安信证券电子团队预计公司年利润为1.38亿,净利润增速达到为45.0%。

近期市场

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