（报告出品方：上海证券）

1.1中国芯仍是安全发展之重，国产化率提升需从制造源头解决

美国《出口管理条例》的修订已将半导体国产替代推至国家安全发展的重要位置上。从年美国便开始指出中国半导体发展对美国构成“威胁”，随着年中兴事件发酵，美国对中国半导体产业的打压加速。年5月美国商务部宣布将华为列入实体名单，禁止美国企业采购华为产品。紧接着在年，美国宣布一系列制裁措施，直接导致华为海思芯片和华为手机出货锐减，以及中芯国际被美方列入“军事最终用户”，出口环节受到限制。年美国将七家中国相关实体添加到其出口管制清单中。年美国总统拜登签署《芯片与科学法案》，禁止获得联邦资金的公司在中国大幅增产先进制程芯片，同年10月美国商务部工业与安全局发布对《出口管理条例》进行修订，进一步限制中国在先进计算、半导体制造领域获得或使用美国产品及技术。随着美国对中国科技硬件、软件、航天航空等产业的制裁持续升级，国产替代迫在眉睫。

半导体设备及材料是半导体芯片制造的基石，晶圆代工环节更是产业链中不可或缺的核心环节。根据二十大报告中指出，“以新安全格局保障新发展格局”，坚持安全与发展并重被摆在了更加重要的位置。

由于疫情、全球通货膨胀及经济疲软等因素，迫使台积电、世界先进等晶圆代工厂商调整原有资本开支计划，其中，中芯国际逆势扩产，彰显公司中长期发展信心。根据wind数据显示，年前三季度，台积电、联电、格芯、中芯国际、华虹半导体资本开支分别为1,.65亿元、24.00亿元、.82亿元、.09亿元、47.22亿元，根据半导体行业观察及Gartner数据，我们预计年台积电、联电、格芯、中芯国际、华虹半导体资本开支分别将达到3,.20亿元、.80亿元、.20亿元、.00亿元、85.92亿元，其中，根据中芯国际三季报显示，公司年资本支出预期从.5亿元上调至.0亿元，主要系支付长交期设备提前下单的预付款。根据集微咨询数据显示，年全球晶圆代行业资本开支为.88亿美元，预计-年受益先进制成扩产，晶圆代工行业资本开支将维持在亿美元以上，年之后资本开支将逐年下滑，预计到将达到.59亿美元。

国内半导体设备、零部件、材料国产化率持续提升，自主可控能力不断增强。从国内半导体设备来看，刻蚀设备、等膜沉积设备、清洗设备、CMP设备、涂胶显影设备国产化率超过5%，其中，CMP设备和清洗设备国产化率分别达到10%、20%。根据中研普华数据显示，年我国半导体设备市场规模为亿元，预计年将达到亿元，CAGR为20.01%；在国内半导体精密部件领域，国产化率超过5%的有Quartz（石英）、Showerhead（反应腔喷淋头）、Edgering（边缘环）、Pump（真空泵）、Ceramic（陶瓷件）。根据华经产业研究院数据显示，年我国半导体设备零部件市场规模为74亿美元，预计年将达到亿美元，CAGR为7.34%；在国内半导体材料领域，我国光刻胶辅助材料、电子特种气体、化学试剂、靶材、CMP材料国产化率超过10%，其中，化学试剂国产化率40%、电子特种气体国产化率30%、光刻胶辅材国产化率25%、靶材国产化率20%。根据中商产业研究院和亿欧网数据显示，年我国半导体材料市场规模约99亿美元，预计年将达到亿美元，CAGR为26.06%。

随着国内晶圆代工厂扩产计划继续推进，相关国产厂设备、材料、零部件厂商有望加速国产替代进程。半导体设备、零部件、材料领域已涌现出一批优质的国产企业，产品已陆续通过中芯、华虹、长存等晶圆代工厂的验证。美国接连出台一系列政策压制国产半导体产业发育，我们认为产业链国产化会再次迎来加速。

-年11月25日半导体设备材料及零部件板块PE均值分别为.38、.29、.31X，EPS分别为0.51、1.04、1.47元，根据wind一致预期（剔除奇异值、极端值）作为参考，-年板块PE将达到83.86、76.12、53.83X，EPS将达到1.94、2.73、3.68元。

1.2Chiplet(芯粒)技术协同先进封装，半导体制造有望超越摩尔定律

Chiplet(芯粒)有望在后摩尔时代发展成为一种新的芯片生态。Chiplet称为“芯粒”或“小芯片”，通过将功能丰富、面积较大的芯片拆分成多个小芯片，再把这些特定功能的Chiplet通过先进封装技术集成在一起组成一个系统级芯片，以实现一种新形式的IP复用。根据摩尔定律半导体芯片上集成的晶体管和电阻数量将每18到24个月将增加一倍。芯片工艺发展至今，由于硅的工艺发展趋近于其物理瓶颈，摩尔定律曲线逐步放缓。相较于SoC（系统级芯片，Chiplet具有高性能、低功耗、高面积使用率以及低成本等优势，有望成为摩尔定律延续的关键。

通过先进封装技术来满足系统微型化、多功能化成为延续摩尔定律的重要手段。先进封装指处于前沿的封装形式和技术，是提高连接密度、提高系统集成度与小型化的重要方法，技术包括带有倒装芯片（FC）结构的封装、晶圆级封装（WLP）、系统级封装（SiP）、2.5D封装、3D封装等。根据ICInsights，28nm制程节点的芯片开发成本为5,万美元，16nm节点的开发成本为1亿美元，7nm节点的开发成本需要2.97亿美元，5nm节点开发成本上升至5.4亿美元。由于集成电路制程工艺完成突破需要较长的周期，通过先进封装技术提升芯片整体性能成为了集成电路行业技术发展趋势。

先进封装技术是Chiplet(芯粒)前提和基础，Chiplet对先进封装工艺提出更高的要求。Chiplet技术需要将单个大硅片“切”成多个，接着通过封装级整合。由于单个硅片上的布线密度和信号传输质量要远远高于Chiplet之间的，使得适配的先进封装技术必须具备高密度、大带宽布线的特点，尽可能的提升在多个Chiplet之间布线的数量并提升信号传输质量。年3月，Chiplet的高速互联标准UCIe正式推出，发起人为Intel（英特尔）、AMD（超威半导体）、ARM、高通、三星、台积电、日月光、GoogleCloud、Meta和微软等十家公司。UCIe联盟为Chiplet制定了多种先进封装技术，包括英特尔EMIB、台积电CoWoS、日月光FoCoS-B等。

《美国芯片与科学法案》出台促使半导体国产替代的迫切性进一步提高，Chiplet(芯粒)技术被寄予厚望。年8月《美国芯片与科学法案》正式通过，法案将采取给美本土芯片行业提供巨额补贴，给半导体和设备制造提供投资税收抵免等一系列措施，以鼓励企业在美国建厂。另一方面，附加条例中提出接受补助的企业不得在对美国安全造成威胁的国家新建或扩大某些半导体的生产能力（主要是28nm以下），其10年内有效。美国对中国技术封锁持续升级，尤其是在高端芯片制成领域。在此背景下，Chiplet作为能在短期大幅提升芯片能效的封装技术，有望成为国产替代新阵地。

Chiplet(芯粒)技术能降低芯片设计和验证的时间及难度，同时也具备低成本及降低对先进制成的需求，也可以打动IP的内部复用。当Chiplet技术成熟之后，通过对现有芯粒的叠加及少量验证，可以快速设计出大量新产品。

未来Chiplet(芯粒)市场规模将迎来高速成长，先进封装作为Chiplet的基础，市场规模也将持续提升。根据集微网及Yole预测数据显示，年全球先进封装市场规模为.0亿美元，预计年将达到.0亿美元，CAGR为10.1%。根据观察者网及灼识咨询数据显示，年全球Chiplet市场规模为18.5亿美元，预计年将达到84.0亿美元，CAGR达到46.0%。

Chiplet(芯粒)技术代表着更多异构芯片和各类总线的加入，整个芯片制造过程将会变得更加复杂。从整个芯片制造环节来看，Chiplet技术将对EDA厂商、晶圆制造、封装、IP供应商、Chiplet产品及系统设计等环节带来影响。

1.3国产大飞机交付在即，航空制造树立新的里程碑

中国商飞首架C将在今年年底交付东航，计划年上半年满足民航局规章要求后投入商业运营，其余东航C订单预计、年完成交付，年将是国产大飞机验证交付和量产的关键时点。2年，大型客机项目组正式成立；年，中国商飞发布首个单通道常规布局座级大型客机机型代号“COMAC”，简称“C”，同年C样机主体结构在上海交付；年，C首架机总装下线；年，首架C完成首飞；年，东方航空与中国商飞正式签署首批5架C购机合同；年，C获中国民用航空局颁发的型号合格证，同年七家租赁公司与中国商飞签署架C飞机订单和30架ARJ21飞机订单。

全球飞机交付市场呈现双寡头垄断局面，C规模量产后有望改善波音、空客垄断市场的局面。根据中商产业研究院数据显示，从年全球飞机交付占比情况来看，空客公司占比为59%，波音公司占比33%，中国商飞占比2%。C对比欧洲空客A-和美国波音B-，三种机型都属于窄体飞机（座位数-），其性能指标与售价相差不大。C商业化落地有望推动国内民航产业链高速发展，标志着我国航空业进入新阶段。

根据公开资料统计，目前下单C的客户达到34家，订单总和为架，其中海外订单数量34架。根据C单机价值量0.99亿美元进行测算，目前订单总价值量达到亿美元。年11月，第十四届中国国际航空航天博览会开幕，中国商飞携手C和ARJ21首次亮相中国航展，当日国银金租、工银金租、建信金租、交银金租、招银金租、浦银租赁和苏银金租7家租赁公司与中国商飞公司签署架C和30架ARJ21飞机确认订单。

从全球各地区客机机队预测数据来看，年中国有望超越北美、欧洲，成为全球客机数量最多的国家。根据中国商飞公司市场预测年报数据显示，年全球客机总量为20,架，预计到年将达到47,架，CAGR为4.28%，其中，年中国客机共有3,架，占全球客机总量的比例为17.97%，预计到年将达到10,架，CAGR为5.11%，占全球客机总量的比例将达到21.05%。

未来20年国内客机市场行业规模将达到万亿级，其中C属于单通道喷气客机，其市场空间也将达到千亿级。根据客机单机均价1.83亿美元测算，年全球客机市场规模为3.76万亿美元，预计年将达到8.70万亿美元，CAGR为4.28%，其中，年涡扇支线客机市场规模为亿美元；单通道喷气客机市场规模为3.64万亿美元；双通道喷气客机市场规模为2.54万亿美元。根据测算，涡扇支线客机小、中、大型单机价值量分别为0.31、0.48、0.52亿美元；单通道喷气客机小、中、大型单机价值量分别为0.90、1.17、1.35亿美元；双通道喷气客机小、中、大型单机价值量分别为3.00、3.88、4.84亿美元。由此推算年国内客机市场规模将达到1.83万亿美元，年国内客机市场规模为亿美元，CAGR将达到5.07%，其中，年涡扇支线客机市场规模为亿美元；单通道喷气客机市场规模为亿美元；双通道喷气客机市场规模为亿美元。

大飞机主要由机体、发动机、航电系统、机电系统组成，成本占比分别为30-35%、20-25%、15-20%、15-20%，其中，航电系统又称航空电子系统，包含人机交互系统、飞行状态传感器系统、导航系统、外部传感器系统、任务自动化系统等。假设航电系统占大飞机总成本20%，根据测算年全球及我国客机航电系统市场规模分别约、0亿美元，预计年将分别达到亿美元、亿美元。

我们认为伴随国产大飞机订单和交付放量，上游供应商将迎来较大的投资机会，其中，电子零部件、军工半导体、新材料、激光雷达等领域空间广阔。

2.1电池管理系统（BMS）国产替代迈入深水区，应用领域持续升维

BMS即电池管理系统，其性能优劣直接决定电池组的使用寿命。一个合适的电池管理系统能够在充分发挥电池优越性能的同时，给予电池最佳的保护。电池管理系统的基本功能具体可分为感知、决策以及执行三个方面，主要是对电池包进行实时监控，采集剩余电量、电池状态、电流等信息，防止电池过充、过放、过压、过流、过高温，例如决策层的电池状态分析包含电池荷电状态（SOC）/健康状态（SOH）估算，通过监测数据做出反馈，指导BMS进行控制管理，执行层的充放电+均衡控制是整个电池管理流程的核心。

电芯监控、荷电状态（SOC）、均衡三大核心技术造就BMS行业高壁垒。其中SOC估算精度越高，对于相同容量的电池，可以使电动车有更高里程。高精度SOC估算可以使电池组发挥最大效能，目前最常采用的计算方法有安时积分法和开路电压标定法，通过建立电池模型和大量的数据采集，将实际数据与计算数据进行比较，需要长时间大量数据积累。

均衡技术主要分为主动均衡与被动均衡。被动均衡一般通过电阻放电的方式，对电压较高的电池进行放电，以热量形式释放电量，在充电过程中为其他电池争取更多充电时间。主动均衡是一种复杂的均衡技术，在充电和放电循环期间，使得电池单元内的电荷得到重新分配，从而缩短充电时间，延长放电使用时间。主动均衡电路更加复杂，成本更高。当前国内主流厂商电池管理系统（BMS）系统在荷电状态（SOC）估算精度上已实现一致，但测量精度以及均衡方式上相较国外主流厂商具有一定差距。根据佐思产研数据，国外和国内厂商在电压/电流的测量精度上分别为0.1%FS和0.5%FS，并且国外主流厂商采取性能更加优越的主动均衡方式。

BMS下游应用广泛，具体包括消费端（3C数码）、动力电池（电动车）和储能电池（国防军工、可再生能源、通讯、医疗健康等），电动汽车产业快速成长推动BMS的快速发展。消费端受到快充和5G等新技术的拉动，市场规模有望稳步提升。快充技术能够大大降低充电时间，目前已逐渐成为智能手机的标配，对BMS的电量管理能力提出更高的要求。5G技术在丰富手机功能的同时加入了更多高性能元器件，进一步提升手机能耗，根据中新经纬数据，截止年11月，5G手机占比高达60%。

工业端应用主要包括电动工具、无人机、工业机器人等。根据AlliedMarketResearch统计数据，预计年全球无线电动工具市场规模将达到亿美元，-年的年均复合增长率预计达8.85%。工业机器人领域，根据华经产业研究院预测，预计到年全球工业机器人销售额可达.1亿美元。其中，中国是工业机器人最大的消费国，预计年销售额可达亿元。

新能源汽车市场快速增长带动了BMS需求。根据QYResearch数据，全球汽车BMS市场规模预计到年会增至.74亿元，-年年均复合增长率高达26.35%。而从一览众咨询所公布的数据显示，国内新能源汽车BMS市场规模预计在年达到87.7亿元，-年年均复合增长率将为11.47%。

电化学储能产业链上下游明晰，产业链上游为原材料、设备提供商，中游为系统集成商及安装商、系统运营商，下游为终端用户。其中，上游原材料包括正负极材料、电解液、隔膜、结构件等，设备包括电池组、电池管理系统（BMS）、能量管理系统（EMS）和储能变流器（PCS）。中游储能系统集成商根据终端用户需求，将储能设备及配套设施进行整合，并设计出适用于各场景的储能服务系统。下游终端用户包括发电端如风、光、传统电站，电网端如电网公司，和用户端如家庭用户、工业园区等三部分。根据高工产业研究院（GGII）数据显示，年国内储能电池出货量达到32GWh。

储能锂电池出货量的增长显著带动了电池管理系统(BMS)设备的需求。MarketandMarkets预计年以BMS为核心的电池储能系统市场规模将达到亿美元，-年年均复合增长率为27.97%。根据高工产研的数据，中国储能BMS市场规模预计会在年达到亿元，-年年均复合增长率高达47.12%。

电池管理系统(BMS)核心部件电池管理芯片(BMIC)是当前行业竞争的关键点,先发优势尤为重要。电池管理芯片针对电池提供电池计量、状态监控及电池保护、充电管理等功能，有效解决荷电状态估算、电池状态监控、充电状态管理以及电池单体均衡等问题，以达到保证电池系统的平稳运行并延长电池使用寿命的目的，主要产品包括电池安全芯片、电池计量芯片、电池充电管理芯片。

电池管理芯片（BMIC）国产替代需求迫切，年国产化率较低仅为10%左右。据MordorIntelligence数据显示，年全球电池管理芯片市场规模为68亿美元，预计到年将增长至93亿美元，年均复合增长率为5.36%。近年来，随着下游应用领域不断拓展，客户对电池管理芯片产品的性能要求不断提升，推动电池管理芯片不断向高精度、低功耗、微型化、智能化方向发展，未来机遇和挑战并存。

消费电子领域电池管理芯片（BMIC）国产替代优势逐步凸显。虽然当前整体电池管理芯片市场仍被德州仪器（TI）、亚德诺半导体（ADI）等国外企业所占据，但国内厂商逐渐在主流手机市场完成国产替代，并在TWS耳机等新兴消费电子市场上占据优势地位。南芯科技电荷泵大功率充电系列产品已通过国内多个知名手机品牌厂家的认证，并已实现大规模稳定量产。根据FrostSullivan研究数据显示，以年出货量口径计算，其电荷泵充电管理芯片位列全球第一，升降压充电管理芯片位列全球第二、国内第一。工控领域电池管理芯片（BMIC）正处于国产替代成长期。在电动自行车、电动工具、扫地机器人以及小型储能市场，国内芯片厂商也在加紧进行验证测试。例如赛微微电产品在工控领域表现出色，根据赛微微电招股书数据，年其轻型电动车、电动工具全球市占率较高，分别为13.33%-21.26%、8.42%-12.65%。

汽车领域电池管理芯片（BMIC）技术门槛非常高，以模拟前端芯片（AFE）为首的车规级芯片研发之路任重道远。车规级电池管理系统（BMS）系统的核心芯片主要包括车规级AFE、微控制单元（MCU）、数字隔离通讯接口芯片等，其中，AFE负责高精度电池电压等信息采集，MCU进行计算和控制，数字隔离通讯接口芯片则实现高低压模块间的电气隔离功能。其中AFE芯片需要对高压信号进行采样，对芯片模拟性能要求高，需要采用高压单片集成工艺（BCD），而国内企业在这块相对薄弱。另外，因为涉及到车辆动力系统，还需要满足ISOASILD的功能安全等级要求，车规AFE芯片门槛非常之高。

车规级芯片对于性能指标、使用寿命、可靠性、安全性、质量一致性的要求之高，是消费电子芯片难以匹敌的。相比于消费芯片及一般工业芯片，汽车芯片的工作环境更为恶劣：温度范围可宽至-40℃~℃、高振动、多粉尘、电磁干扰等。由于涉及人身安全问题，汽车芯片对于可靠性及安全性的要求也更高，一般设计寿命为15年或20万公里。“车规级”芯片需要经过严苛的认证流程。一方面，车规芯片需要经过AEC-Q系列认证——模拟汽车使用环境对芯片进行的可靠性测试认证，在符合芯片规定的使用条件下，能够正常使用，且所有的性能指标都是满足规格书的要求。另一方面，需要经过汽车安全完整性等级（ASIL）认证。ISO确定了四种ASIL等级—A、B、C和D。ASILA代表最低程度的汽车危害，ASILD则代表最高程度的汽车危险。安全气囊、防抱死制动系统和动力转向系统必须达到ASILD级，这是应用于安全保障的最严苛等级，因为其失效带来的风险最高。而安全等级范围的最低等级，如后灯等部件，仅需达到ASILA级即可。大灯和刹车灯通常是ASILB级，而巡航控制通常是ASILC级。

2.2绝缘栅双极型晶体管(IGBT)+碳化硅（SiC）等汽车功率半导体从估值弹性到业绩弹性

新能源汽车的快速崛起，带动车用绝缘栅双极型晶体管(IGBT)市场规模实现快速增长，成为功率半导体增长最快的细分应用领域。比亚迪半导招股书数据显示，年工业控制是IGBT最大的下游应用领域，占比达33.5%，新能源汽车占比14.2%。未来，车电动化、智能化推动车规级IGBT成为增长最快的细分领域，新能源汽车预计在年将超过工业控制成为IGBT下最大的下游应用领域，年均复合增长率达到29.4%。

功率半导体器件国产替代趋势不断加速，绝缘栅双极型晶体管(IGBT)国产化率有望进一步提升。新能源汽车崛起带来了大量的市场需求，国家高度重视IGBT等半导体产业的发展，国产替代成为驱动行业发展的主要因素，据华经产业研究院数据显示，IGBT自给率正在不断提升，从年的10.1%迅速上升至的19.5%。

IGBT7为最新绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术，发展前景广阔。自上世纪80年度IGBT开启工业化应用以来，IGBT技术经历了丰富的技术演变，涌现出七代不同的IGBT技术方案。年三菱电机推出第七代IGBT，IGBT7采用了新型微沟槽（MPT）+电场场截止技术。根据富士电机发布的第七代IGBT产品数据，相比于第六代V系列，IGBT7可以使逆变器的功率损耗降低10%，最高操作结温度从°C提高到°C，这有助于减小设备尺寸。

国产企业不断缩短技术差距，逐步逼近国际水平。国内厂商中斯达半导绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术发展较快，基于第七代IGBT技术的车规级/VIGBT芯片已研发成功。

凭借优异性能，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体加速渗透。半导体原料共经历了三个发展阶段，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为典型代表的第三代半导体作为宽禁带半导体材料，随着市场对半导体器件微型化、导热性的高要求，这类材料的市场需求增长，适用于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件，在5G通信、新能源汽车、光伏逆变器等应用需求的明确牵引下获得广泛

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