ABBBAILEYINIIT13用于开关相关应用的半导体器件

IGBT是的简称绝缘栅双极晶体管，INIIT13以下各项的组合双极结型晶体管(BJT)和金属氧化物场效应晶体管。这是一种用于开关相关应用的半导体器件。

因为INIIT13是金属氧化物半导体场效应晶体管和晶体管它兼有晶体管和MOSFET的优点。MOSFET具有高阻抗高开关速度的优点，另一方面BJT具有高增益和低饱和电压的优点，两者都存在于IGBT晶体管中。IGBT是一种电压控制半导体这使得能够以几乎零栅极电流驱动大的集电极发射极电流。

INIIT13如上所述，IGBT具有MOSFET和BJT的优点，IGBT具有与典型MOSFET相同的绝缘栅极和相同的输出传输特性。虽然BJT是电流控制器件，但对于IGBT，控制取决于MOSFET，因此它是电压控制器件，相当于标准MOSFET。