智研瞻产业研究院发布：《中国IGBT市场研究及前瞻分析报告》

内容概要：近年来为了推动功率半导体职业尤其是IGBT工业健康快速开展，国家相关部分不只拟定了相关的一系列方针措施，还不断加大金融扶持力度。在国家方针引导和商场需求持续增加和的两层影响下，招引了一批拥有丰厚科研阅历的IGBT技能人才回国，一起也为斯达半导、士兰微、比亚迪、时代电气等企业提供了把握IGBT中心技能的时机，进一步推动IGBT国产化进程。

要害词：IGBT、IGBT产需、IGBT自给率、新动力工业

一、IGBT职业工业链日趋完善，第七代IGBT现已到达量产水平

功率半导体首要用于电力设备的电能改换和电路操控，是进行电能处理的中心器材，弱电操控与强电运行间的桥梁,细分产品首要有MOSFET、BJT、IGBT等，而IGBT是现在开展最快的功率半导体器材之一。IGBT也称绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器材,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。一般MOSFET器材或模组可接受电压规模为20-V，而IGBT可接受V以上的高电压，因而是电子范畴较为抱负的开关器材。

IGBT工业链的上游原资料首要为硅晶圆、光刻板、引线框架、新式宽禁带资料以及其他辅助资料等；中游包含产品的规划、研制出产和封装等工序，产品大致能够分为功率分立器材、功率IC和功率模组三大类，现在专业从事IGBT产品研制规划和销售的企业首要有英飞凌、三菱、富士电机、安森美、斯达半导、士兰微、时代电气等等；工业链的下游运用商场有消费电子、家用电器、轨道交通、工业操控、网络通信、军工航天以及新动力工业链。

从20世纪80年代至今，IGBT芯片共阅历了7代更新升级开展进程，产品从平面栅型阶段开展至微沟槽栅型阶段，各代IGBT产品的开展趋势首要是下降损耗、节约出产成本，全体能够将其开展进程分为三大首要技能阶段。第一阶段是以第一代、第二代为代表的平面栅型IGBT，第一代因为工艺制作复杂，现已基本被商场筛选。第二阶段是以第三代、第四代为代表的沟槽栅型IGBT，三、四代产品通过立异的沟槽规划，大幅度减少了IGBT的体积和运用功耗，然后得到广泛运用。随后在第二阶段出现了对沟槽栅型进行改善的第五代、六代IGBT，但全体结构并未产生较大的改动，一起还出现出了向第三阶段过渡的产品TrenchStop5型。第三阶段是第七代微沟槽栅型IGBT，其进一步减少了产品的体积和运用功耗，现在，英飞凌等头部企业在第七代IGBT上现已到达量产水平。因为IGBT的生命周期较长，产品迭代速率不追求你摩尔定律，运用周期较长，尽管老一代产品的损耗较大，但其芯片的面积较大，稳定性较好，部分范畴仍会选择运用旧代产品，因此，IGBT在商场上出现多代共存的状态。

二、我国IGBT商场存在巨大的产需缺口，职业自给率逐年攀升

IGBT是国际上公认的电力电子技能第三次革新具代表性的产品，是工业操控及自动化范畴的中心元器材，能够根据工业装置中的信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等，以完成精准调控的意图。近年来，全球IGBT商场规模坚持比年增加的趋势，根据Marketsandmarkets数据，全球IGBT商场规模从年的32亿美元增加至年的70.9亿美元，年均复合增加率为6.6%，年，全球IGBT的商场规模为70.9亿美元，同比增加6.6%。从年全球IGBT商场区域散布来看，亚太地区的商场占比为58%，占比超全球一半，远高于北美地区11%和欧洲地区23%的商场份额。

根据相关数据计算，-年，我国IGBT产量及需求量均出现比年增加的趋势，年，我国IGBT的需求量为万只，同比增加20.00%；出产量为万只，同比增加27.72%；产需差值为万只。我国IGBT职业存在巨大供需缺口，基于国家中心元器材国产化相关方针要求，“国产代替”将会是未来IGBT职业开展的主旋律之一。现在，我国的IGBT商场首要由外国企业占有，尽管我国IGBT商场需求增加敏捷，但因为国内相关技能人才缺少，工艺制作基础薄弱，国内企业工业化起步较晚，IGBT至今仍大量依靠进口，商场首要由欧洲、日本及美国企业占据。一起，国内企业因为芯片供给首要源于国外，供给链受到较强的限制，导致我国IGBT工业开展较为缓慢。

IGBT被称为电力电子职业里的“CPU”，广泛运用于新动力、新动力轿车、电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、轿车电子等范畴。跟着全球制作业向我国的搬运，我国已逐渐成为全球最大的IGBT商场，相关数据显现，年，我国IGBT商场规模约为.75亿元，同比增加37.23%。近年来，我国活跃饯别“碳达峰、碳中和”开展战略，在各职业推广节能减排方针，不断优化调整动力运用结构，大力开展新动力工业，叠加工业自动化进程加快，我国关于IGBT的商场需求不断扩大。获益于工业操控、新动力及新动力轿车等范畴的需求大幅增加，我国IGBT商场规模将持续增加，估计到年，我国IGBT商场规模将到达亿元左右。

据佰腾网，-年，我国IGBT专利申请量出现先上升后下降的趋势，-年，我国IGBT专利申请量呈上升态势，-年，IGBT专利申请量接连两年同比出现下降的态势，年，我国IGBT专利申请量为件，同比下降36.69%。“职业求开展，技能要先行”，IGBT职业拥有极高的技能门槛，在国家方针的引导和商场需求的拉动下，国内多家以IGBT为主营业务的企业纷纷加大研制投入，组建高素质研制部队，深耕IGBT职业的研制规划，加速追逐欧美大厂的步伐，进一步打破海外大厂对高端功率半导体商场的独占。在技能方面，国内厂商活跃立异迭代，坚持提高自主研制才能，完成中心技能突破，斯达半导公司已率先完成了第7代IGBT产品的研制；在产品方面，国内厂商IGBT产品品种进一步增加，掩盖电压/电流规模进一步扩大，斯达半导公司基于第六代TrenchFieldStop技能的车规级IGBT模块已获得多个渠道/项目定点。

近年来为了推动功率半导体职业尤其是IGBT工业健康快速开展，国家相关部分不只拟定了相关的一系列方针措施，还不断加大金融扶持力度。其间，IGBT曾被划为国家专项要点扶持项目施行长达15年，该项目已于年成功收官。一起，IGBT国产化仍是国家十四五规划中要害半导体器材的开展要点之一。在国家方针引导和商场需求持续增加和的两层影响下，招引了一批拥有丰厚科研阅历的IGBT技能人才回国，一起也为斯达半导、士兰微、比亚迪、时代电气等企业提供了把握IGBT中心技能的时机，进一步推动IGBT国产化进程，早日摆脱IGBT产品进口依靠这一现状。据相关数据计算，-年，我国IGBT自给率逐年上升，年，我国IGBT的自给率为19.55%。年，国内如斯达半导、士兰微、时代电气等IGBT企业的产能扩建项目竣工投产，公司年度产能得到进一步提高，估计3年的自给率将到达26.50%。

三、下游新动力工业需求持续增加，推动IGBT商场规模逐步扩大

当前，新动力轿车在国内IGBT下游运用中占比31%左右，是IGBT最大的增量商场。据我国轿车工业协会，-年，我国轿车产销量上下波动，全体出现出上涨趋势，而新动力轿车在方针的引导下，其产销量比年增加。年，我国新动力轿车的产量为.8万辆，同比增加96.90%；销量.7万辆，同比增加93.40%。IGBT是新动力轿车电控体系和充电桩的中心器材，决定了整车的动力利用率。一起，新动力车的车载空调、OBC、逆变器、DC/AC、发电机等也需大量运用IGBT器材。-年，我国轿车IGBT商场需求全体出现上升的趋势，在新动力轿车的拉动下，年，我国IGBT的商场需求为.32亿元，同比增加.72%。

据国家动力局，-年，我国光伏新增装机容量全体出现上扬的态势，年，我国光伏新增装机容量87.41GW，同比增加32.53GW。光伏逆变器是光伏体系的中心部件，能够将太阳能板产生的可变直流电转换为交流电，并反馈回输电体系或供离网的电网运用。伴跟着新动力职业终端产出提高，作为逆变器中要害器IGBT的需求空间也将大幅提高，据信达证券计算，-年，我国光伏IGBT商场规模比年增加，年，我国光伏IGBT商场规模约41.49亿元，同比增加11.62%。