分立器件常见的有，MOSFET/IGBT两种。金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effecttransistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOSFET、PMOSFET、nMOSFET、pMOSFET等。

IGBT：IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

其动态特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性，直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的动态性能具有极其重要的实际意义。

分立器件动态参数测试系统，是针对MOSFET与IGBT分立器件的动态参数如开关特性、栅极电荷、短路特性、二极管的反向恢复特性、结电容等专门设计的一套全自动测试系统，额定测试电流不超过A，测试电压不超过1V。

该测试系统具有如下特点：

该测试系统是一套集常规动态参数为一体的综合测试系统；

该测试系统完全采用自动控制，测试可按测试员设定的程序进行动测试；

该系统采用计算机记录测试结果，并可将测试结果转化为EXCEL文件进行处理。

测试治具更换简易、测试效率高。

该测试系统主要由测试机和自动探针台组成：

测试系统技术指标

开关时间

电源电压VGE/VDS：5V~1V，分辨率1V

电流ID/IC：1A~A，分辨率1A

栅极电压：±30V，分辨率0.1V

感性负载：0.01mH~10mH程序控制，步进10μH

阻性负载：1Ω、2Ω、5Ω、10Ω、50Ω可选

栅极电荷Qg

栅极驱动电流IG：0~2mA，分辨率0.01mA

2-20mA，分辨率0.1mA

恒流源负载：1~25A，分辨率0.1A

25~A，分辨率1A

反向恢复

正向电流IF：1~25A，分辨率0.1A

25-A，分辨率1A

反向电压VR：5~V，分辨率0.1V

~1V，分辨率1V

反向恢复时间：10ns~2μs，分辨率1ns

反向di/dt：1~10kA/μs

反向dv/dt：1~10kV/μs

反向恢复电荷范围：1nC~Μc，分辨率1nC

反偏安全工作区

测试电流：2*IDnom（ICnom）

短路安全工作区

一次短路电流：0A

脉冲宽度：5μs~50μs，步进1μs

结电容

电容测试扫频范围：0.1~1MHz

漏源极电压：V，分辨率1V

栅极偏置电压：0V

栅极内阻

栅极内阻测试范围：0.1~50Ω，分辨率0.1Ω

漏极偏置电压：0~V

栅极偏置电压：0V