IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型功率管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为V的高压变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。有些朋友对于IGBT工作原理许多人还相对模糊，IGBT属于非通即断式开关。

IGBT具有MOSFET及GTR两者的高输阻抗低通压降的优点。

IGBT模块内部结构图

别看IGBT读起来很高大上的感觉，其实它就是一个不是连通就是阻断的开关。而控制着它的开关功能就是栅源极电压。栅源极电压是如何控制的呢?

当栅源极电压加上12V时，则会导通IGBT，而当栅源极电压为0或者加的是负压时，则断开IGBT，需注意的是，如果加的是负压，则此时的关断为可靠关断。IGBT本身并不会放大电压。那么为何IGBT能够通过加压方式导通与关断呢?

IGBT工作特性

IGBT本身有三个端口，其中G\S两端加压后，身为半导体的IGBT能够将内部的电子转移，让原本中性的半导体变为具备导电功能，转移的电子具有导电功能。而当电压被撤离之后，因加压后由电子形成的导电沟道则会消失，此时就有会变成绝缘体。

IGBT等效电路图

如果用简要的电路图做分析的话，那么如上图，当IGBT的栅极及发射极加上正电压，那么兼容MOSFET的IIGBT就会导通，当IGBT导通后，晶体管两极(集电极、基极)会形成低阻状态，此时晶体管可导通;当IGBT的两极无电压，则MOSFET就会停止导通，晶体管得不到电流供给则晶体管随之停止导通。

IGBT并不是加入电压后即可正常工作，当加在IGBT上的电压过低，IGBT不仅无法正常工作，还可能导致功能的不稳定。而如果电压高于两极之间的耐压值，IGBT则会损坏且不可修复。

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