·东微半导()·

高性能功率器件龙头，汽车电动化和工业4.0驱动长期成长

·投资要点·

·功率半导体是电力电子核心器件，新能源节能降耗和工业升级推动市场空间越发广阔

根据Omida预测，年全球功率半导体市场规模约为亿美元，预计至年市场规模将增长至亿美金。在碳中和背景下，新能源车、光伏、风电、储能等领域市场快速发展，相应的功率半导体市场快速增长。从竞争格局来看，功率半导体芯片和模块，主要市场被英飞凌、安森美、意法半导体等欧美厂商占据，全球龙头英飞凌年在MOSFET和IGBT领域市占率分别为24.4%和29.3%，单一本土厂商占比均小于5%，国产替代空间巨大，叠加行业内生的快速增长，中国厂商尤其高性能器件的本土公司将在庞大的蓝海市场充分成长。

·聚焦高性能功率器件，器件结构创新的领航者

基于多年的技术优势积累、产业链深度结合能力以及优秀的客户创新服务能力，公司已成为国内领先的高性能功率器件厂商之一，是少数能在超级结MOSFET领域突破海外技术垄断的本土公司之一，还是国内少数具备器件创新结构能力的公司，公司推出的GreenMOS系列超级结MOSFET产品打破了国外厂商在充电桩功率器件领域的垄断地位，公司采用独立知识产权Tri-gate器件结构的创新型IGBT产品(TGBT)已量产出货，未来将在高压市场大幅成长。公司高压超级节MOSFET收入占比超过80%。据Omdia数据，在中国本土厂商中，年公司MOSFET销售收入位列第7位。下游应用方面，公司以工业级应用为主，包括新能源汽车直流充电桩、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源等。年公司实现营收7.82亿元，同比增长.28%，实现归母净利润1.46亿元，同比增长.12%。公司未来将持续受益于5G通讯、汽车电动化等工业级及车规级应用领域迅速扩张带来的高性能功率器件市场快速发展。

·布局高速率IGBT和SiC等高阶产品带来长期成长

公司IPO资金将用于继续强化已有的功率半导体器件业务以及开发新品类功率半导体产品，分别在超级结与屏蔽栅功率器件产品升级、新结构功率器件研发及产业化、研发工程中心、科技与发展储备资金四个方面分别投入资金2.04/1.08/1.7/4.57亿元，前三个项目建设周期为3年。

公司在超级结与屏蔽栅器件方面继续加大投入和提升，可以看到未来在现在产品基础上，超级结和屏蔽删MOS性能和品类将进一步提升。5G基站、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变器等领域高性能功率器件的需求一直很旺盛，并且行业对更高效率更高可靠性器件的追求从未止步，这也符合公司长期的发展战略，公司在创新结构的高速率IGBT和超级硅MOSFET方面已经技术成熟并且实现量产，未来三年将在相关的市场快速崛起并取得长足的发展。随着充电桩，新能源车等领域对第三代半导体需求逐步兴起，公司在SiC以及新型硅基高压功率器件方向也将进行技术储备，凭借公司在高功率器件方面的扎实研发能力将在未来三年实现快速突破并实现更多产品线的量产，打造公司第二成长曲线。

·盈利预测

预计公司-年收入分别为7.82、11.77、16.33亿元，EPS分别为2.9、3.79、5.09元，当前股价对应PE分别为66、50、37倍，给予“推荐”投资评级。

·风险提示

供应商高度集中的风险；下游需求不及预期；上游大幅提价的风险；募投项目进度不达预期的风险等。

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东微半导：本土高性能功率器件龙头，受益于新能源车和工业市场成长

1.1、专注功率半导体开发，国内少数具备器件结构创新设计能力的公司

东微半导体成立于年，注册资本万元，是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，并在工业级领域的高压超级结和中低压功率器件产品领域实现了国产化替代。东微半导体在年制造出世界上首个半浮栅晶体管(Semi-FloatingGateTransistor)，可用于新型存储器、感光器件及功率器件等应用，并且相关技术论文于次年正式发表于美国《科学》期刊。年4月，东微半导体率先量产充电桩用高压超级结MOSFET器件的本土企业，打破了国外企业对这一产品的垄断，降低了充电桩的整体成本，也为国内充电桩的快速推广提供了大量的国产化芯片。根据Omdia数据，年东微半导体的销售额在全球MOSFET功率器件市场中位列中国本土厂商前十，且公司产品的销售单价显著高于行业平均水平。年，东微半导体成功入选“年苏州市企业知识产权登峰行动计划”项目实施企业名单。同年，东微半导体荣获年苏州工业园区知识产权创造奖。年，东微半导体凭借超级结功率器件/OSG65RHZF荣获优秀市场表现产品奖，上榜年第十六届“中国芯”。

王鹏飞和龚轶为公司实际控制人，华为、国有股东、创业及股权投资基金参投。根据公司招股说明书，公司无控股股东。王鹏飞和龚轶通过直接、间接以及一致行动关系持有本公司共计43.51%股份成为公司实际控制人。其他持有公司5%以上股份的主要股东为中新创投、聚源聚芯、哈勃投资。其中中新创投直接持有公司7.12%股份，通过其全资子公司原点创投间接持有公司15.18%股份；哈勃投资为华为投资控股有限公司全资子公司。

实际控制人拥有相关技术背景。王鹏飞先生，德国慕尼黑工业大学博士学历，曾担任德国英飞凌科技存储器研发中心和奇梦达公司技术创新和集成部门的研发工程师，并曾在中国复旦大学微电子学院担任教授。据Semiconchina官方介绍，王鹏飞先生拥有授权发明专利50余项，其中美国专利授权20余项，于年最早系统地命名和定义了TFET、CTFET、PTFET等一系列器件，被学术界广泛沿用。年王鹏飞先生发明了“Semi-FloatingGateTransistor”(即SFGT，半浮栅晶体管)基础元器件及多种半浮栅衍生器件，并最先成功制造且发表于Science、IEEEEDL及IEEETED上。龚轶先生，英国纽卡斯尔大学硕士学历，曾担任美国超微半导体公司工程部工程师和德国英飞凌科技汽车电子与芯片卡部门技术专家。

香港赛普锐思为公司全资子公司，于年成立。截至目前，公司拥有两家分公司和两家全资子公司，分别为苏州东微半导体股份有限公司上海分公司以及深圳分公司、广州动能半导体有限公司、香港赛普锐思有限公司。其中，两家分公司分别由龚轶和卢万松负责，主要从事电子科技领域的设计、开发、销售及技术咨询等业务。

以Fabless模式，整合优质资源专注研发高性能功率器件，实现国产功率器件自主可控。公司基于多年技术积累和研发投入，不仅在半导体功率器件领域拥有强大的自主研发能力和多项专利，还构建了以更高技术含量的高压超级结MOSFET产品为主的功率器件。公司主要产品包括GreenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET。同时，公司已开发了超级硅MOSFET及TGBT等先进功率器件产品。在应用领域方面，公司的产品包含以新能源汽车充电桩、5G基站及通信电源、工业照明电源为代表的工业级应用领域，以及以PC电源、适配器、手机快速充电器为代表的电子消费应用领域。在产品方面，由于工业级应用对功率半导体产品的性能和稳定性要求普遍高于消费级应用，公司将持续研发高性能产品，加速扩大产品在工业级应用领域的市场份额，取代更多的进口品牌份额，实现国产功率器件的自主可控。在经营模式方面，公司将深化与上游企业的合作，使公司的技术创新能力与代工合作伙伴的制造能力深度嵌套，并为下游企业提供高可靠性、高性能的产品，以此推动整个产业链的创新与发展。

主营业务快速发展，营收规模持续稳定增长。顺应行业发展趋势，公司凭借关键核心技术和高性价比产品，实现了营业收入的高速增长。-年公司营业收入分别为1.53亿、1.96亿、3.09亿元、7.82亿元，年均复合增长率达到72%，我们预计随着公司产能和品类的增加，未来2年将继续保持较高速增长。

年营收7.82亿元，同比增长81.09%，主要来自于产品销售量的快速增加和品类的扩张。公司主营产品为MOSFET以及IGBT，其中高压超级结和中低压屏蔽栅占比较高，并经公司长期研发后超级硅MOSFET和TGBT已分别于年和年开始小批量生产并实现销售，、年度和H1超级硅MOSFET分别实现营业收入8.32万元、40.36万元和.31万元，H1TGBT实现营业收入22.95万元。

公司毛利率逐步提升，期间费用把控能力进一步加强。-年公司主营业务毛利分别为.98万元、.10万元和.92万元，年均复合增长率达到16.92%。由于公司运营模式为fabless，其成本中晶圆原材料占比较高且受上游晶圆代工价格和供需关系变动影响较大，以及当时公司业务规模还比较小，所以年相对年毛利率有所回落。随着公司规模逐步壮大以及与晶圆厂建立良好合作，公司综合毛利率持续提升，由年的14.93%上升至前三季度的28.62%，盈利能力显著提升。随着产能端继续增长以及新产品线逐步放量和规模效应的显现，我们预计未来三年公司毛利率继续小幅上行。预计-综合毛利率分别为28.61%、28.69%、28.84%。期间费用方面，公司把控能力得到大幅提升，期间费用率由年的18.08%下降至年前三季度的7.47%，随着管理的优化我们预计-年的期间费用率有望进一步下降。

新品不断研发，产品结构持续优化。年上半年高压超级结MOSFET营收占比为74.55%，中低压屏蔽删MOSFET营收占比为24.96%。随着公司超级硅MOSFET和IGBT产品的研发量产，公司产品结构趋于多样化，传统MOSFET收入占比有望逐步降低。年超级硅MOS和TGBT产品的量产，预计-年超级硅MOS和TGBT将给公司逐步带来一定收入，预计年超级结MOS,屏蔽删MOS，超级硅MOS，IGBT的收入占比分别为59%、15%、5%、21%。各类产品毛利率方面，毛利率在年出现下滑主要由于国内晶圆代工产市场短期供需不平衡，导致晶圆平均采购单价上涨，中低压屏蔽栅主要由于部分客户终端产品销售端承压叠加行业新进入者增多，市场竞争加剧，导致销售单价有所下降。随着行业回归高景气并且公司高阶产品逐步放量，毛利率显著回升，随着公司所处赛道需求持续旺盛，我们预计超级结MOS和屏蔽删MOS毛利率稳定，新产品超级硅MOS和TGBT的毛利率将小幅上升。

高压超级结MOSFET：以功率器件成品为主，产品单价呈现上升趋势。自年开始，高压超级结MOSFET功率器件进一步扩大占比，H1占比达到94.85%。销量方面，-年公司高压超级结MOSFET功率器件销量持续上升，由万颗增加至万颗，H1共计销售万颗。单价方面，呈现整体上升的趋势，从年的2.24元/颗上升至H1的2.26元/颗，其变动主要系公司的高压超级结MOSFET规格丰富，不同规格型号和终端应用的产品在销量单价上存在一定差异，且不同年度销售产品的规格型号结构存在一定的变动；H1公司的高压超级结MOSFET功率器件的销售单价有一定幅度的上升，主要系当期销售的产品中含有应用于如5G基站电源等耐用性和可靠性等要求较高的规格型号，因此产品销售单价相应较高。公司高压超级结MOSFET晶圆的毛利率变动趋势与功率器件成品基本一致，但其销售量和销售单价均有所波动，由于公司的高压超级结MOSFET晶圆主要满足少量拥有封装测试产线客户的定制化需求，该类产品的采购价格及成本受采购计划、产品指标及下游工艺需求等多重因素的影响。

中低压屏蔽栅MOSFET：功率器件和晶圆占比接近。公司年营业收入以功率器件成品为主，但从年开始以销售晶体为主，年上半年晶体营业收入占比达到52.99%。销量方面，中低压屏蔽栅MOSFET的功率器件和晶体分别从年的万颗和片逐步上升至H1的万颗和片，主要受益于中低压MOSFET市场需求提升、消费电子代工厂商对国内MOSFET企业存在采购偏好以及公司品牌知名度、市场认可度的提升。单价方面年以前由于市场竞争加剧导致中低压屏蔽栅MOSFET功率器件的销售单价有所下降。年一方面因国内需求快速提升叠加疫情环境背景下的产能紧缺，中低压MOSFET市场价格上涨；另一方面由于年上半年销售的中低压屏蔽栅MOSFET晶圆中，销售单价较高的12英寸晶圆占比增加，导致整体均价上升。

1.2、研发人员占比高，自主开发超级结MOS、超级硅MOS和IGBT等高压器件

研发人员占比高，持续开发新产品助力长远发展。公司持续加大研发投入，创新能力和技术优势不断增强，公司研发人员比例高达46%，居行业前列，高于国内其他功率半导体公司，强大的研发力量是公司不断推出新品的基础。

-年公司研发投入分别达到万元、万元和万元，占营业收入比例分别为10.49%、6.13%和5.18%，年三个季度公司研发投入达到万元，研发投入占比为5.26%。与此同时，公司高度重视知识产权的自主性与完整性，经过多年持续不断的研发和创新，拥有多项发明专利且自主完整、权属清晰，截至年6月30日共计拥有专利53项，其中发明专利37项、实用新型专利1项，以及境外专利15项。

公司核心技术均源于自主研发。核心技术是公司核心竞争力的载体，截至当前，公司正主要研发项目的技术来源均为自主研发，且技术水平均属于国内或国际领先。公司已成为国内领先的高性能功率器件厂商之一，是少数能在超级结MOSFET领域突破海外技术垄断的本土公司之一，还是国内少数具备器件创新结构能力的公司，公司推出的GreenMOS系列超级结MOSFET产品打破了国外厂商在充电桩功率器件领域的垄断地位，公司采用独立知识产权Tri-gate器件结构的创新型IGBT产品(TGBT)已量产出货，未来有望在高压市场大幅成长。

02

汽车电动化和工业4.0蓬勃发展，功率半导体市场持续增长

2.1、新能源车和绿电带来新需求，市场空间快速成长

电源是提供电力和管理电子的重要设备，自21世纪进入高频开关时代，中国电源行业已经步入成熟发展阶段，保持着稳定的增长趋势。根据亿渡数据统计，中国电源市场规模从年的2,亿元增长至年的3,亿元，CAGR为11.32%，增长趋势良好。随着下游应用领域不断增加，预计未来行业市场规模增长率将保持着个位数稳定增长趋势，至年中国电源市场规模有望达到4,亿。

开关电源产品凭借着良好的性能优点，已成为电源产品中占比最高的大类产品，其市场规模随着中国电源行业的增长而取得快速成长。根据亿渡数据统计，中国开关电源市场规模从年的亿增长至年的亿元。随着碳达峰、碳中和为目标的“低碳时代”的到来，电子设备趋向于小型化、轻量化、节能化，将进一步推动电源开关的规模增长，预计年中国开关电源市场规模将达到亿元。

功率半导体分为功率IC和功率分立器件两大类，其中功率分立器件主要包括功率二极管、晶闸管、高压晶体管、MOSFET、IGBT等产品。在功率半导体发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代，超级结MOSFET逐步出现，打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率MOSFET特别是超级结MOSFET、IGBT等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，依然较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。

根据Omdia数据，年全球功率分立器件市场规模约为亿美元，其中MOSFET器件是功率分立器件领域中占比最大的产品，全球市场份额达到52.51%，IGBT为第三大产品，年全球市场份额达到9.99%。中国市场中，MOSFET、IGBT占年中国功率分立器件市场份额分别为53.98%与9.77%，总体比例与全球市场的情况基本一致。

根据Omida预测，年全球功率半导体市场规模约为亿美元，预计至年市场规模将增长至亿美金。在经历年增速最低点后，随着新能源车、充电桩、光伏、风电、智能电网、轨道交通等市场的不断扩展，行业规模不断扩大。以来全球缺芯情况仍未得到缓解，国内功率半导体企业加紧布局抓住缺货带来的大客户机遇。

中国本土功率半导体行业起步较晚，但中国已成为全球功率半导体最大的消费国。但在政策支持、市场拉动及资本推动等因素合力下，中国功率半导体行业不断发展，中国企业不断突破积累，加速了功率半导体产业链国产化的进程。随着5G、新能源车、智能工业化等科技发展，未来10年有望迎来爆炸性的增长。据Omida预测，年中国功率半导体市场规模达到亿美金，占比全球市场比例高达38%，年市场规模有望达到亿美金。

功率半导体是实现电能转换的核心器件，对电路进行控制，改变电子装置中的电压和频率，交流或直流等，均具有处理高压电，大电流的能力。近年来，随着国民经济的快速发展，功率半导体在消费电子，工业领域，汽车领域应用广泛，目前应用领域已从传统的工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场，市场规模呈现稳健增长态势。其中，光伏、风电、储能、新能源车、工控等领域成长较快。

2.2、MOSFET与IGBT器件结构不同，应用场景有所差别

IGBT和MOSFET内部结构不同，IGBT输入电压高，MOSFET输入电压低，这也决定了其应用领域的不同，MOS管适合较小输出功率的场景，IGBT适合较大输出功率的场景。MOSFET应用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域；IGBT集中应用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感应加热、电驱等高压领域。

MOSFET根据工作载流子的不同，可分为“N型”与“P型”，又称为NMOS、PMOS。IGBT同样分成N型和P型。MOS管工作原理是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。根据不同器件结构又可分为沟槽型MOSFET、超结MOSFET、屏蔽栅MOSFET等。

根据中金企信数据，年全球MOSFET市场规模达76亿美元，-年符合增速达5%。中国大陆MOSFET市场规模达36亿美元，在全球占比约48%。年，全球MOSFET市场规模达80.67亿美元，年在全球尤其是中国5G基础设施和5G手机、PC及云服务器、电动汽车、新基建等市场推动下，全球MOSFET增速将以比较高速度增长，预计年至年，MOSFET每年的增速将不低于6.7%，至年将达到.47亿美元。

目前全球MOSFET市场主要被海外厂商占据，全球前十大厂商主要为欧美或日本企业，据Omida数据，年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到24.4%（年市占率为24.6%），前十大公司合计市场占有率达到77.9%。中国本土企业中，中国本土成长起来的华润微电子、闻泰科技收购的安世半导体、士兰微进入前十，分别占比3.9%、3.8%和2.2%。由于应用领域广泛，MOSFET下游市场整体比较分散，市场可以容纳足够多的公司进行发展。从士兰微和华润微可以看到，中国本土企业正在快速成长，市占率不断提升，未来我们还会看到更多的本土公司成长起来，尤其在细分的高压领域，东微半导有望成为最具潜力和最具成长性的公司。

IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，主要用于变频器逆变和其他逆变电路，将直流电压逆变成频率可调的交流电。IGBT有阴极、阳极和控制极，关断的时候阻抗非常大，接通的时候存在很小的电阻，通过接通或断开控制极来控制阴极和阳极之间的接通和关断。IGBT结合了高输入阻抗和低导通电压两项优点，在应用上IGBT和MOSFET少部分重叠，其他领域互补，适合高电压V及以上的变电流系统。随着下游应用的不断提出新的挑战，IGBT的结构也一直在创新和发展，向更好的性能进化。

IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目，被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域，IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中；在V以上的高电压领域，IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。

随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长，全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计，年市场规模为16.03亿美元，年受全球新冠疫情爆发市场略有下降，-年复合年均增长率为11.73%，至年市场规模有望达到16.82亿美元。随着未来疫情的逐步控制和治疗药的出现，全球将逐步走向放开，并且随着新能源的蓬勃发展，IGBT市场有望加速增长。

根据Omdia的统计，年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元，年为6.05亿美元，对应复合年均增长率为19.17%。年全球IGBT模块市场中，英飞凌以绝对优势排名第一，占比36.5%，前十大公司市场占有率为79.1%，中国企业仅斯达半导上榜。年全球IGBT器件市场中，英飞凌仍以绝对优势占据第一的宝座，市占率为29.3%，前十大公司市场占有率为85.7%，中国企业士兰微以市占率2.6%，位列第10位。

2.3、汽车电动化和充电桩普及带来大量半导体需求

功率半导体应用领域已从单一的工业控制领域扩展到新能源车、发电、变频家电等诸多领域。在我国双碳政策下，新能源，新基建以及光伏等领域对功率半导体的需求呈现几何式的增长。中汽协数据显示，年新能源汽车产销分别完成.5万辆和.1万辆，同比均增长1.6倍，新能源汽车的市场占有率达到13.4%，高于上年8个百分点。据此前中汽协预测，年中国新能源汽车销量将达万辆，更加乐观地预测称这一数据有望突破万辆，新能源汽车渗透率将达到22%左右。

在传统燃料汽车中，汽车电子主要分布于动力传动系统、车身、安全、娱乐等子系统中。对于新能源汽车而言，汽车不再使用汽油发动机、油箱或变速器，而由“三电系统”即电池、电机、电控系统取而代之。为实现能量转换及传输，新能源汽车中新增了电机控制系统、DC/DC模块、高压辅助驱动、车载充电系统OBC、电源管理IC等部件，其中的功率半导体含量大大增加。随着汽车电子零组件增加，功率半导体元件乃至MOSFET的应用也不断增加，原本一辆最基本汽车配备约90颗MOSFET，新能源车则可能需要颗MOSFET，甚至高阶新能源车的MOSFET用量可达到颗，随着新能源车功能的叠加，未来需求数量还可能往上提升。据英飞凌数据，BEV型车里功率半导体价值高达美元，而MHEV只有90美元，二者相差约4倍。

中国IGBT下游应用领域中，新能源汽车、工业控制是最主要的应用领域。根据中商情报网，IGBT下游应用中新能源汽车市场占比高达31%，消费电子领域市场占比27%，工控领域占比20%，新能源发电占比11%。根据智研咨询数据，自年以来，我国IGBT自给率超过10%并逐渐增长，预计年我国IGBT行业产量将达到0.78亿只，需求量约为1.96亿只。总的来看，我国IGBT行业仍存在巨大供需缺口。基于国家相关政策中提出核心元器件国产化的要求，“国产替代”将会是未来IGBT行业发展的主旋律之一。

新能源汽车充电桩是汽车功率半导体的又一大增量市场。随着新能源车的不断普及，作为新能源车“燃料库”的充电桩数量也同步快速提升。根据中国电动汽车充电基础设施促进联盟数据，截至年底，我国公共以及私人充电桩保有量总计.7万台，同比增加70.1%。中国汽车工业协会预测年中国新能源车有望突破万辆，充电桩数量也会随之增加。根据中国电动汽车充电基础设施促进联盟数据预计，年随车配建充电桩将新增万台，保有量将拿到万台，公共充电桩保有量有望达到万台。

充电桩普及带动功率半导体需求。公共充电桩包括交流桩和直流桩，交流充电桩需要借助车载充电机，充电速度较慢。直流充电桩俗称“快充”，通常仅需要不到2-3小时即可将一辆纯电动汽车电池充满，提高电动车充电速度是行业发展趋势，未来快充桩占比仍有望逐步提高。在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主。据充电桩视界报告，年我国充电桩保有量为万台，预计年将达到万台，复合增速达45.7%。充电设备即充电桩硬件设备的成本是充电桩的主要成本，占比90%以上。其中充电模块是充电桩的核心设备和主要成本来源，占新能源汽车充电桩硬件成本的45%-55%，而IGBT功率开关是充电模块的关键组成部分，是在充电过程中起着电力转换与传输作用的核心器件，在充电桩的成本大约占比20%，可以测算出年我国充电桩IGBT市场规模将达到.2亿元。

2.4、碳中和“芯”力量，新能源发展带来大量功率半导体需求

光伏领域功率半导体的主要应用在于逆变器中，是光伏逆变器的核心零件。光伏装机量的提升带来逆变器需求的成长，也为功率半导体的发展带来更多的能量。在“双控”及“双碳”政策推动下，中国光伏产业制造端发展向好，海外市场需求持续增长，产品出口呈现多元化发展，中国光伏产品在全球市场中的份额进一步扩大，装机容量稳步增长，处于领先地位。根据国家能源局数据，截止到年底中国光伏发电累计装机达到GW，同比增长23.5%，其中集中式光伏.69GW，分布式光伏78.31GW，连续6年中国光伏累计装机量位居全球首位，至年底中国光伏发电累计装机已达GW。

据国家能源局报告，年1-6月全国光伏新增装机万千瓦，增速强劲，其中光伏电站万千瓦、分布式光伏万千瓦。根据国家发改委能源研究所发布的《中国年光伏发展展望》，到年光伏发电将成为中国的第一大电源供应，光伏发电总装机规模达50亿千瓦，占全国总装机的59%，意味着光伏装机量仍有数十倍成长空间，功率半导体需求量也会呈现大幅上涨。根据充电桩视界数据，功率半导体约占光伏逆变器成本的9%，测算预计年光伏逆变器功率半导体市场空间约为亿元。

功率半导体是光伏逆变器中的核心器件，也是风力发电系统的核心组件。风力发出来的电本身是交流电，但由于风力发电有很大的不稳定性，且风速和设备本身等都会直接影响发电机的转动，因此需要通过风电变流器对电能进行整理：发电机产生的幅值频率不断变化的交流电，通过机侧变流器整流为直流电，经直流支撑电容稳压后输送至网侧变流器，控制系统通过PWM矢量控制技术将直流电转换为频率幅值稳定的交流电，馈入电网。风电变流器的整流和逆变过程亦是通过IGBT，MOSFET等功率器件的的高频开关来实现的。

据中国电力知库数据显示，截至年底全国风电累计装机2.8亿千瓦，同比增长34.0%。根据中商产业研究院预测，-年我国风力发电量将从.8亿千瓦时增长至.9亿千瓦时。风力发电中需要运用到大量的IGBT、MOSFET、GTO等功率器件，根据充电桩视界数据，预计至年全球风电变频器件市场规模将增长亿元，我国市场规模将增长亿元。

储能在新能源发电领域起到关键作用。随着新能源发电在整体能源结构中的占比不断提升，发电侧的储能建设需求将实现快速增长。光伏、风电等新能源发电具有季节性、间歇性、波动性等不稳定因素，例如光伏发电功率受阳光强度、角度影响，且阳光与气候、季节、区域强烈相关，甚至一日内的变化也极度明显，随机性强。风力发电则受风速影响大，自然风不是恒定的，导致风力发电输出的电能也具有间歇性的特点。而储能系统则能平抑、消纳、平滑新能源发电的输出，因此，将光伏、风电发电系统与蓄电池储能系统并网，可以合理安排蓄电池的充放电、光伏电池和风机的出力，从而达到最大限度延长并网供电时间的目的。

根据国际新能源网数据，年中国已投运储能项目装机规模为35.6GW，同比增长9.8％，其中抽水蓄能累计装机占比最大，为89.30％，其次为电化学储能，累计装机规模3.28GW，占比9.2％。自年开始，中国电化学储能呈现爆发式增长，截至年底，中国电化学储能市场累积装机功率规模为.2MW，同比增长91.2%，新增电化学储能累积装机功率规模达到1.56GW。根据集邦咨询，储能系统成本主要由电池和储能逆变器构成，两者合计构成电化学储能系统成本的80%，其中储能逆变器占到20%。

2.5、变频家电、5G通讯带来功率半导体新增长

随着技术的不断革新，家电换代也越来越快，变频家电也成为很多家庭的首选。根据中自网数据，变频家电拥有节能、低噪音等优势，例如变频空调其压缩机不会频繁开启，整体节能达到15%-30%的效果，变频洗衣机高速脱水时电机啸声可比定频洗衣机减少10至20分贝，变频冰箱的速冻能力比普通冰箱提高20%。因此变频家电渗透率迅速提升，到年有望达到65%，相比年增长近一倍。据英飞凌测算，定频家电功率半导体价值量约为0.7欧元，而在变频家电内价值量约为9.5欧元,相比提升超过12倍。受益于此，中自网预计全球家电功率半导体规模有望从年的31.4亿美元增长至年的68.6亿美元，5年CAGR近17%。

5G基站功率更高，建设更为密集，带来更大的电源供应需求。射频端，雾计算以及云计算为功率半导体带来巨大增量。1.据华为

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