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系统概述：IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点

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摘要：u年中国新能源汽车销量为万辆，我们预测年中国新能源车销量将达到万辆，渗透率为21%，有望带动中国新能源汽车IGBT市场高速成长。u全球IGBT市场长期被英飞凌、三菱、富士等海外厂商垄断，出于产业链安全考虑，国内厂商正在加速突破。国内产品迎来产品验证导入的

场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。FET英文为FieldEffectTransistor，简写成FET。为帮助大家深入了解，本文将介绍关于场效应管

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