盛美推出12英寸晶圆单片SPM设备，全球代工市场即将突破千亿美元大关晶圆代工：今年代工市场将首次超过亿美元大关，同比强劲增长23%。据市场研究机构ICInsights最新数据显示，受益于5G智能手机处理器、网络和数据中心处理器等应用的推动，今年代工市场有望实现创纪录的23%增长，达到亿美元。其中，预计今年纯代工市场将强劲增长24%，达到亿美元，超过去年23%的增长速度，而IDM代工市场将增长18%，达到亿美元。预计后续将继续以强劲的11.6%同比速度增长，到年总代工销售额预计将达到亿美元。封装测试：预测4-年先进封装市场营收将翻一番达到亿美元。据Yole发布关于先进封装市场的最新报告，预测4-年间先进封装市场营收将翻一番。年为亿美元，年将达到亿美元，4-年CAGR为7.4%。电子行业功率半导体专题报告：下游需求旺盛，国产替代进行时功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，在电子电路中起到功率转换、功率放大、功率开关、线路保护和整流等作用，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等，其下游应用广泛，几乎涵盖所有电子制造业。近年来，随着社会经济快速发展和技术工艺的不断进步，功率半导体的应用领域已从传统的工业控制拓展至新能源、轨道交通、智能电网和变频家电等诸多市场，行业市场规模稳健增长。IGBT：工控领域的核心，应用前景广阔。IGBT全名为绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管（BJT）和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式半导体功率器件，IGBT驱动功率小而饱和压降低，非常适合应用于直流电压为V及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等。受益下游需求大幅增加和半导体领域国产替代不断进行，我国IGBT增速快于全球，展望未来，新能源汽车、光伏/风电逆变器、以5G、特高压和充电桩为代表的新基建成为IGBT的最大拉动力，有望不断扩大IGBT市场边界。MOSFET：新能源汽车、5G基建驱动发展。MOSFET全名为金属-氧化物半导体场效应晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的，具有导通电阻小，损耗低，驱动电路简单，热阻特性好等优点，特别适合用于电脑、手机、移动电源、车载导航、电动交通工具、UPS电源等电源控制领域。汽车电动化是大势所趋，与传统汽车相比，电动车内置功率半导体价值量大幅提高，大幅提高对MOSFET使用需求；而5G基站中MassiveMIMO技术的采用，同时处理数据量的增加也对功率器件的工作温度要求有所提高，驱动MOSFET功率器件实现量价齐升。我国目前是全球最大功率半导体消费国，行业产业规模增速快于全球，但功率半导体器件自给率较低，在器件的生产制造和自身消费之间存在巨大供需缺口；此外，我国处于功率半导体供应链的相对末段，产品以低功率半导体器件为主，在高附加值、市场份额更大的中高档产品领域话语权较弱，与国外企业存在较大差距，国产替代空间广阔。MiniLED市场爆发在即，工艺改进为设备企业带来新机遇平安证券认为，MiniLED市场爆发在即，工艺改进为设备企业带来新机遇。MiniLED指由尺寸介于50-μm之间的芯片构成的LED器件。相比片尺寸大于μm的传统LED，MiniLED在前道制造和后道封装环节均有工艺改进，有望为设备企业带来新的机遇。MiniLED渗透率提升初期，设备企业弹性最大，值得高度

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