在年11月底，业内媒体报道称，华为已开始挖掘IGBT制造商并开发自己的IGBT器件。春节期间，满天信在深港证券上撰写了一份报告，并与所有人进行了审查。让我们看一下华为进入IGBT的现状以及国内IGBT的发展。IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极晶体管）是一种绝缘栅双极晶体管，是由BJT（双极晶体管）和MOS（绝缘栅场效应晶体管）组成的复合完全受控电压驱动功率半导体器件，具有MOSFET的优点。输入阻抗和GTR（功率晶体管）的低导通压降。GTR的饱和电压降低，载流密度大，但驱动电流大；MOSFET驱动功率很小，开关速度很快，但导通压降很大，载流密度很小。IGBT结合了上述两种器件的优点，驱动功率小，饱和电压降低。非常适合用于直流电压为V及以上的变流器系统，如交流电动机，变频器，开关电源，照明电路，牵引传动等领域。根据ICInsights的预测，在未来的半导体功率器件中，MOSFET和IGBT器件将是最强劲的增长点。IGBT是能量转换和传输的核心设备，通常称为电力电子设备的“CPU”。作为国家战略性新兴产业，它广泛应用于轨道交通，智能电网，航空航天，电动汽车和新能源设备。随着新能源汽车，轨道交通和智能电网的发展，对IGBT的需求迎来了大幅增长。1.华为进入市场，推动IGBT的发展根据Jiwei.

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